4Gamers近日采访了AMD全球副总裁、客户端渠道业务总经理David McAfee，探讨了内存短缺、DDR5涨价、AMD长期平台规划等话题。McAfee表示，DDR5内存依然很贵，但是预计会缓慢恢复，但是要想回到正常水平，需要大约2年之久。 他说，尽管三星、SK海力士、美光都在准备扩产，但精力都集中在AI市场急需的HBM高带宽内存上，根本不在意消费级DDR4/5，而中国长鑫进步确实很大，但短期内很难改变大局。 他还指出，存储市场一直都有跌宕起伏的周期，循环往复，但是这一次，恐怕时间要长得多。 数据显示，PC DDR5内存在4月大宗交易中的协议价格为16GB 35美元，环比涨幅6％，而且已经是连续4个月上涨。 而在半年前，这一价格仅为约10美元，半年时间已涨至3.5倍。 甚至有厂商直言，内存价格预计到今年底还会翻一番！ 即便看到偶尔降价也不用激动，其实都是清理老库存，只为更贵的新内存让路而已，根本目的还是为了继续涨价。 查看评论
在今年的台北国际电脑展（Computex）上，多家内存模组厂商表示，外界热炒的“CXMT（长鑫存储）DDR5超便宜”说法并不属实，其实际采购价格与三星、SK海力士及镁光等传统三大DRAM供应商大致处于同一水平线。厂商强调，所谓“廉价”更多是市场误读，而非真实的价格优势。 长鑫被视为近一轮DRAM周期中客户端市场的潜在“救火队员”。该公司大规模投资新厂，计划将产能翻番，并积极与全球模组厂合作，向整机与内存品牌提供自家DRAM芯片。在消费端价格持续攀升的大环境下，曾有不少声音认为，来自中国的新晋供应商有望凭借低价缓解PC与DIY用户面临的成本压力。然而，多家在展会现场接受采访的内存厂商表示，长鑫 DDR5的供货价并没有想象中那么低，整体与主流国际大厂相差无几。 与传统巨头相比，长鑫的真正优势被认为在于“有货可供”，而非“明显更便宜”。目前，三星、SK海力士与镁光等厂商将大量产能投入高带宽存储（HBM）和面向人工智能市场的高附加值产品（如特定形态的模组解决方案），在一定程度上压缩了可供普通PC与工作站使用的常规DRAM资源。反观长鑫，由于暂时难以在工艺与技术路线层面追赶这些高端产品，其重心仍停留在传统DRAM上，因此能够向客户端市场释放更多标准DDR5产能。 在产品性能层面，业内人士认为长鑫 DDR5虽然进步迅速，但目前更适合入门与主流定位的内存条，而非追求极限超频或最高规格的旗舰方案。现阶段已见到的长鑫 DDR5最高数据速率大约在8000 MT/s量级，同时也已有面向服务器与工作站的RDIMM产品进入量产阶段。不过，在CUDIMM、CQDIMM、MRDIMM、CSODIMM等更高端、更复杂形态的模组上，该公司与国际龙头相比仍存在明显差距，尚难以覆盖所有高性能与企业级场景。 多家模组厂商透露，他们正在验证将长鑫 DDR5用于自家产品的可行性，但这些芯片目前只会被安排在入门级或主流级别的内存模组上。从导入节奏来看，新品会优先面向中国本土市场，待后续有更高质量分档与更成熟的良率表现后，才会逐步推向全球渠道体系。这意味着，短期内国际消费者即便买到搭载长鑫颗粒的内存，大多也将集中在价格相对亲民而规格中规中矩的产品上。 在商务条款方面，长鑫相较传统三大厂展现出更高的灵活度，这也是不少模组及整机厂商愿意尝试的原因之一。目前，部分全球DRAM巨头在合约供货中要求客户若想锁定额外产能，需几乎按全额成本提前支付，否则不仅可能拿不到追加订单，还可能在后续批次中被附加额外罚金。相比之下，长鑫在供货协议上并未设置类似的严苛罚则，这种“同样价格、但少了惩罚性条款和额外压力”的合作模式，为其吸引了一批正在评估多元化供货来源的内存品牌和PC厂商。 整体来看，市场此前对“长鑫 DDR5会以低价冲击全球、全面拉低终端内存价格”的期待，短时间内恐难成真。从当前业内反馈看，长鑫在价格上并未打“跳水牌”，而是选择与主流价位对齐，通过稳定供应、聚焦传统DRAM市场以及相对宽松的商务条件来扩大影响力。在高端技术与产品形态尚未追上的前提下，这种策略既为PC与模组厂提供了更多谈判与采购选项，也为日趋集中的全球内存产业格局增添了一名有潜力但仍在成长中的新玩家。 查看评论
投资银行瑞银近日在一份研报中警告称，受高带宽内存（HBM）和DRAM在人工智能GPU领域需求飙升带动，全球内存市场持续趋紧，其价格在部分地区已累计上涨逾400%，这股涨价压力预计将在今年下半年至2027年一季度更明显地传导至戴尔的PC与服务器业务。 瑞银同时将戴尔目标股价从243美元大幅上调至440美元，并上调了该公司2027与2028财年的盈利预期，认为AI服务器的强劲增长足以抵消部分由“内存危机”引发的成本冲击。 瑞银的最新覆盖出现在戴尔公布截至本财年第一季度业绩之后。该季度戴尔实现营收438.4亿美元，每股收益4.86美元，营收同比大增88%，净利润则从上年同期的9.65亿美元跃升至34.4亿美元，其中AI服务器相关业务收入同比暴涨757%，成为带动整体业绩的核心动力。 在AI算力需求急剧扩张的背景下，HBM与DRAM供给紧张推动整体内存价格飙升，PC整机厂商为确保供应，在2026年一季度已不得不承受高达110%的内存成本增幅，并掀起一轮“抢货式”备货潮。 市场研究机构Counterpoint的数据显示，出于对后续涨价的担忧以及对供应中断的预期，恐慌性采购行为不仅推高了内存合同价格，也在一定程度上推升了今年PC出货量。 瑞银在研报中指出，截至目前，戴尔供应链在应对DRAM和NAND价格急剧上行方面表现“相当娴熟”，通过谈判、锁价与产品结构调整等手段，暂时消化了相当部分成本压力。 然而，该行也强调，随着涨价效应在合同周期和产品定价中逐步传导，内存成本上升对戴尔PC与服务器业务的负面影响，预计将在2026年下半年至2027年一季度愈加显性化。 在瑞银看来，戴尔未来的关键变量之一是毛利率表现。研报指出，由于戴尔业务结构中硬件占比较高，一旦组件成本长期处于高位且收入结构向AI服务器等高配置产品倾斜，其整体毛利率和盈利倍数可能面临阶段性压力。 不过，瑞银同时判断，随着2027年一季度之后内存涨价斜率可能放缓，价格大幅继续上行的风险有望降低；该行并不预期此后内存价格会出现明显回落，因此PC、服务器及存储产品的利润率在更长周期内仍将面临较高成本环境，而非“涨完再跌”的典型周期性回调。 戴尔方面也在财报电话会上释放出类似信号。公司首席运营官杰夫·克拉克在谈及NAND和DRAM等关键元件时表示，组件成本的快速攀升迫使公司不得不频繁调整产品定价以应对变化。 他坦言，当前全球正处于一个前所未有的通胀环境之中，无论是燃料、原材料，还是DRAM、NAND、CPU等核心零部件，价格波动速度和幅度都明显快于以往，公司不得不在定价策略上保持更高的灵活性与反应速度，而现有迹象显示这一局面短期内难以改变。 瑞银在报告中还引用了市场分析人士在社交平台上的观点，称未来两到三个季度DRAM与NAND价格压力将进一步抬头。 受此影响，即便戴尔在供应链管理上继续采取积极措施，其PC和传统服务器业务仍可能在接下来几个财季中面临更严峻的成本—价格平衡考验，而以AI为导向的新一轮服务器需求周期则被视作支撑公司中长期增长和估值提升的重要支点。 查看评论
IT之家 5 月 24 日消息，英伟达首席财务官科莱特 · 克雷斯将其他公司在当前内存短缺中遭遇的困境归咎于他们自身。在接受 Tae Kim 采访时，克雷斯表示，英伟达预判到内存价格即将暴涨，早已提前下单备货。 IT之家注意到，受人工智能芯片企业旺盛需求拉动，内存价格大幅上涨，行业格局随之剧变。SK 海力士等企业员工斩获高额奖金，三星员工则发起抗议活动。 人工智能显卡对高性能的严苛要求，使得高带宽内存（HBM）与 DDR 内存市场均陷入剧烈动荡。据预估，仅英伟达 Rubin 人工智能平台的内存需求量，就将超过苹果与三星两家企业的需求总和。具体来看，2027 年 Rubin 人工智能芯片所需 LPDDR 内存规模将高达 60 亿 GB，而苹果、三星的需求分别为 29 亿 GB 和 27 亿 GB。 人工智能显卡除搭载 HBM 外，同样需要 DDR 内存，且两类内存共用生产设备。HBM 需求激增，促使厂商缩减 DDR 内存的产能分配，进而造成该品类供货紧缺。 供应链动荡之下，英伟达始终抢占先机，保障核心内存芯片稳定供货。克雷斯在采访中介绍了公司应对内存短缺的策略，称该公司早已预见到了市场的这场动荡。 谈及其他企业抱怨内存涨价时，克雷斯表示，不少企业后知后觉才感慨价格飙升，而英伟达早预料到这一趋势，早早完成备货采购，这本该是各家企业都应提前布局的举措。她还透露，英伟达并未采购现货内存，而是联合供应商按订单生产芯片。 她表示：“供应商会配合我们共同定制研发，再核算实际供货体量。我们并非只合作一家厂商，而是同步对接三大内存供应商。公司明确产品研发规划，协调所有供应商协同生产，目前暂无其他企业采取这类合作模式。”
根据TrendForce集邦咨询发布报告显示， 2026年第二季Mobile DRAM合约价继续大幅上涨，智能手机厂商成本压力急剧加大。其中，LPDDR4X均价季增70%–75%，LPDDR5X季增78%–83%，延续一季度强势涨幅。 韩系两大供应商策略分化，三星一次性大幅调价，SK海力士渐进式涨价，预计5月下旬完成最终定价。 持续多季的内存涨价，已对手机行业造成明显冲击，手机品牌已经被迫下调2026年全年智能手机产量，此前签订的长期采购量（LTA）也难以完成。 此外，内存规格也已经全面重构：高端以12GB为主、16GB缩减；中端回归8GB；低端以4GB为主；2GB/3GB机型逐步退出市场。 为缓解成本压力，手机厂商正转向软件与系统优化，包括协调App降低内存占用、推动更多业务上云，在高成本与需求放缓的双重压力下维持运营韧性。 查看评论
随着内存价格持续攀升，PC市场正面临一个新的危机：假冒DDR5内存模块开始在多个零售渠道(包括线上电商和线下实体店)大量流通。部分假货甚至用塑料冒充DRAM芯片，外观足以以假乱真。 一位日本社交平台用户分享了一则典型案例。他购买了一条标称为三星制造的16GB DDR5 SO-DIMM笔记本内存，结果发现完全是假货： · 金手指(金属触点)外观异常，边缘呈圆角而非标准直角 · 内存颗粒实际来自SK海力士，但标签却写着三星 · 部分假货的电源电路位置错误或根本不匹配 对于熟悉硬件的DIY玩家来说，这类假货或许不难识别。但对于普通消费者而言，往往很难分辨真伪。尤其是台式机内存条通常覆盖有散热马甲，遮住了DRAM颗粒，不拆开散热片或上机测试，几乎无法发现造假。 更令人担忧的是，这些假内存正在公开销售。在日本雅虎拍卖平台上，同款假16GB DDR5 SO-DIMM模块标价为12,845日元(约合人民币573元)。商品描述中明确写着这是“废品(junk item)”，功能未经确认，且卖家不接受退货。 内存造假正在成为继显卡、CPU之后的新重灾区。在价格高企的市场环境下，消费者更需要擦亮双眼，避免花高价买回一块“塑料内存”。 查看评论
内存价格这一年来涨了3-5倍，已经严重影响了大家对PC和手机的消费意愿，而导致这次内存大涨价的元凶就是AI需求太猛。大家都知道AI对内存（GPU上算显存）的容量及带宽要求都很高，但具体能高到什么程度？Google前几天发布的第八代TPU就是最好的例子。 今年的TPU v8首次针对训练及推理做了区分，V8T偏重AI训练，虽然Google说也可以做推理，但主要还是训练用的， 每个Pod节点堆了9600个V8T芯片，FP4性能达到了121EFlops ，内存带宽19.2TB/s，芯片内部带宽400GB/s，几乎都是2-4倍的变化。 V8i主要面向AI推理负载，规格上要降不少，每个节点只有1152个V8i芯片，算力降低到了11.6EFlops，内存带宽19.2TB/s没变。 值得注意的是，内存容量这次猛增了不少， V8i也达到331.8TB HBM内存，V8T更是夸张到了2PB HBM内存，每个V8T芯片配备了216GB HBM内存。 Google这次的设计理念是为了打破AI瓶颈的内存墙，2PB HBM不止是总容量超大那么简单，是在一个节点内作为单一全局地址使用，而NVIDIA的GPU此前虽然也能通过NVLink等技术堆出PB级的HBM内存，但连接也绕不过传统的数据中心网络，这会有性能及延迟瓶颈问题。 RobustCloud首席顾问Larry Carvalho表示，打破“内存墙”标志着Google在AI芯片领域的潜在重大竞争转变。 但是对普通人来说，Google这次上2PB HBM内存可不是什么好现象，因为这意味着AI对内存的需求还在涨， 要知道HBM内存通常要比常规的DDR内存多消耗2-4倍的DRAM芯片产能， HBM用量越多，挤占的DDR内存产能就越多。 即便需求高涨，三星、SK海力士、美光等公司也会优先保证HBM需求，但他们此前明确了不会大幅提升芯片产能，显然内存芯片的紧缺状态还会更严重，价格是别指望快速降回来了。 查看评论
IT之家 4 月 23 日消息，受运存短缺危机影响，智能手机厂商被迫涨价或压缩利润。三星移动部门此前就暗示可能出现亏损，如今该公司已发出全年亏损预警。 据韩国《Money Today》援引“业内消息人士”报道，三星移动业务负责人卢泰文向公司高管发出警示，智能手机部门或将迎来全年亏损。 这对三星移动业务板块而言无疑是重大利空，也将成为该部门史上首次年度亏损。而与之形成鲜明反差的是，三星存储芯片制造部门预计将创下史上最高利润。 IT之家注意到，该媒体还披露了一组极具冲击力的数据：英伟达即将推出的 Vera AI 中央处理器，将搭载 1.5TB 的 LPDDR5X 运存；而 Vera Rubin NVL72 超级计算机，会搭载 36 颗这款 Vera CPU。 报道称：“ 三星 Galaxy S26 Ultra 常规标配仅为 12GB LPDDR5X 运存，单台 AI 超级计算机消耗的运存总量，约等同于 4600 台智能手机的运存总和。” 正因各大消费科技企业难以稳定获取运存货源，才纷纷上调产品售价，甚至取消部分新品发布计划。行业现状短期内难以好转，该媒体预测，本季度运存价格涨幅或将突破 80%。 在此之前，上月已有报道称，受零部件涨价、亏损风险加剧影响，三星移动部门已启动“紧急经营机制”。为应对危机，该业务板块已下令削减 30% 运营成本，同时要求员工出行改坐经济舱，取消商务舱待遇。 即便近期有数据显示， 三星 Galaxy S26 系列市场销量表现亮眼，这份全年亏损的预警依然如期而至。市场调研机构 Counterpoint 数据显示，新一代三星旗舰手机首发销量优于上一代 S25 系列，在美国、西欧市场更是实现两位数的销量同比增长。
为应对DDR5内存价格持续上涨， 华擎联合Intel推出了一项名为HUDIMM（Half-UDIMM）的新内存标准，通过简化内存结构来降低DDR5的制造成本。 HKEPC在华硕的协助下率先完成了HUDIMM的实际性能测试，结果不容乐观。 标准DDR5 UDIMM模组由两个32-bit子通道组成，HUDIMM顾名思义将其砍半，仅保留一个32-bit子通道。 通道减半意味着模组上只需焊接一半数量的DRAM颗粒即可运作，物料成本和电路设计复杂度同步下降，好处就是能降低价格，但代价同样明显，内存带宽直接减半。 HKEPC通过屏蔽正常DDR5的一组32-bit子通道，配合支持HUDIMM的BIOS模拟实际运行环境，AIDA64 Cache & Memory实测数据如下： 【8GB - 1 x 32-bit单子通道】1DIMM 已屏蔽 32,447 MB/s读取，25,195 MB/s写入，26,894 MB/s复制，87.7ns 【16GB - 2 x 32-bit单通道】1DIMM 未屏蔽 58,913 MB/s读取，48,800 MB/s写入，52,648 MB/s复制，85.7ns 【16GB - 1 x 32-bit双通道】2DIMM 已屏蔽 58,928 MB/s读取，48,461 MB/s写入，51,473 MB/s 复制，86.5ns 【32GB - 2 x 32-bit双通道】2DIMM 未屏蔽 106.02 GB/s读取，93,235 MB/s写入，97,522 MB/s复制，86.4ns 可以看到8GB单通道HUDIMM的读取带宽仅32447 MB/s，写入25195 MB/s，复制26894 MB/s。 而16GB正常DDR5的对应数据为58913 MB/s、48800 MB/s、52,648 MB/s，读取下降44.9%，写入下降48.4%，复制下降48.9%，延迟则基本持平（87.7ns vs 85.7ns）。 性能腰斩的根源在于Bank Groups数量减半，正常DDR5模组拥有8个Bank Groups，HUDIMM仅保留4个，数据传输通道从8车道缩减为4车道，吞吐量自然直接砍半。 另外两条HUDIMM组双通道的性能水平，与一条正常DDR5基本持平（读取58928 MB/s vs 58913 MB/s）。 至于这个性能值不值得买，那就要看具体定价和自身需求了。 查看评论
内存价格飙涨已经影响到科技行业的方方面面，对预算有限的 PC 用户来说现在组装设备就绕不开高昂的内存价格，而随着时间推移，包括固态硬盘在内的其他组件价格也在上涨。不过现在华擎联合英特尔以及 TeamGroup 公司推出单通道 DRAM，这项技术被命名为 HUDIMM 和 HSODIMM，其主要特点就是 HUDIMM 内存条只使用 1x32 位通道。 标准 UDIMM 内存条采用双通道也就是 2x32 位，相较于标准内存条，这种单通道内存生产价格更低，所以理论上说可以用来应对当下传统标准内存条价格太高的问题。 华擎 600/700/800 系列主板支持此技术： 英特尔表示，在 DDR5 内存需求和成本不断上涨的情况下，华擎的单通道 DRAM 技术对继续普及 DDR5 内存至关重要，英特尔非常感谢华擎的支持，将该技术用于 Intel 600/700/800 系列芯片组，这可以让英特尔用户能够在未来几年能够更好地享受 DDR5 内存带来的优势。 华擎则是在自家推出的 Intel 600/700/800 系列主板上启用对 HUDIMM DDR5 内存的支持，尽管子通道数量减半，不过从华擎公布的数据来看，这种内存条依然可以提供不错的性能。 对性能基本没有影响： 华擎在社交媒体上发布的图片显示，在 DDR5 配置中使用 8+16GB 内存组合可以获得更高的带宽和更低的延迟，通道数量的减少只会降低内存容量，所以在性能方面基本不会有什么影响。 华擎分享的性能数据显示，单通道 8GB 内存条 + 16GB 双通道内存条，其整体带宽高于单条双通道的 24GB 内存条，所以单通道与双通道混搭也是没问题的。 当然关键意义在于单通道内存条生产价格会更便宜，因此实际售价也会更便宜，以单通道 8GB 内存条 + 16GB 双通道内存条为例，其售价要低于双通道的单条 24GB 内存条。 不过单通道内存条是否能真正降低价格还是个未知数，毕竟当前最大的问题在于产能，闪存制造商将更多产能挪到利润更高的 HBM 系列内存上，所以即便单通道内存生产成本低也可能无法获得足够产能。 查看评论
IT之家 4 月 20 日消息，在今天下午的华为 Pura 系列及全场景新品发布会上，Pura 90 系列、Pura X Max 等新机正式发布。易烊千玺作为 Pura 代言人也来到了发布会现场，并与余承东展开了互动。 IT之家注意到，华为常务董事、产品投资评审委员会主任、终端 BG 董事长余承东还在发布会现场谈到了内存涨价一事。他表示， 现在新手机定价压力很大，成本上涨很多，后面扛不住了也可能涨价 。 内存涨价的原因想必大家都听过很多了，AI 算力爆发虹吸产能 + 三大寡头控产 + 行业库存见底 + DDR4/DDR5 换代断档，四重因素叠加想不涨都难。此前已有多家安卓手机厂商宣布部分产品调价： OPPO 和一加自 2026 年 3 月 16 日 00:00 起针对部分已发售产品进行价格调整。 vivo 和 iQOO 自 2026 年 3 月 18 日 10:00 起调整部分产品的建议零售价。 小米和 REDMI 自 2026 年 4 月 3 日 00:00 起调整部分产品的建议零售价。 目前，苹果仍是唯一能持续从存量用户中获取高额服务收入的品牌。 有爆料人透露，苹果正以高价扫货市场上所有可用的移动 DRAM ，甚至不惜牺牲运营利润，从而挤压其它竞争对手的备货空间。
据3DCenter监测数据，德国市场DDR5内存套条均价已反弹至去年7月水平的410%，今年3月出现的短暂降价被证实仅为昙花一现。 今年1月和2月，DDR5内存价格先后触及峰值，3月首次录得自去年7月以来的价格回落，当时业内一度认为内存涨价周期可能迎来拐点。 然而最新零售数据显示， 4月均价已重新上调，3月的降幅更像是一次短期修正，而非趋势性反转，这一走势与北美及其他地区的零售价格趋势基本一致。 从具体型号来看，2×48GB DDR5-6400套条涨幅最大，部分DDR5套条在4月仍出现了小幅下降，但整体均价已被高容量型号的涨幅拉回高位。 通常大容量型号更容易受到涨价冲击，但此前也有16GB和32GB型号涨幅超过48GB型号的先例，说明本轮涨价并非单纯由容量驱动。 3DCenter的数据覆盖多家德国零售商的多款DDR5内存产品，能较为准确地反映该国DRAM市场的真实状况，虽然德国市场未必完全代表全球走势，但其他地区已出现类似趋势。 查看评论
长江证券电子行业资深分析师蔡少东表示：“HBM （高带宽内存）这个新的产品在过去三年其实完成了10倍以上的增长，我们可以看到2025年整个市场规模是在350亿美元，预计2027到2028年整个市场应该会突破1000亿美元。”“我们自己的判断是，在二季度合约的价格，有希望环比上涨30%到50%，有一些部分可能会比这更高。在下半年三四季度，整个存储的合约价涨幅会趋于收敛。” （央视财经）