SK海力士在2026年台北国际电脑展上展示了下一代HBM4E高带宽内存样品，重点面向英伟达、AMD等厂商即将推出的AI数据中心GPU平台。随着生成式和推理型AI模型规模不断膨胀，行业对更高带宽、更大容量以及更高能效的存储需求持续攀升，HBM4E被视为在HBM4基础上的再一次重大演进。 据介绍，本次展出的HBM4E单颗芯片采用32Gb芯粒，相比HBM4在裸片密度上提升约33%。在堆叠结构上，HBM4E通过12层堆叠即可实现48GB容量，而此前要达到同等容量通常需要16层堆叠，这意味着在保持容量不变的前提下，有望降低封装高度与复杂度，为系统设计留出更多余地。在性能方面，HBM4E单引脚速率最高可达16Gbps，相比HBM4提升约37%，单颗带宽可达到4TB/s，创下该类产品的带宽新高。 业内人士指出，英伟达Rubin以及AMD MI400系列等新一代AI数据中心GPU，将在今年陆续采用HBM4内存方案，而HBM4E则被视为后续产品的升级方向。SK海力士此次在展会提前展示HBM4E样品，表明其在下一阶段HBM竞争中的积极布局。该公司预计，HBM4E首先将会出现在计划于明年推出的英伟达Rubin Ultra GPU上，后续一代的产品则可能采用多GPU与HBM4E芯粒的高密度封装，以进一步拉高AI算力与内存带宽上限。 从技术演进路径看，HBM4E延续了HBM家族在带宽与能效方面的迭代思路。此前的HBM3E在36GB、12层堆叠配置下，已实现了每颗1.2TB/s级别的带宽和功耗改进，而HBM4在48GB、16层堆叠形态下进一步提高了针脚速率与总体带宽。当前公布的参数显示，HBM4E在相同48GB容量下，通过更高的单芯密度与12层堆叠设计，实现了带宽和功耗效率的同步提升，有助于在AI推理和训练等高负载场景中缓解内存瓶颈。 除了HBM产品线，SK海力士还在展会同期披露了针对AI时代的新型堆叠式NAND方案“AI-N B”。该方案借鉴HBM的通孔硅穿接（TSV）堆叠思路，将多层NAND芯片纵向堆叠，以实现“HBM级带宽、SSD级容量”的组合能力，目标是为大规模AI推理提供更高吞吐的存储系统，同时缓解当前高带宽存储供应紧张带来的产业压力。这一思路与业内其他厂商提出的HBF和Z-Angle等技术路径有一定相似之处，均试图通过三维堆叠与高速互连，弥合高带宽内存与大容量存储之间的性能与成本鸿沟。 在客户端与终端侧产品方面，SK海力士也展示了多款面向“AI PC”的新品，其中包括基于1cnm工艺的96GB LPCAMM2内存模组。该模组采用LPDDR5X标准，传输速率最高可达9.6Gbps，预计将于今年晚些时候随新一代AI PC平台一同推向市场。在固态存储领域，公司展出了V9 NAND系列，提供QLC与TLC两种颗粒形态，单颗容量最高可实现2TB，并可封装为紧凑型cSSD产品，主打小型化设计与高能效，并采用无DRAM架构以进一步优化成本与功耗表现。 总体来看，从HBM4E到堆叠式NAND，再到高密度LPCAMM2与V9 NAND SSD，SK海力士在本届台北国际电脑展上集中展示了其围绕AI数据中心与AI PC两大应用方向的完整存储布局。在AI算力与存储需求同步爆发的背景下，新一代高带宽、高密度、低功耗存储产品将成为GPU等计算芯片释放性能的关键支撑，而HBM4E样品的首次公开亮相，也被视为下一轮HBM技术竞争的重要信号。 查看评论
小米发了一个耳夹式耳机，不知道佩戴是否属实，有佬们线下体验过了吗，看单颗的重量是 5.55g，不知道是什么水平。之前试过 huawei clip 2，觉得音质没有 bose ultra好，但是 bose ultra 佩戴又不是很舒服。oppo 的没试过，有都试过的佬吗，想听听你们的感受。 5 个帖子 - 4 位参与者 阅读完整话题
IT之家 5 月 17 日消息，据科技日报今日报道，近期，国内首套单颗粒含能材料悬浮燃烧实验装置建成并顺利 通过国家重大科研仪器研制项目结题验收 。这意味着我国在含能材料燃烧基础特性和科学问题研究方面具备了安全、精准的实验手段。 所谓含能材料，是指在外部刺激下，在极短时间内迅速释放大量能量并对外做功的物质， 如火炸药、烟火剂、火箭推进剂等 。含能材料燃烧常见于火箭推进、枪炮弹丸发射、焰火表演等过程中。此前，学界对含能材料燃烧研究仅停留在宏观层面，即对众多颗粒集群的氧化燃烧过程进行研究，缺少针对单个颗粒微观燃烧的实验装置。而单颗粒燃烧研究可以消除颗粒 — 颗粒间相互干扰，是理解复杂工况环境下含能材料燃烧的基础。 此次建成的实验装置实现了无损稳定悬浮、可靠点火及多参量原位高分辨观测等 多项技术突破 。研究团队将激光做成一把“镊子”，毫发无损地“夹”起一颗含能材料，让这颗比头发丝直径还要小的“小球”稳稳悬浮在空中，再利用另一束激光蕴含的能量将之点燃。最后，研究团队为实验装置安上了多种观测仪器，多方位展现“小球”燃烧的直观景象、温度变化和反应产物等，为研究人员提供多角度、多参量的关键数据。 据悉，该实验装置由西安近代化学研究所联合 杭州电子科技大学、复旦大学 共同研制而成。依托该装置，研究团队在含能材料燃烧特性测量和燃烧机理揭示方面已取得系列重要成果。今后，研究团队将持续深耕基础研究领域，不断提升先进实验装置研制和应用能力，为我国含能材料行业高质量发展提供更加有力的技术支撑。 IT之家注： 国家重大科研仪器研制项目 面向科学前沿和国家需求 ，以科学目标为导向，资助对促进科学发展、探索自然规律和开拓研究领域具有重要作用的原创性科研仪器与核心部件的研制，以提升我国的原始创新能力。国家重大科研仪器研制项目包括部门推荐和自由申请两个亚类。2025 年共资助国家重大科研仪器研制项目 74 项，直接费用约 8.5 亿元。
IT之家 4 月 21 日消息，半导体制造设备供应商 TOKYO ELECTRON (TEL) 当地时间本月 16 日宣布推出面向切割后单颗芯片测试的芯片探针台 Prexa SDP。 这款设备面向 2.5D / 3D 异构集成流程中的封装前 KGD （IT之家注：已知良品芯片） 筛选工序， 可与传统的晶圆级测试设备一道为先进封装的生产良率提供保障 。 Prexa SDP 搭载 TEL 自研高发热芯片专用温控技术，配备高散热性能及支持高精度主动温控的热控头，可稳定应对高功耗芯片，确保芯片可靠传输与精准 KGD 筛选。 TEL 后道事业部总经理佐藤阳平表示： 对于采用先进封装技术来提升最终良率的半导体产品而言，测试环节比以往任何时候都显得更为重要。此次推出的 Prexa SDP，整合了 TEL 深耕多年的晶圆探针台技术与自研的温控技术，能够满足先进封装制程所需的高测试品质与设备稳定性测试需求。未来我们将持续推进创新性的技术研发，来满足客户的实际需求。
IT之家 4 月 15 日消息，科技媒体 TechPowerUp 昨日（4 月 14 日）发布博文， 报道称三星已开始向其客户供应速率为 36 Gbps 的 GDDR7 显存样品，单颗容量达 24 Gb，即 3GB。 消息称三星目前也在量产 28 Gbps 的 3GB 显存模块，后者将成为市场主流选择；而 32 Gbps 与 36 Gbps 高速版本可能仅限于专业级显卡使用。 对于消费级市场，此前有消息称英伟达会在 2026 年第 2 季度更新推出三款 SUPER 系列显卡，涵盖 RTX 5070 SUPER、RTX 5070 Ti SUPER 及 RTX 5080 SUPER，最大的亮点是为满足高分辨率游戏与 AI 计算需求， 显存容量比非 SUPER 版本增加 50%。 IT之家附上相关预估规格如下：