今日美股盘前，存储芯片板块集体反弹，美光科技涨5%，闪迪、希捷科技涨超2%，西部数据涨超3%，佬们，明天a酱会反弹吗 14 个帖子 - 12 位参与者 阅读完整话题
据央视财经报道，近期国内车市走势分化明显，新能源车型受上游供应链涨价影响陆续调价，燃油车却持续降价放利、加大优惠，市场呈现冰火两重天的格局。 行业数据显示，近三个月车规级存储芯片价格暴涨180%，智能驾驶硬件成本大幅抬升，成为新能源车调价的关键诱因。 北京多家新能源门店不少车型官方售价暂时未变，但高阶智驾选装包悄然涨价，原先9900元的激光辅助驾驶选配，现已上调至12000元；搭载两颗图灵芯片选装费用1.2万元，三颗芯片选配价格达到2万元。 目前已有十余家新能源车企上调终端售价或是缩减购车优惠，调价区间集中在2000元至6000元，多数新款换代车型定价高于前代产品，但即便涨价，看重智能驾驶的年轻刚需消费者依旧愿意买单。 除芯片外，动力电池原材料同步涨价，今年1至5月碳酸锂从每吨12万元突破20万元大关，一台50度电的新能源车，仅电池成本就增加2500至3000元，国内电池企业通过研发新型电池、优化采购模式、升级生产工艺等方式对冲成本压力。 报道指出，此前持续的价格战压缩车企利润，全产业链成本上行后，车企借调价修复盈利空间，保障后续技术研发投入。 和新能源截然不同， 燃油车开启降价促销模式，优惠力度连续九个月保持高位，自主品牌燃油车优惠幅度18.6%，合资车型达22.4% 。 多款车型直降3至6万元，叠加置换补贴、购车福利，部分B级家用车价格下探至13万区间，不少消费者趁低价选购燃油车与混动车型，门店客流与成交量较一季度稳步上涨。 查看评论
IT之家 6 月 6 日消息，国内新能源汽车市场近期迎来一波较为集中的价格调整，多款车型出现了售价上调或终端优惠收紧的情况。据央视今日报道，这一轮价格变动的背后，有着明确的成本推动因素 —— 车规级存储芯片价格在过去三个月内经历了罕见的暴涨。 据央视财经报道，近三个月，车规级存储芯片整体价格涨幅约在 180%。据不完全统计，近期国内共有十余家新能源车企上调售价或收紧优惠，幅度一般在 2000 元到 6000 元不等。 事实上，汽车产业链对存储芯片涨价的预警早已有之。蔚来李斌 1 月曾表示，今年最大的成本压力是内存涨价，这是全行业共同的难题；理想汽车供应链副总裁孟庆鹏也预测，2026 年汽车行业存储芯片的供应满足率可能不足 50%。 值得注意的是，同样在当前的汽车消费市场，燃油车与新能源车的价格走势出现了明显分化。当新能源车型因芯片等成本压力而纷纷上调售价之际，燃油车市场却仍在持续加大优惠力度。 IT之家注意到，乘联会数据显示，截至今年 4 月，燃油车促销力度已连续 9 个月维持在 23% 左右的高位。然而，大幅降价并未有效拉动燃油车销量 ——4 月燃油车零售量同比下滑 37% 至约 53 万辆，市场正经历剧烈的结构调整。 相关阅读： 《 比亚迪旗下王朝、海洋、方程豹部分车型，选装天神之眼 B 辅助驾驶激光版价格由 0.99 万上调为 1.2 万元 》
IT之家 6 月 4 日消息，据路透社报道，全球第一大晶圆代工厂台积电的 CEO 魏哲家今日表示，受人工智能产业热潮带动，算力与先进半导体需求旺盛，台积电对未来数年业绩增长抱有信心。 魏哲家在新竹举办的台积电年度股东大会上发言称，尽管公司持续关注零部件涨价带来的成本影响，但客户对人工智能行业前景依旧保持乐观。 IT之家注意到，被问及台积电是否会向客户上调产品报价时，魏哲家表示：“涨价我当然愿意，企业终究需要盈利。 但我们不会效仿存储芯片厂商骤然大幅提价 ，这种涨价模式无法长久维系。台积电立足长期稳健经营，不会采取短期暴涨定价的经营方式。” 他透露，台积电正全力配合满足客户订单需求， 不过在美国设厂要完全满足美国客户的需求还需要“非常长的时间” ，他并未具体说明时间框架。台积电计划斥资 1650 亿美元（IT之家注：现汇率约合 1.12 万亿元人民币）在美国亚利桑那州新建多座晶圆工厂。 魏哲家介绍，台积电过去一年经营表现亮眼，截至本周三，公司股价从去年 6 月 3 日的 950 新台币涨至 2425 新台币；周四该股跟随大盘基准指数小幅下跌约 1%。 针对韩国三星上月为避免罢工与工会敲定薪酬协议、当地近期频发劳资薪资矛盾一事，台积电表态将切实保障全体员工权益。 “2023 至 2024 财年，员工分红涨幅约 30%，2024 至 2025 财年分红再度同比提升约 30%，我们预计 2026 年员工分红仍能实现 30% 的增幅。”魏哲家称，“这样的分红水平足以回馈员工付出，且员工分红 30% 的年度增长没有上限，未来还会随企业营收持续走高。” 此番表态折射出，在 AI 空前红利下实现业绩暴涨的全球头部科技企业，正面临越来越大的利润分红压力。 谈及长远布局， 魏哲家将自动驾驶视作企业长线增长赛道，同时公司也将发力布局机器人产业化落地 。他补充， 台湾地区是台积电生产效率最高的制造基地 ，汇聚集团顶尖研发人才、核心研发部门与全球最大产能厂区。 台积电在 4 月上调全年营收预期，并宣布加码本年度资本开支，以此应对持续高涨的产品采购需求。
美国存储芯片巨头美光（Micron）近日宣布，其位于弗吉尼亚州马纳萨斯（Manassas）的晶圆厂正式导入1α（1-alpha）节点DRAM制造工艺，被称为“美国本土迄今生产的最先进DRAM技术”。这一节点基于第四代10纳米级工艺，相比上一代1z节点可将存储密度提升约40%，旨在显著增强工业级内存芯片的性能与容量。 美光表示，此次1α技术“回流”美国，属于公司扩大本土制造能力的重要一步，将在马纳萨斯工厂用于扩大DDR4晶圆的生产规模。尽管美光已经在全球其他地区应用该工艺，但这是首次在美国国内大规模导入这一先进DRAM制造节点。 与消费者预期不同的是，这批采用1α工艺的DRAM并非针对PC市场，而是优先满足汽车、国防与航空航天、工业设备、网络设备以及医疗器械等行业客户的需求。美光未将PC厂商列入这一产能扩张的主要受益对象，意味着此次工艺升级更多是为关键基础设施和垂直行业提供长生命周期、高可靠性的内存产品。 马纳萨斯工厂在美光全球布局中具有特殊战略地位。官方信息显示，该厂专注于300毫米NAND、DRAM和NOR产品，约有一半在美国道路上行驶的汽车使用了在此生产的芯片，工厂产量约占全球存储器产能的2%。此次导入1α节点，被视为增强美国汽车供应链安全与稳定性的关键举措。 根据美光规划，1α技术将在支撑美国关键产业方面发挥长期作用，与公司在爱达荷州博伊西和纽约州克莱的其他基地形成制造能力互补。美光预计将在2026年底前实现1α DRAM在马纳萨斯工厂的“合格量产”，届时该厂的DDR4晶圆产能将实现四倍提升，完成约20亿美元投资目标。 在更宏观的层面，美光据称正在美国境内投资高达2000亿美元，以重塑其在本土存储制造中的竞争优势。这一庞大投资规模包括来自美国联邦层面的支持，例如《芯片与科学法案》（CHIPS and Science Act）提供的补贴与激励，因此美光在弗吉尼亚的庆祝活动也邀请了州及联邦层面的官员出席。 与部分科技巨头对未来美国AI数据中心的“前瞻性”规划不同，美光此次制造扩张被认为更具直接与可见的经济影响。公司预期，通过在弗吉尼亚、爱达荷和纽约的项目，美光将累计为美国创造约9万个就业岗位，并计划投入3.25亿美元用于劳动力培训，与社区学院和大学建立合作，培养本土半导体人才。 从产业层面看，美光在美国导入1α DRAM工艺并扩大本土产能，既是对日益增长的汽车、国防和工业市场内存需求的回应，也与美国推进半导体供应链回流的政策方向高度契合。这意味着未来相当部分关键行业所依赖的内存产品，将在美国本土以更先进的工艺制造，从而在技术、供应安全和就业层面产生多重效应。 查看评论
美光周二市值首次突破1万亿美元大关，该公司经历了一轮迅猛上涨，巩固了其作为美国最大存储芯片制造商在人工智能（AI）热潮中的突出赢家之一的地位。美光股价最新上涨18%，报886.6美元，创纪录新高。 此前，瑞银将其目标价从535美元大幅上调至1625美元，根据伦敦证交所集团（LSEG）的数据，这是追踪该公司的46家券商中给出的最高目标价。 这一里程碑不仅凸显了存储芯片在AI基础设施中的核心地位，也反映了AI投资领域的更广泛转变：在最初蜂拥投资图形处理器制造商之后，投资者开始寻找能够从科技巨头巨额支出计划中受益的公司。 全球最大存储芯片制造商韩国三星电子已经突破1万亿美元市值，SK海力士也逼近这一水平。 英伟达主要生产用于训练和运行AI模型的高性能处理器，而美光则主要生产用于数据存储与传输的存储芯片。 美光股票长期以来被视为半导体行业中周期性较强的代表之一，该股在过去12个月中已上涨逾八倍，得益于强劲的业绩以及供应链限制带来的定价能力。 美光此前表示，其2026年全部高带宽存储器（HBM）芯片供应已售罄，这表明需求远超产能。其下一代HBM4产品目前已投入生产。 根据监管文件，该公司在今年第一季度已成为机构投资者最青睐的标的之一。约有2440家机构新建仓位，其中包括洛克菲勒资本管理公司和施罗德。 美光未来12个月预期市盈率为8.42倍，指标标普500指数为22.15倍，纳斯达克100指数为26.23倍。 查看评论
美国存储芯片巨头美光（Micron）预计，高带宽存储（HBM）、DRAM 和 NAND 闪存等关键产品的供需紧张局面，将持续到 2026 年之后。该观点由投行摩根大通在一份研报中披露，内容源自美光管理层在美国波士顿举行的第 54 届摩根大通全球科技、媒体与通信大会（TMC）上的发言。 摩根大通在研报中写道，美光在大会上表示，由于高性能存储芯片可以显著提升人工智能模型的算力表现，市场对相关产品的需求持续高涨，预计整个存储市场的“紧俏”状况会一直延续到 2026 年之后。与此同时，HBM、DRAM 与 NAND 等产品的产能扩张存在客观难度，这也将放大并拉长供需失衡的周期。 多重因素正在共同推高这一轮存储紧缺。首先，新一代存储芯片在性能上的“代际提升幅度”正在放缓，意味着客户需要堆叠更多芯片或采用更高规格产品，才能获得同等水平的性能增量。其次，新一代 HBM 芯片采用更大的晶圆面积（die size），在固定晶圆产能下，可切割出的芯片数量相对减少，进一步压缩了有效供应。此外，极紫外光刻（EUV）正加速进入最新一代 DRAM 制造工艺，在提升制程能力的同时，也对产线建设与良率爬坡提出更高要求。 在本次会议上，美光还披露了关于 HBM4 生产节奏的关键信息。公司管理层称，受 AI 应用爆发式增长推动，其 1-gamma 工艺节点有望成为公司历史上出货晶圆量最大的 DRAM 节点。HBM 存储通常以多层堆叠的 DRAM 模组为基础，并与 AI GPU 等高性能芯片封装在一起，这使得先进 DRAM 工艺在 AI 时代的重要性进一步凸显。美光同时表示，正在持续将 EUV 光刻深度导入 1-gamma 节点的量产之中。 在产能爬坡方面，美光指出，受强劲 AI 需求驱动，HBM4 的产能提升速度正以约两倍于上一代 HBM3 的节奏推进。公司预计，下一代 HBM4E 将在 2027 年开启量产爬坡，首批样品将基于 1-gamma 工艺节点所生产的 DRAM 芯片。这一时间表显示，美光正试图在后续几代 AI 加速芯片平台中，提前锁定高带宽存储的技术与产能优势。 除高带宽存储外，美光还提到，随着 AI 模型“上下文窗口”持续扩展，以及推理工作负载不断增长，公司在固态硬盘（SSD）市场的份额也有所提升。美光强调，正与主要客户紧密协同研发，为其特定应用场景定制产品，而非简单提供标准化的“现货型”存储解决方案。这种更深度的合作模式，有望在未来几年内进一步稳固其在 AI 存储生态中的地位。 摩根大通在报告中表示，在听取美光管理层的最新表态后，该行更加确信 AI 存储赛道存在“多年度牛市”的投资逻辑。在高性能计算、数据中心与 AI 加速芯片的集中拉动下，HBM、DRAM 与 NAND 的结构性供需紧张，可能会成为 2026 年之后存储行业定价与盈利能力的核心支撑因素。 查看评论
本轮存储芯片的疯狂涨价潮，让一众手机厂商都背负了不小的成本压力，其中受到冲击最严重的还要属整个Android阵营。 全球知名市场调研机构Omdia发布的最新研究报告显示，2026年第一季度东南亚智能手机市场总出货量为2160万部，和去年同期相比同比下滑9%，整体大盘走势偏冷。 不过当前东南亚市场最值得行业关注的并非出货量的小幅下滑，而是智能手机平均售价的反常走高趋势。 受存储芯片采购成本持续暴涨的直接影响，2026年第一季度东南亚智能手机市场平均售价达到349美元，创下了该区域市场的历史新高，同比涨幅高达19%。 分厂商的市场份额排行数据显示，三星以460万部的出货量拿下21%的市场份额，稳居东南亚市场第一位，同比还实现了4%的逆势增长。 OPPO以420万部的出货量排在第二位，出货量同比下滑17%；小米位列第三，第一季度总出货370万部，和去年同期相比下滑12%。 除了东南亚区域市场之外，中国、美国等全球主流的智能手机市场都在上演几乎完全相同的涨价剧情，面对终端手机产品的集体价格上浮，大量原本有换机计划的用户直接选择推迟了换机周期，全球手机大盘的复苏节奏也因此受到明显拖累。 查看评论
韩国存储芯片供应链在一连串紧张事态后，暂时从潜在危机边缘被拉了回来。 韩国法院近日对三星电子工会筹划中的大罢工发布部分禁令，叠加政府方面公开释放将动用“紧急仲裁权”的强硬信号，使这场原本可能重创全球内存供应的劳资对峙突然降温。 近期，三星电子工会提出，要求公司向员工发放相当于年度营业利润15%、约300亿美元规模的奖金，否则将自5月21日起发起长达18天的罢工行动，一直持续到6月7日。 市场机构KB证券评估，若仅有约三到四成工会成员参与停工，全球DRAM供应或将减少3%至4%，NAND闪存供应或下降2%至3%，冲击将直接传导到全球半导体和整机厂商。 这场薪酬争议发生之际，全球DRAM库存已处在相对吃紧水平，仅能覆盖约四到六周需求，令业界对罢工风险格外敏感。 在罢工预期升温的过程中，下游价格已有所反映。 报道援引深圳华强北市场的报价称，一条典型的8GB DDR4内存条在过去一周已累计涨价约20%，原因既包括三星与工会谈判破裂带来的恐慌情绪，也与此前记忆体大厂在一季度财报中披露的价格大涨趋势相呼应。 市场研究机构数据显示，2026年一季度，三星和SK海力士均确认了内存产品平均售价大幅上行的走势，前者一季度存储产品平均售价较2025年全年均价上涨逾一倍，后者DRAM季度均价环比涨幅也达到中双位数区间。 在此背景下，事态在韩国国内迅速演变为一场牵动政府高层的政治与经济议题。 韩国总理公开表示，现任政府正在考虑动用法律中的“紧急仲裁权”，这一罕见工具一旦启用，可以在最多30天内强制中止罢工行动，以维护被视作国家关键产业的正常运转。 同时，法院方面对工会发起的罢工计划发出部分禁令，若工会不遵守裁定，将面临每日1亿韩元（约合6.65万美元）的罚款压力，客观上抬高了工会持续对抗的成本。 韩国本土媒体与社交平台上的信息显示，有观察人士直言，此次法院对所谓“非法罢工”部分支持资方的诉求，“实际上使大罢工几乎无从执行”。 与此同时，政府释放可能“全力出手”的信号，被视为此轮博弈中逼迫工会回到谈判桌的重要筹码。 在法律和行政双重高压之下，这场原本被外界视作可能演变为“半导体版总罢工”的行动，骤然失去了最初的动员势头。 在强硬信号的另一端，三星管理层也开始对谈判策略做出调整，以缓和矛盾并争取时间。 报道指出，公司已同意更换此前被工会批评“缺乏半导体理解”的首席谈判代表——副总裁金亨镐，由来自设备解决方案（DS）事业群人力团队的尹明求接手这一角色。 工会方面此前将更换谈判代表作为重启对话的前提条件之一，如今这一条件得到满足，为恢复谈判扫清了重要障碍。 双方最新进展显示，工会与管理层已经重启协商，希望在法院禁令与政府可能的紧急仲裁介入之前，找到一套劳资双方都能接受的奖金与待遇方案，从而避免事态进一步升级。 对于高度依赖三星、SK海力士等韩系厂商的全球存储供应链而言，这意味着短期内最为激烈的停工情景发生概率明显下降，市场参与者也因此得以“暂时松一口气”。 不过，在奖金金额、分配机制以及未来劳资关系框架等核心问题上，双方仍存在不小分歧，这场风波的最终走向仍有待后续谈判结果验证。 从更宏观的角度看，此轮冲突暴露出在高景气周期中，劳动者对于分享企业利润、缩小薪酬差距的期待与大型科技企业资本开支、全球扩张等长期战略之间的矛盾。 在存储价格已大幅上涨、行业盈利显著修复的背景下，三星工会索要“营业利润15%作为奖金”的诉求及其所引发的社会讨论，可能会对韩国乃至全球半导体产业在未来的薪酬与劳资谈判模式产生示范效应。 对全球市场而言，这场罢工风波虽暂时缓和，却再次凸显出关键零部件高度集中于少数供应商、以及单一地区产能对于终端价格与供应链安全的巨大影响力。 查看评论
三星电子工会发生谈判破裂，5.3万工人计划5月21日起罢工18天！核心矛盾聚焦奖金分配：工會要求营业利润15%分红并取消上限，公司只愿给10%。驻韩美国商会 称若罢工成真，可能冲击全球芯片供应，推高存储芯 片价格，三星競爭對手美光、SK海力士等或成为最大赢家。关于罢工的法院裁定將於20日爐，市場等待結 果。 6 个帖子 - 5 位参与者 阅读完整话题
IT之家 5 月 12 日消息，掌控三星集团的李氏家族四名成员，如今跻身韩国富豪榜前四，这也是韩国首次出现身家最高的四位亿万富豪均来自同一家族的情况。作为家族核心资产的三星电子，受人工智能领域存储芯片需求激增推动，其股价在过去一个月暴涨 40%。 据《福布斯》实时亿万富豪榜单显示，韩国首富、三星电子会长李在镕目前身家达 340 亿美元（IT之家注：现汇率约合 2315.18 亿元人民币），较 3 月末韩国 50 大富豪榜单最终核定身家增加了 124 亿美元（现汇率约合 844.36 亿元人民币）。他的两位妹妹李富真（身家 124 亿美元）、李叙显（身家 120 亿美元）以及母亲洪罗喜（身家 112 亿美元），分别位列韩国富豪第二、第三、第四名。李富真担任新罗酒店总裁兼首席执行官，新罗酒店是首尔顶级酒店及会议中心之一；李叙显出任三星物产战略规划总裁，三星物产是三星集团实质上的控股公司；洪罗喜在 2017 年辞职前，曾担任三星美术馆（Leeum）与湖岩美术馆馆长。 李氏家族的绝大部分财富来源于三星电子股票，该股过去一年涨幅高达四倍。三星电子是全球营收规模最大的人工智能专用存储芯片制造商，其高带宽内存（HBM）被广泛应用于英伟达、超威半导体、字母表等企业的人工智能芯片。三星电子的通用存储芯片同样需求旺盛。例如，用于固态硬盘长期存储的 NAND 闪存，被大量部署在数据中心，用以承载人工智能所需的海量数据集。 上周，三星电子市值突破 1 万亿美元（现汇率约合 6.81 万亿元人民币），成为继芯片巨头台积电之后，亚洲第二家跻身万亿市值俱乐部的企业。上个月，三星发布财报，芯片业务助力公司创下季度营收和利润新高。其一季度营收同比增长 69%，达 133.9 万亿韩元（现汇率约合 6230.37 亿元人民币）；营业利润飙升 756%，至 57.2 万亿韩元（现汇率约合 2661.52 亿元人民币）。 巴克莱银行分析师在近期研报中表示，预计三星今年高带宽内存（HBM）营收将增至原来的三倍。分析师补充称：“目前供需失衡局面暂无短期改善迹象，且 2027 年数据中心架构将大幅提升存储芯片搭载量。我们认为，即便新增产能持续投产，今明两年也难以实质性填补供需缺口。” 李在镕的父亲李健熙于 2020 年离世，享年 78 岁，给家人留下了韩国历史上数额最大的遗产税账单之一。李健熙的父亲李秉喆于 1938 年创立三星，最初为一家贸易公司，随后迅速发展为业务遍布食品、纺织、电子等多个领域的庞大商业帝国。
IT之家 4 月 29 日消息，集邦咨询 Trendforce 昨日（4 月 28 日）发布博文，报道称三星退出 LPDDR4、LPDDR4X 和 MLC NAND 等存储业务后， 旺宏电子（Macronix）等存储厂商获得补位机会。 IT之家援引博文介绍，三星近期退出低端 NAND 和 DRAM 业务，把产能转向利润更高的 LPDDR5/X 与高端 NAND 市场。 受此影响，入门级平台所需的 LPDDR4、LPDDR4X、MLC NAND 供应短暂收紧，旺宏电子等存储厂商开始接住空出的订单。 MLC NAND 是一种每个存储单元保存 2 bit 数据的 NAND Flash。相比 SLC NAND，MLC NAND 单位容量成本更低，但写入寿命和可靠性弱一些；相比 TLC、QLC，它的耐用性通常更好，适合对成本、容量和寿命都有要求的设备。 2026 年第 1 季度旺宏电子的 MLC NAND 收入占比从 21% 升至 30%，环比增长 90%，同比增长 382%。 这意味着三星停产 MLC NAND Flash 后，客户快速转向仍保留成熟产品线的供应商。 与此同时，旺宏电子的 NOR Flash 收入占比降至 58%，但 NAND 相关业务增速更快。据《工商时报》消息，旺宏电子是 4Gb 至 32Gb 容量段的重要供应商，强需求还带动 eMMC 收入环比升至 94%，同比接近 40 倍。对低成本设备来说，这类容量足以覆盖路由器、机顶盒、工控设备和入门级终端。 供应紧张也推高价格。NAND Flash 仍处在供给偏紧状态，旺宏电子已上调 SLC NAND 和 NOR Flash 产品价格。 业内预计，到 2026 年第 2 季度，NOR 与 SLC NAND 合约价可能上涨 100%。对下游厂商来说，成熟存储不再只是低价配件，而会直接影响整机成本。 NOR Flash 是一种支持随机读取的非易失性存储器，断电后仍能保存数据。它的读取延迟低，适合存放启动代码、固件和设备配置，因此常用于路由器、汽车电子、工控设备和物联网终端。 从产能规划看，旺宏电子目前量产 96 层 3D NAND，192 层 NAND 已接近就绪，300 层以上产品仍在开发。相比三星等大厂把产线投向 AI 服务器所需的高端 DRAM 和 NAND，旺宏电子等厂商反而在成熟市场获得空间。 三星 MLC NAND 相关配图 相关阅读： 《 旺宏：eMMC 严重供不应求，2026Q1 相关营收超去年 40 倍 》
数以万计的三星电子员工本周四在韩国平泽园区集会示威，释放信号称已准备于下月发起一场为期 18 天的罢工，这场围绕薪酬分配的劳资冲突被认为可能进一步恶化全球存储芯片供应紧张局面。工会方面要求三星取消现行绩效奖金上限，并将公司营业利润的 15% 直接分配给员工，但三星至今未同意这一诉求，谈判陷入僵局，公司一边在谈判桌上周旋，一边通过法律途径与工会对簿公堂。 这一纠纷发生的时间点，对三星而言尤为不利。在生成式人工智能热潮推动下，全球存储芯片正经历新一轮供不应求，三星、SK 海力士和美光三大厂商正全力追赶来自 AI 数据中心的旺盛需求，并将更多产能从传统消费业务转向高带宽存储芯片，因为相关产品利润率更高。业内预估，2026 年全球约 70% 的高端存储芯片将被数据中心抢走，留给普通消费市场的份额进一步收缩，自 2025 年初以来，DRAM 等常规存储芯片价格已大幅上涨。 此次工会与公司之间的矛盾，核心在于奖金和分配机制。与竞争对手相比，三星正面临越来越大的薪酬压力：有报道称，竞争对手 SK 海力士计划最早在明年年初向其约 3.5 万名员工发放人均约 40 万美元的巨额奖金。当地媒体称，三星已向其存储芯片部门员工提出一揽子补偿方案，名义上超过竞争对手的水平，但仍遭工会拒绝。三星方面在稿件刊发前没有回应置评请求。 三星长期以来一直被视为韩国最具吸引力的雇主之一，如今“奖金差距”开始削弱这一传统优势。值得注意的是，并非所有到场的人员都站在工会一边，一些股东在集会对面聚集，指责工人选择在公司关键时刻“拆台”，担心罢工将损害企业业绩和长期竞争力。 在全球产业链高度联动的背景下，三星电子一旦在下月真的出现超过 3.5 万名员工参与的罢工行动，其影响将远远超出韩国本土。分析人士指出，如果三星存储产线因罢工被迫减产或停产，将会进一步推高本已紧张的存储芯片价格，尤其是为 AI 数据中心和高端服务器提供的高带宽内存产品，从硅谷到全球云计算运营商都可能感受到“余震”。 目前，三星、SK 海力士和美光为满足 AI 需求，已优先保证高端产品的产能，传统 PC、手机等消费电子业务被迫“让路”。在这一背景下，三星劳资纠纷被视为叠加在原有供需失衡之上的新变量，令市场对未来数月乃至一年内的存储芯片供应预期更加谨慎。对于依赖大量内存芯片的 AI 初创公司、大型科技平台以及硬件制造商而言，三星这场尚未真正开打的罢工，已经成为绕不开的新风险因素。 查看评论
英伟达的供应商SK海力士公布了创纪录的业绩，受AI存储芯片需求激增的推动，该公司第一财季净利润增加近四倍。这家全球第二大存储芯片制造商继续加大投资以提高产能，旨在利用AI推动的行业繁荣。 这家韩国公司周四表示，在截至3月份的三个月里，其净利润达到创纪录的40.346万亿韩元（相当于272.8亿美元）。该数字较上年同期增长398%。 这一业绩远高于市场预期。FactSet汇编的分析师平均预期为28.109万亿韩元。 营收也创下纪录，较上年同期增至三倍，达到52.576万亿韩元，营业利润也因此创下37.610万亿韩元的纪录。 该公司表示，其当季营业利润率达到了创纪录的72%。 今年以来，该公司股价已飙升近90%，反映出投资者对SK海力士增长前景的乐观情绪。多数分析师预计，该公司有望在2026年实现创纪录的年度收益。 SK海力士在发布财报前表示，将追加投资19万亿韩元，在韩国清州新建一座先进的芯片封装厂，工程定于本月开工。该公司已在美国印第安纳州建设芯片封装设施。该公司在一份监管文件中表示，这项投资旨在满足全球对AI存储芯片日益增长的需求。 另外，该公司正在首尔以南的龙仁建设一个庞大的半导体制造中心，估计投资额为600万亿韩元。今年2月，该公司宣布为该基地的四家芯片制造厂中的第一家追加投资22万亿韩元，使其在该地的初步投资承诺达到31万亿韩元。 上个月，SK海力士公布了一项计划，将在2027年底前从荷兰芯片制造设备巨头阿斯麦（ASML）购买价值约80亿美元的极紫外光（EUV）设备，以支持下一代芯片的量产。 查看评论
美国最大存储芯片制造商美光科技正积极推动国会通过立法，对中国竞争对手用于生产芯片的设备实施新的出口限制，据知情人士透露。 4月22日，美国众议院一个委员会启动审议并表决所谓“MATCH法案”的会议，该法案旨在弥补现有对华芯片制造设备出口管制中的漏洞，并向向中国芯片厂供应设备的外国企业施压，使其与美国企业所受限制保持一致，涉及美国设备商科磊研究、应用材料等。 法案点名针对中国的长鑫存储、长江存储以及中芯国际等企业运营的相关工厂，并覆盖中国境内的关键技术能力。 美光方面在与立法者沟通时表示，华盛顿需要采取更有力的措施抑制中国在存储芯片市场的发展，以避免中国像在太阳能等产业那样取得主导地位，并将此上升到国家安全层面。 美光以及长鑫存储、长江存储和中芯国际均未就此置评。 目前，韩国的三星电子和SK海力士在全球存储芯片市场处于主导地位，美光位列第三，也是唯一一家主要的美国存储芯片供应商。 尽管美国商务部此前已对长江存储和长鑫存储实施出口限制，其中长江存储自2022年起被列入受限贸易清单、长鑫存储的先进产线亦受管制，但两家公司仍在快速扩张。 按照当前文本，MATCH法案将进一步限制更多生产设备向中国出口，包括在中国境内全面收紧对深紫外浸没光刻机的供应，这一市场目前主要由荷兰阿斯麦占据。 法案还将要求阿斯麦等外国企业在为受管制工厂提供设备维护和服务时必须获得许可。 知情人士称，美光代表在法案起草过程中全程参与，与国会议员保持密切沟通；约在一个月前，美光首席执行官梅罗特拉曾与众议院外交事务委员会成员举行闭门圆桌会议，并在上月与参议院银行委员会共和党议员举行了类似交流。 美光总部位于爱达荷州博伊西，目前正在纽约州建设一座大型芯片制造基地。 另有消息人士透露，包括东京电子以及美国设备厂商科磊研究、应用材料和科磊公司（KLA）在内的其他行业企业，也在就该法案积极游说，这些企业因出口管制而损失了部分对华销售。 本月，美国商务部还公布了阿斯麦首席执行官与美国商务部长霍华德·勒特尼克会面的照片，显示美国政府正与关键设备供应商保持高层对话。 MATCH法案只是众议院外交事务委员会当天安排表决的一揽子出口管制相关议案之一，其他议案涉及商务部的许可流程、部门间协调机制、“实体清单”的运作、执法以及处罚安排等。 该委员会一名工作人员将这一系列法案形容为自2018年《出口管制改革法》以来在该领域最大规模的立法行动。 曾在负责出口管制的美国商务部工业与安全局任职、现就职于华盛顿战略与国际研究中心的科伦表示，这些法案传递出国会对工业与安全局领导层不满的信息。 她指出，“过去一年，国会内似乎形成了相当强烈的跨党派共识，认为工业与安全局并未真正履行好应有职能。” 路透社此前报道，该局近年来内部运作混乱，在与中国进行贸易缓和谈判期间，暂停出台新的限制措施，导致数千项出口审批停滞。 工业与安全局发言人暂未回应置评请求。 即便MATCH法案和其他相关议案在众议院委员会层面获得通过，它们距离最终成为法律仍有不少关口需要跨越。 参议院已提出相应配套法案，后续这些内容可能被纳入年度《国防授权法案》的修正案之中一并审议。 查看评论
IT之家 4 月 21 日消息，据 Korea JoongAng Daily 报道，人工智能芯片超级周期为韩国两大存储芯片制造商带来了巨额利润，SK 海力士员工今年人均奖金或将达到约 7 亿韩元（IT之家注：现汇率约合 325.9 万元人民币），明年更是有望接近 13 亿韩元（现汇率约合 605.1 万元人民币）。与此同时，三星电子工会拒绝了管理层的薪酬方案，威胁将于 5 月 21 日至 6 月 7 日举行总罢工。 SK 海力士已于去年 9 月取消原有的奖金上限，承诺将年度营业利润的 10% 直接作为绩效奖金发放给员工。分析师预计，该公司 2026 年营业利润约为 250 万亿韩元（现汇率约合 1.16 万亿元人民币），据此计算，25 万亿韩元的奖金池将由约 3.5 万名员工分享。据悉，公司今年 2 月已向员工发放人均约 1.4 亿韩元（现汇率约合 65.2 万元人民币）的利润分红。 三星的情况则没有这么乐观，围绕利润分配比例的争议持续发酵。工会要求将营业利润的 15% 用于员工分红，市场分析师预计三星今年营业利润约为 298 万亿韩元（现汇率约合 1.39 万亿元人民币）。若按此比例，仅半导体部门 7.7 万名员工，人均即可获得约 5.8 亿韩元（现汇率约合 270 万元人民币）奖金。 三星管理层提出效仿 SK 海力士，拿出 10% 的利润作为分红，但该方案遭工会拒绝。工会计划于 4 月 23 日在三星平泽芯片工厂举行大规模集会。三星电子已于上周四向法院申请禁令，要求阻止罢工期间所谓的“非法活动”。据 Korea Herald 消息，三星工会主席崔承浩表示，过去四个月已有约 200 名员工跳槽至 SK 海力士。 如此高额的奖金发放规模，与近年境况形成巨大反差。2023 年存储芯片市场低迷，三星芯片部门全年营业亏损，2024 年未发放任何绩效奖金；同期 SK 海力士的奖金比例也大幅缩水。此次行业回暖，几乎完全得益于高带宽内存（HBM）及其他人工智能专用存储产品需求的暴涨。 SK 海力士与三星员工的巨额潜在奖金在韩国引发了罕见的公众反对声浪。匿名职场论坛 Blind 上有网友发帖称，受益于国家基础设施投入及《K-芯片法案》20% 税收抵免政策的企业，应更广泛地分享利润。据估算，两家公司过去两年累计获得的税收优惠总额约 20 万亿韩元（现汇率约合 931 亿元人民币）。 展望未来，员工奖金有望进一步攀升。投资银行麦格理预测，SK 海力士明年营业利润将达到 447 万亿韩元（现汇率约合 2.08 万亿元人民币）。按照现行 10% 的利润分红协议，员工人均奖金将突破 10 亿韩元（现汇率约合 465.5 万元人民币）。
随着行业对逻辑芯片和存储芯片的需求持续旺盛，ASML继续加大对人工智能驱动型基础设施的投资。ASML表示，在可预见的未来，先进逻辑和存储芯片的供应仍将受到限制。 在 2026 年第一季度财报电话会议上，ASML 总裁兼首席执行官 Christophe Fouqet 强调，随着 AI 工厂规模扩大到下一个阶段，对先进逻辑和存储芯片的需求呈指数级增长，公司加大了对必要工具的投资，以加快 AI 生态系统中先进逻辑和存储芯片的生产。 客户正在积极增加产能，其背后的原因是解决包括人工智能、移动设备和个人电脑在内的终端市场面临的产能限制。 该公司公布了2026年第一季度按系统划分的销售额，其中51%的市场份额来自存储器相关终端应用系统，其余49%的销售额来自逻辑设计。EUV光刻技术仍保持领先地位，收入份额达66%，而DUV光刻机（ArF浸没式）的收入份额为23%。 韩国半导体工厂是全球最繁忙的地区，占比45%，其次是台湾（23%）和中国大陆（19%）。美国位列第四，占比12%（2026年第一季度）。ASML的大部分EUV/DUV系统供应给三星、台积电、中芯国际和英特尔。ASML目前被限制向中国大陆销售其高端EUV光刻设备，但DUV设备的销售不受限制。然而，由于美国立法者正计划禁止向中国大陆出口DUV技术，这种情况可能会发生变化。 ASML总裁兼首席执行官Christophe Fouqet表示：展望未来市场，半导体行业的增长前景持续稳固，这主要得益于人工智能相关基础设施的投资。这些投资正在推动诸多领域对先进逻辑芯片和存储芯片的需求增长。在可预见的未来，需求将继续超过供应。这将对从人工智能到移动设备和个人电脑等终端市场造成供应紧张，并促使我们的客户积极扩充产能。 随着DRAM制造商向更新的工艺节点转型，存储器领域对尖端EUV和DUV光刻机的需求也在持续增长。ASML的订单量持续增加，并表示正与合作伙伴携手满足其需求，同时提供“生产力升级”方案，以在短期内优化生产效率。 内存芯片需求的增长主要来自SK海力士、三星和美光等HBM厂商，他们依赖EUV光刻技术来制造HBM3E、HBM4和HBM4E等新一代标准芯片。这些新标准对于NVIDIA和AMD即将推出的加速器至关重要，而这些加速器的需求量将非常旺盛。 ASML总裁兼首席执行官强调，除了扩大产能外，先进的DRAM和逻辑器件客户在新工艺节点上持续采用EUV和浸没式深紫外光刻技术，这进一步增加了他们对光刻技术的需求。因此，ASML的订单量持续强劲，我们与客户保持紧密联系，以满足他们的需求。同时，我们还为客户提供现有设备的产能升级方案，以满足其短期产量需求。 展望未来，ASML正致力于研发升级版低数值孔径EUV光刻机，其每小时产量至少可达330片晶圆。该系统预计将于下一个十年之初交付。ASML还发布了新款NXE:3800E PEP-E光刻机，在套刻精度相近的情况下，晶圆产量从每小时220片提升至每小时230片。 ASML表示，在技术方面，我们持续取得显著进展，并在今年二月于圣何塞举行的SPIE先进光刻和图案化会议上重点展示了多项最新成果。会上，我们发布了更新后的低数值孔径EUV产品路线图，其中体现了我们对这些产品短期和长期计划的改进。这包括在下一个十年之初实现低数值孔径EUV每小时至少330片晶圆的加工能力，这主要得益于我们持续改进光源功率，正如我们近期演示的1000瓦光源所证明的那样。 根据ASML的路线图，该公司预计将在2029-2030年推出其先进的NXE:4200G低数值孔径系统，晶圆输出能力至少为300瓦/小时。与此同时，高数值孔径EVU系统将推出EXE:5200D，提供2纳米以下级芯片（A14及以下），晶圆输出能力至少为175瓦/小时。 ASML计划到下一个十年初将其芯片产量提高50%，方法是将其设备中光源的功率提高66%。虽然这要到2030年才能实现，但该公司正致力于通过升级现有和即将推出的设备，提高晶圆产量，来解决供应紧张的问题。 查看评论
36氪获悉，鼎龙股份公告，公司控股子公司潜江新材料近期在KrF/ArF高端晶圆光刻胶领域取得订单突破，两家头部晶圆厂客户合计新增订单近1000加仑。截至公告日，公司已有8款高端晶圆光刻胶获多家国内主流晶圆厂批量订单，较一季度末新增5款。公司年产300吨KrF/ArF高端晶圆光刻胶产线于2026年3月投产后，已向客户交付数百加仑产品并顺利应用。ArF与KrF光刻胶是逻辑、存储芯片制造的核心刚需耗材，属于国内晶圆光刻胶市场价值量占比最高的两大品类。
据透露，SK海力士计划最早于8月在美国上市，这家韩国存储芯片巨头希望借此抓住人工智能相关股票的强劲需求，并扩大其投资者基础。其中一位消息人士称，美国证券交易委员会（SEC）很可能在6月22日当周批准SK海力士的美国存托凭证（ADR）上市申请。（新浪财经）
近日，世界半导体贸易统计组织（WSTS）发布了2026年春季半导体市场预测报告，大幅上调了对2026年及2027年全球半导体行业的增长预期。数据显示，得益于2025年底及2026年初异常强劲的市场表现，WSTS预计2026年全球半导体市场将实现同比90%的增长，总规模达到1.51万亿美元。全球半导体市场规模的加速增长主要由存储芯片领域主导。2026年存储芯片销售额同比将上升约250%，一举超过8000亿美元。人工智能基础设施、高带宽存储器（HBM）以及加速计算平台的持续强劲需求，仍是整个半导体行业增长的核心驱动力。（财联社）