本来楼主每次都在定投btc，奈何8w多开始定投，投到现在，成本也在7w多，现在跌成这样不知道还要不要继续持有，sol和eth的成本都在100，2600这个位置，是不是要留个孙子了。感觉现货都拿不住了 14 个帖子 - 10 位参与者 阅读完整话题
IT之家 6 月 3 日消息，DJI 大疆于 6 月 2 日在北京举办大疆光影十二载暨手持影像技术分享会。 据北京时间报道，大疆新闻发言人张晓楠正面回应大疆 Pocket 4 缺货争议， 明确否认饥饿营销 。 张晓楠表示， 有现货会全渠道第一时间放量发货 ，Pocket 3 上市整年持续扩产、月度产能接连翻倍；Pocket 4 新品爆单，工厂加急增产， 缺货只因市场热度远超前期产销预估 。 据IT之家此前报道， 大疆 Osmo Pocket 4 云台相机发布 于今年 4 月 16 日，搭载全新升级的一英寸 CMOS，定价 2999 元起： Osmo Pocket 4 标准套装：售价 2999 元 Osmo Pocket 4 全能套装：售价 3799 元
空了石油 底仓：98 个单位，做空成本 90.19 。 补仓：在 95.20 加空了 30 个单位。 系统融合后的最终持仓：共 128 个单位，综合持仓均价显示为 91.37 。 目前现价：在 94.60 目前是全仓保证金，如果在这个价位把我补仓的数量给平掉 1.可用保证金实际上是会变多还是变少 2.这种行为可不可行 3.会影响到我的平仓线吗 感谢大佬为我解惑，问 ai 的话，他说会产生实际的亏损，也会减少我的保证金余额，但是我有点想不通
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设置成繁体中文，会出现：传统金融这个栏目（美股、现货、ETF ）
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币安开通美股现货了，有没有佬了解这个渠道买美股怎么样 1 个帖子 - 1 位参与者 阅读完整话题
IT之家 5 月 14 日消息，集邦咨询（TrendForce）昨日（5 月 13 日）发布最新现货价报告，指出五一假期后，DRAM 与 NAND Flash 市场继续分化。 假期结束后，部分地区的 DRAM 交易回温，买家态度开始转向积极，实际下单意愿上升。与此同时，NAND Flash 现货市场仍偏冷清，买卖双方对价格的判断差距拉大。 在 DRAM 市场方面，TrendForce 表示，本周整体交易条件改善，需求主要集中在 DDR4 512×16 与 1G×16 这两类芯片。 TrendForce DRAM 现货价格图 对买家来说，这意味着采购焦点并没有全面扩散，而是集中流向主流规格。受此影响， 卖方惜售情绪升温，并同步上调报价 ，现货价格因此小幅走高。具体到价格上，主流芯片 DDR4 1G×8 3200 MT/s 本周上涨 0.94%，从 32.0 美元升至 32.3 美元（IT之家注：现汇率约合 219.9 元人民币）。 NAND Flash 市场延续上周的疲弱情绪。报告指出，买卖双方的预期分歧还在扩大。部分卖家愿意用更低价格出货，但买家普遍保持观望，因此市场目前主要靠零星急单支撑，还看不到大规模补货迹象。 TrendForce NAND Flash 现货价格图 本周 512Gb TLC 现货价上涨 0.34%，来到 20.541 美元。这个涨幅明显小于 DRAM，说明 NAND Flash 现货市场更接近窄幅整理，而不是明确反弹。对产业链企业来说，如果终端需求没有继续放大，现货价格短期内大概率仍会维持轻微盘整状态。 参考 [Insights] Memory Spot Price Update: DRAM Spot Market Strengthens Post-Holiday as DDR4 Leads Demand
IT之家 5 月 13 日消息，韩媒 chosun 今天（5 月 13 日）报道称， 全球存储厂正把产能转向 HBM 和高层数 3D NAND，传统 2D NAND 与 MLC NAND 供应迅速收紧。 IT之家注：上文文末翻译有误，原文为去年（2025 年） 报道指出成熟制程存储芯片也开始出现明显缺货，64Gb MLC NAND 现货价据称较 2025 年底暴涨超过 300%，近期成交区间已到 20 至 28 美元。 图源：集邦咨询 该媒体认为导致 MLC NAND 现货价暴涨的一个重要原因，是三星自 3 月起逐步调整华城 Line 12 的 2D NAND 生产，并改造该厂作为 1c DRAM 的后段工厂。 该产线原本每月晶圆产能约 8 万至 10 万片，且被视为三星最后一处 2D NAND 主要据点。按照报道说法，三星将在下个月完成最后一批出货，随后结束相关供应，这会进一步压缩市场上的旧规格 NAND 货源。 与此同时，铠侠（Kioxia）、SK hynix 和美光（Micron）也没有扩大 MLC 产能的意愿。TrendForce 指出，这几家厂商目前基本只按既有客户需求维持生产，因此全球 MLC NAND Flash 产能预计将在 2026 年同比下滑 41.7%。 这类产品单颗单元存 2 bit，容量不如 TLC 和 QLC，但数据保存能力和耐用性通常更强，因此在部分工业、网络设备和嵌入式场景里，短期内仍难完全替代。 相比之下，头部厂商更愿意把资源投向 AI 带动的高利润产品。报道提到，三星正把 NAND 作为下一阶段重点，推进 400 层级 V10 产品。 相关阅读： 《 韩国海关：过去 1 个月 DRAM 内存单价同比涨 497.4%；NAND 同比涨 351.6% 》 《 消息称三星电子讨论重启半导体新业务，V10 NAND 是一大重点 》 《 IDC 预测：全球 DRAM、NAND 收入 2026 年分别增长 177% 和 138.5% 》 《 旺宏抓住三星退场窗口：补位入门级存储芯片，MLC NAND 收入 2026Q1 同比增长 382% 》
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