IT之家 5 月 31 日消息，金河田 (Golden Field) 昨日宣布，将在 COMPUTEX 2026（台北国际电脑展）上带来多款电源新品，其中包括 导入高效碳化硅 (SiC) 功率器件 、面向 AI 高算力平台的 Vortexis Platinum 高功率 电源。 金河田还将把 Vortexis Platinum 系列扩展至一般 PC 平台，同时提供 ATX 和 SFX 外形规格的产品，满足不同装机场景的需求；而获得 80 PLUS 白金 / 钛金认证的 CRPS 服务器电源 则瞄准 AI / HPC 服务器、数据中心需求。 一并登场的 Designer 14 机箱则面向设计创作、高性能办公及 AI 工作流场景打造，兼顾散热效率与空间布局，满足高负载平台下的稳定运行需求。
IT之家 5 月 28 日消息，小米汽车官方今日发文，详细介绍了小米最强超级电机 V8s EVO。 这款超级电机首次上车便搭载在小米 YU7 GT 上 。 据介绍，小米超级电机 V8s EVO 的最高转速达到了 28000rpm，每秒转动的圈数超过 466 圈。 小米借助 AI 技术进行拓扑优化，模拟出超过 100 万种转子硅钢片的结构 。通过不断调整硅钢片的设计，最终找到满足强度需求的转子设计，扛住了 28000rpm 超高转速。 值得一提的是，不靠碳纤维缠绕等特殊强化手段，小米超级电机 V8s EVO 即可达成 28000rpm 的超高转速， 单电机可输出 611PS 的最大马力 。 小米 V8s EVO 超级电机还搭载自研碳化硅功率模块， 全电压范围都可以输出 800A 有效电流 ，电控峰值功率密度达到 120kW/L，功率提升了 5.9%。同时，它还采用了散热能力更强的全新封装形式，在长时间的大电流工作工况下也更加稳定。 另外，小米超级电机 V8s EVO 还采用 0.15mm 超薄定转子硅钢片和小米自研 X-Pin 绕组技术， 其峰值效率达到 98.38% 。这意味着电机把电能转化为机械能时， 只有约 1.6% 的能量被损耗掉 。 小米超级电机 V8s EVO 使用的定转子硅钢片厚度仅有 0.15mm， 比 V8s 的转子硅钢片厚度降低 57% ，感应电流带来的“铁损”降低了 18.7%，能耗大幅降低；小米自研的 X-Pin 扁线绕组技术，让小米超级电机 V8s EVO 的槽满率更高， 铜线绕组通电发热导致的“铜损”降低了 3.6% ，电机能耗进一步降低。 IT之家注意到，小米 YU7 GT 还采用双电机系统， 小米超级电机 V8s EVO 和 V6s Plus 前驱版合计输出 1003PS 的最大马力 。这套双电机系统可以让小米 YU7 GT 达成 300km/h 的最高时速以及 2.92 秒的 0-100km/h 加速时间（含起步时间）。 当车辆处于经济模式时，前电机脱开机构将断开前电机与传动轴、车轮的物理连接，此时前电机不再驱动车辆，降低了整车的能耗， 这为小米 YU7 GT 额外带来最高 20km 的 CLTC 续航里程 。车辆处于其他驾驶模式时，前电机将保持结合状态，提供更加稳定的行驶性能和更强的动力性能。 相关阅读： 《 迄今最强小米超级电机首次上车：小米 YU7 GT 搭载 V8s EVO、全新蛟龙底盘大师版 》
IT之家 5 月 25 日消息，东芝电子元件及存储装置株式会社本月 21 日宣布 开始出货 1200V 沟槽栅碳化硅 (SiC) MOSFET "TW007D120E" 的测试样品 ，该产品主要面向下一代 AI 数据中心电源系统（800V HVDC 架构），同时也适用于可再生能源相关设备。 TW007D120E 采用东芝专有的沟槽栅结构， 单位面积低导通电阻较东芝现有产品降低约 58% ，达到业界领先水平；同时其 品质因数较现有产品提高了约 52% 。 这些特性将帮助数据中心电源系统实现高效运行并减少发热，从而提升整体系统效率。这有助于提高功率密度并增强功率级的散热性能，对下一代 AI 数据中心的功率转换至关重要。 东芝 计划在 2026 财年实现 "TW007D120E" 的量产 ，并将继续拓展其产品线，如开发面向汽车应用的产品。
IT之家 5 月 7 日消息，硅来半导体 (Si LAI) 在 4 月下旬于武汉举行的 2026 九峰山论坛上发布了新一代 10min / 片碳化硅 (SiC) 激光隐切设备。其面向 8/12 英寸 SiC 晶锭加工， 相较上代设备 （15min / 片） 提速 50% 。 硅来半导体表示，其新一代 10min / 片激光隐切机台在缩短切割用时的同时继续控制剥离效果和后续分片一致性，且尽量不压缩磨抛、外延等后道工艺窗口， 效率的提升并没有以工程稳定性为代价 ，量产良率＞98%。
IT之家 5 月 4 日消息，韩媒 ETNEWS 当地时间 3 日报道称，三星电子晶圆代工业务 近期就 8 英寸碳化硅 (SiC) 生产线建设的重启与材料、组件、设备合作伙伴展开磋商 ，有消息传出相关讨论已深入到设备导入规模。 三星晶圆代工将化合物半导体视为未来增长点之一；同时，将现有 8 英寸硅 (Si) 晶圆厂改造为碳化硅 (SiC) / 氮化镓 (GaN) 晶圆厂在节省前期建设成本的同时也可提升产能利用率。 三星电子设备解决方案 (DS) 部在 SiC 领域的布局始于 2023 年。不过由于整体市场一度低迷、主抓存储器业务等原因，其商业化一度停滞。但在 AI 产业激活功率半导体市场后，三星电子恢复了 SiC 项目的推进。 消息人士预计， 三星晶圆代工有望在 2027 年建成一条 SiC 原型生产试点线，并于 2028 年实现量产 。 相关阅读： 《 氮化镓 (GaN) 领域台积电退三星电子进：后者 8 英寸产线最早 2026Q2 投产 》
IT之家 4 月 25 日消息，onsemi（安森美）与吉利汽车集团今日宣布，双方已达成更广泛的全球战略合作。此次合作将 进一步深化安森美先进碳化硅技术 EliteSiC 在吉利浩瀚-S 超级电混架构中的集成 。 在本次合作框架下，吉利展示了 SEP 浩瀚超级电混系统。该系统电驱核心采用了安森美 EliteSiC 功率技术， 支持 900V 高压架构 ，可实现更快的加速性能、更长的续航里程，以及显著缩短的充电时间。 安森美的功率器件凭借更高的功率密度支持在更小、更轻量化的系统中集成更强性能，从而改善整车动态性能并优化车内空间。同时，增强的热性能有助于车辆在高负载工况下保持稳定输出，提升长期可靠性。 安森美总裁兼首席执行官 Hassane El‑Khoury 表示： 电动车市场正进入一个由更高电压架构和日益复杂的系统所驱动的新阶段。我们与吉利扩大的合作，体现了整车厂与半导体合作伙伴正在更紧密、更早期地开展协作，以共同塑造关键的整车设计决策。通过携手合作，我们正在赋能电动车实现更高的能效和性能。 吉利汽车集团首席执行官 CEO 淦家阅表示： 随着电气化战略的推进，我们与技术合作伙伴之间更紧密的协同变得愈发关键。将安森美技术广泛集成至我们的浩瀚超级电混系统，正是双方深化合作的具体体现。安森美作为关键的系统级合作伙伴，使我们在平台设计与工程执行层面实现了更紧密的协同，从而支持我们向全球客户交付高性能、高能效的电动汽车。
IT之家 4 月 21 日消息，日本半导体制造商 ROHM（罗姆）今日宣布其在今年 3 月成功完成了第 5 代碳化硅 (SiC) MOSFET 的开发工作。相较上代， 新产品通过器件结构改进和制造工艺优化在 175℃ 结温 (Tj) 下导通电阻降低约 30% 。 罗姆表示，在各类电动汽车 (xEV) 用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中，其第 5 代 SiC MOSFET 有助于缩小单元体积，提高输出功率。此外芯片也非常适用于 AI 服务器电源和数据中心等工业设备的电源。 罗姆 计划从 2026 年 7 月起开始提供配有第 5 代 SiC MOSFET 的分立器件和模块的样品 。未来，ROHM 将进一步扩大产品阵容，同时完善设计工具，并强化针对应用产品设计的支持体系。
作者丨欧雪 编辑丨袁斯来 硬氪获悉，高端工业激光装备制造商——中微精仪科技（深圳）有限公司（下称“中微精仪”）近期已完成数千万元天使+轮融资，由创维投资独家投资。资金将主要用于市场拓展、产能提升及新产品开发。 中微精仪成立于2024年11月，专注于碳化硅晶锭激光剥离、金刚石激光剥离、水导激光精密加工等高端工业激光装备的研发与制造。公司创始人陈景煜为澳大利亚新南威尔士大学研究员，长期从事特种芯片集成开发；首席科学家孙洪波则为中国科学院院士、清华大学教授，是非线性激光超精密制造领域的先驱。 与市面上多数激光设备公司不同，中微精仪定位为激光精密加工技术平台，覆盖从机理研究、工艺开发到工程化落地的全链条。其设备已在碳化硅衬底切割、金刚石加工等领域进入头部客户量产验证阶段。 公司当前的核心业务聚焦两大方向： 一是碳化硅衬底激光分片设备。中微精仪自研的脉冲可编程与裂纹定向诱导生长技术，已能将分片损耗稳定控制在40微米以内，远低于行业常见的80-120微米水平。 当前，碳化硅行业正经历从6英寸向8英寸产线升级的关键窗口期。据陈景煜判断，近两年下游需求端正在快速扩张，数据中心电源对碳化硅器件的需求显著增加，消费电子领域如空调、冰箱等产品也开始采用碳化硅功率器件替代传统硅基器件。 然而，行业仍面临核心瓶颈。随着8英寸碳化硅成为行业降本主线，衬底切割环节的损耗率成为关键卡点。 据公司实测，其6英寸碳化硅分片速度为15-20分钟，8英寸为25-30分钟。中微精仪相当于每切割8片即可多产出1片，为客户带来显著的降本增效。 同时中微精仪的激光技术可以实现低损耗控制，在SiC晶圆背板减薄领域可以实现突破性应用，可以替代SiC晶圆背板减薄研磨抛光工艺，帮助SiC晶圆厂商实现降本增利，由以前研磨成粉末，变化为激光剥离，实现SiC剥离片二次利用。 中微精仪团队手持由自主研发SiC激光剥离设备加工的6英寸、8英寸及12英寸SiC晶圆（图源/企业） 二是金刚石激光加工设备。针对单晶/多晶金刚石的剥离、切割与抛光，中微精仪实现了磨砂面白色加工效果，避免了友商常见的材料表面石墨化发黑问题，从而省去了后续研磨工序，可直接用于再生长。 此外，陈景煜透露，中微精仪将于今年七至八月份启动量子芯片加工器件的客户交付。这一业务延伸验证了中微精仪作为激光精密加工技术平台的可扩展性——从超硬材料切割延伸至量子计算核心元器件的加工。 公司目前已收到多家头部客户的进场邀约，预计6月起陆续进入更多产线进行Demo验证。 作为本轮独家投资方，创维投资已在碳化硅产业链上下游布局多家企业。中微精仪创始人陈景煜表示，创维投资所投企业覆盖了衬底、外延、器件等关键环节，能够有效帮助公司将设备与下游客户直接对接。 以下是硬氪与陈景煜的访谈摘要： 硬氪：碳化硅行业目前竞争激烈，公司如何在这个节点找到机会？ 陈景煜： 6寸碳化硅现在卖一片亏一片，整个产业链环节能降本的地方全降了，唯独切割环节的损耗一直控不下来。从线切割的250微米降到激光切割的80微米已经是一大步，但我们把损耗降到40微米以内，仍然可以进一步控制在30微米以内，预示客户每切8片就最少能多出1片，这是他们现在最需要的竞争力。随着8寸线马上大规模上量，切割损耗会成为决定谁胜出的关键。 硬氪：公司如何看待8英寸碳化硅时代的市场窗口？ 陈景煜： 今年下半年预计是8寸线建设的元年。头部客户的环评已经拿到了，基建陆续启动，设备选型正在发生。8寸片的核心目的就是降成本，如果切割环节损耗控不下来，8寸的优势就发挥不出来。所以这个窗口对我们来说是决定性的。 我们能稳定把损耗控制在40微米以内，而且设备进场当天就能跑量产，这些都非常重要。现在不是我们找客户，是客户在催我们进场。 硬氪：从碳化硅到量子芯片，公司的技术边界在哪里？ 陈景煜： 我们不是一个做碳化硅切割设备的公司，而是一个激光精密加工的技术平台。团队核心能力是把不同激光与不同材料的相互作用机理研究透——切碳化硅、切金刚石、用量子芯片加工，底层都是同一套能力。公司实验室目前已经完成了12寸硅片的超薄切片验证，损耗可控制在1微米以内。平台搭好了，应用场景只是不同的输出。 投资方观点： 创维投资负责人表示： 目前全球SiC衬底处于高速扩产和6寸向8寸迈进的产业周期，传统的切割方式难以满足产业升级的要求，2026年8寸线产业化正在加速发展。长期以来，上游环节的工业激光切割设备一直被国外企业垄断，高度存在被“卡脖子”风险。中微精仪现已推出相关产品，并且获得了重要客户的订单，这是源于团队掌握超快冷激光切割设备最核心的光路调控技术，从机理探索、工艺开发、光学优化、系统设计四个方面具备完全自主可控的能力，具有未来良好的发展前景。
自2025年第四季度以来，碳化硅行业新增晶圆产能扩张节奏有所放缓，而汽车、光储、充电桩等三大主力应用市场均持续处于高景气运行周期，对国产SiC MOSFET器件的需求持续快速增长；同时，消费电子、AI等新兴应用场景需求集中爆发，叠加半导体行业整体涨价预期，拉高终端厂商的备库存需求，共同推动碳化硅行业景气度持续上升。前瞻产业发展趋势，头部碳化硅衬底片、外延片厂商开启新一轮扩产，给上游设备厂商带来可观的新增订单。（上证报）
36氪获悉，民德电子在互动平台表示，晶睿电子的碳化硅外延片已有小批量供货，但涉及数量和金额占比都很小。
36氪获悉，天岳先进公告，经公司自查，公司关注到近期部分证券公司发布的研究报告中对公司未来的营业收入、利润水平、股价等指标进行了预测。公司在此风险提示如下：上述指标预测为证券公司单方面预测，公司未就上述指标预测进行确认，相关信息均以公司公告为准。公司所处的碳化硅半导体衬底行业近年来市场竞争日趋激烈，产品价格面临一定下行压力。同时，行业技术迭代速度加快，若公司未能持续保持技术领先优势并及时跟进市场需求变化，可能面临市场份额下降及业绩波动的风险。