IT之家 6 月 9 日消息，据韩媒 ZDNET Korea 当地时间 5 日报道，三星电子已将 Galaxy Z 8 系列折叠屏智能手机的今年整体出货目标从此前的 650 万部调降至 500~600 万部。 “小折叠” “大折叠” “阔折叠” 当下 约 175 万部 200~250 万部 150~200 万部 此前 300 万部 300 万部 50 万部 可以看到，相较数月前的初步预测， 三星电子显著下调了“小折叠”机型的出货目标 ，“大折叠”出货预期也有所下降，首次登场的 “阔折叠”品类的预测出货规模则明显提升 。 三星此番调整的背后原因一部分是存储器半导体等元器件供小于求导致价格上升，不得不将部分成本转嫁到消费者上，从而抑制用户需求意愿；另一部分则源自“小折叠”热度下降；此外苹果的加入有利于“阔折叠”市场的发展。 报道援引业内消息源指出，三星电子向零部件供应商分享的 6~8 月 Galaxy Z 8 系列折叠屏智能手机的生产计划为“小折叠”略高于 100 万部、“大折叠”和“阔折叠”各 150 万部左右。
IT之家 6 月 9 日消息，据韩媒 Sedaily 消息，三星电子副董事长兼 CEO、设备解决方案部（半导体业务）负责人全永铉昨日在与 NVIDIA（英伟达）联合创始人、总裁兼首席执行官黄仁勋会面后的记者采访中提到， 两家企业正就下代 Groq LPU 系列 AI 加速器芯片上的合作进行商讨 。 IT之家注意到，三星晶圆代工是 NVIDIA 在 4nm 的 Groq 3 (LP30) LPU 芯片上的合同制造合作伙伴。NVIDIA 后续还规划了 Rubin 世代晚些时候的 LP35 LPU 和 Feyman 世代的 LP40 LPU。 台积电董事长兼总裁魏哲家此前在今年 4 月表示，台积电“ 正在与我们的客户合作开发他们的下一代 LPU ”。
IT之家 6 月 8 日消息，据韩媒 The Bell 报道，三星电子将在今年 8 月发布的 Galaxy Z Flip8 小折叠手机上， 采用 Exynos 2600 自研芯片 。 据业内人士透露，三星 MX 事业部将为 Galaxy Z Flip 系列新机采用 Exynos 芯片，目前 Flip8 已经开始初期量产，计划 8 月发布。 IT之家从原报道了解到， 三星在 Galaxy Z Flip6 之前一直使用高通处理器 ，并从去年的 Flip7 开始首次为旗下小折叠手机选用 Exynos 芯片。 作为参考，Exynos 2600 是三星基于 2nm 工艺制造的移动 SoC，此前已应用于 Galaxy S26 系列直板手机，并完成市场验证。部分用户认为，Exynos 2600 相比前代产品有明显性能提升。 目前有传闻称，三星将在韩国、欧洲市场的 Flip8 机型上采用 Exynos 2600，其他地区则采用不同方案。作为对比，Flip7 全球机型均搭载 Exynos 2500。 本次采用 Exynos 的消息也反映出三星 MX 事业部面临成本压力。今年以来，DRAM、NAND 内存 / 存储芯片价格不断攀升，使智能手机制造成本显著提高。业内甚至已经出现 MX 事业部可能亏损的讨论，相比之下，三星使用自家处理器方案的使用成本将低于外购。 一位熟悉 MX 事业部的消息人士透露：“Galaxy Z Flip 系列消费者相比追求性能，更看重设计、便携性。 这些用户对性能差异的感知较低 ， 因此导入自研处理器的风险相对较小 ”。
IT之家 6 月 5 日消息，韩媒《每日经济》当地时间今日报道称，LG 集团将引进 1 万块 NVIDIA（英伟达）Blackwell 架构 GPU，用于其人工智能转型 (AX) 计划。 这是 该集团有史以来最大规模的单次英伟达 GPU 采购 。消息人士预测购入这批 GPU 与配套设施建设的 整体投资将达到数万亿韩元 。 LG 集团旗下多家实体均需求 GPU AI 算力：LG 人工智能研究院正持续开发 EXAONE 系列大语言模型；LG 电子则正积极推进人形机器人的商业化进程；LG U+ 不仅是韩国三大电信运营商之一也是该国重要的 AI 云服务供应商。 报道指出，NVIDIA 联合创始人、总裁兼首席执行官黄仁勋今日会见的韩国商界代表中就包括 LG 集团会长具光谟。
IT之家 6 月 4 日消息，据韩媒 ZDNET Korea 消息，韩国 AI 芯片企业 DeepX 首席执行官김녹원当地时间今日在 2026 K-AI 半导体成长论坛的媒体采访环境中表示，该企业的产品将导入 LPDDR-PIM 存内计算解决方案。 PIM 将专用的数据处理器直接集成在 DRAM 中， 可将部分数据计算工作从主机处理器卸载到存储器当中 。这可以减少数据的移动，提高 AI 加速器系统的能效和数据处理效率。 在 LPDDR5X-PIM 方面，三星电子是唯一供应商，因此 DeepX 将把其 80 TOPS 算力 2nm 端侧 AI 芯片 DX-M2 与三星电子的 LPDDR5X-PIM 解决方案相匹配 。김녹원表示 DX-M2 的上市价格将低于 50 美元（IT之家注：现汇率约合 339.4 元人民币）。 而对于后续的 DX-M3，김녹원 称企业的目标是实现 1000 TOPS 算力。该芯片将搭配 JEDEC 标准化的 LPDDR6-PIM。
IT之家 6 月 4 日消息，据韩媒 the bell 当地时间 5 月 28 日报道，SK 海力士计划在大连二厂建设“200 层中段” （250 层左右） 的 FG（浮栅）结构 3D NAND 产线。 几大闪存原厂目前均在其 3D NAND 中采用 CT（电荷阱）结构，唯有 SK 海力士通过对英特尔闪存业务的收购保留了 FG NAND 生产线。SK 海力士大连一厂目前具备 192 层 FG NAND 的量产能力。 韩媒表示，SK 海力士去年完成了 200 层以上 FG NAND 的研发工作， 现在正向量产转移 。其计划 2026Q3 建设一条中试线，相关设备采购已然启动，后续目标到 2027H2 实现全面量产。 相较 CT， FG 结构更适合每单元比特数更高的 QLC NAND 闪存 。而 AI 尤其是推理工作负载对不重写入的读取密集型 SSD 有着很高的需求，这正是 QLC 的用武之地。另一方面，技术路线的延续也有利于 Solidigm 开发工作保持连贯。
IT之家 6 月 3 日消息，据韩媒 The Elec 今天（3 日）晚间报道，英特尔 CEO 陈立武在 2026 台北国际电脑展主题演讲中表示，到 2030 年，每 10 台新部署的数据中心服务器中， 预计有 8 台将基于 x86 架 构 ，这些服务器将支撑现代计算工作负载，覆盖从基础处理任务到新兴 AI 应用的各类场景。 报道指出，英特尔给出这一判断，主要基于两点：一是 x86 架构 经过长期验证的可靠性 。过去 50 年中，x86 一直是数据中心服务器的核心基础，支撑电信网络、数据库和云服务等关键任务持续运行。围绕 x86，英特尔也建立起了覆盖软件和基础设施的庞大生态。 二是 x86 架构仍在持续创新 。英特尔表示，自 1978 年英特尔 8086 处理器推出以来，x86 一直在不断演进，截至目前仍是运行智能体 AI 工作负载的最佳选择。 英特尔数据中心和 AI 事业部执行副总裁兼总经理凯沃克 · 凯奇奇安表示：“传统 AI 推理相对简单，但智能体 AI 的运行方式从根本上不同。智能体 AI 会 使用工具、读写文件并验证规则 ，而这些任务传统上都由 x86 CPU 处理。” 在传统 AI 推理场景中，GPU 与 CPU 的算力 比例大约为 7 比 1，明显偏向 GPU 。但在智能体 AI 系统里，如果涉及代码编译和测试，算力比例可能 反转到最高 1 比 1.3 ，CPU 需要承担更大的计算压力。 据IT之家了解，为适应这一变化，英特尔发布下一代数据中心处理器 至强 6+ “Clearwater Forest” 。这款处理器采用英特尔代工 18A 制程，最多配备 288 个高能效 Darkmont E 核和 576MB 三级缓存。 英特尔还推出了“Rack Scale Blueprint”计划。按照这一计划，英特尔不再只单独设计芯片或单台服务器，而是把包含多台服务器的整机架系统作为统一平台进行设计和交付。英特尔表示，这套方案 基于开放标准而非某一家公司的专有规格 ，数据中心可以直接部署。 另外，英特尔正式宣布进入定制 ASIC 市场。英特尔方面宣布，已为谷歌大规模数据中心设计并供应基础设施处理单元（IPU），并取得实际成果。这些 IPU 目前已经部署在生产数据中心环境中。英特尔还在与爱立信联合开发面向无线通信基础设施的下一代 ASIC。
IT之家 6 月 2 日消息，据韩媒 The Elec 今晚报道，英伟达 CEO 黄仁勋对 SK 海力士的增长势头大加赞赏，并重申双方紧密合作关系。黄仁勋同时表示，英伟达希望与韩国 AI 和机器人产业展开更广泛合作。 谈到英伟达如何评估高带宽内存（HBM）供应商时，黄仁勋表示， 性能、质量、可靠性和供应能力 都是关键标准。“HBM 可能看似很简单，实际上可是极其复杂。我们与 SK 合作非常紧密，我们保持了长期关系， 我为 SK 的成功感到自豪 。SK 海力士最近成为一家市值达 1 万亿美元（IT之家注：现汇率约合 6.78 万亿元人民币）的公司。我很高兴看到 SK 海力士取得成功。” 被问及英伟达是否可能投资韩国时，黄仁勋表示，英伟达 始终在考虑投资韩国 。“韩国拥有出色的生态系统，也有许多 非常聪明、技术能力很强 的企业。韩国经济发展良好，研究团队和科学界同样如此。” 在韩国市场，机器人是黄仁勋最看重的方向之一。黄仁勋表示：“机器人对韩国非常重要。我希望英伟达能够为韩国机器人产业进步作出贡献。韩国是制造业国家。韩国人口规模或许有限，但韩国的 想象力、创造力和雄心 都非常强大。” 黄仁勋还提到，英伟达未来可能 把 GTC 开发者大会带到首尔 。“韩国是电竞、游戏和 PC 房（对应国内‘网吧’）文化的发源地之一。 如果首尔想办，我们就会在那里举办 。何乐而不为？从早期 GeForce 图形处理器时代开始，韩国对英伟达就一直具有特殊意义。” 黄仁勋也确认了访问韩国的计划。“我想感谢过去一年支持我们的所有韩国合作伙伴。我会去韩国，为下半年和明年的繁忙日程做准备。”被问到访韩期间最期待什么时，黄仁勋提到了 炸鸡、参鸡汤和烤五花肉 ，自己还计划在韩国与家人短暂度假。
IT之家 6 月 2 日消息，据韩媒 Money Today 报道，韩国 SK 集团会长崔泰源 2 日（今天）透露，旗下存储芯片企业 SK 海力士计划在 未来五年内实现晶圆产能翻倍 。 崔泰源仍认为，AI 普及引发的存储供应短缺将持续到 2030 年，同时也释放出明确信号：SK 海力士将 积极筹措资金，推进大规模设备投资 。“我们将全速推进， 在未来五年内把产能提高到两倍 。虽然会遇到很多障碍，但我们会克服。” 当被追问具体是哪一类产能时，崔泰源进一步确认：“产能扩张指的是整体晶圆产能。我们会把晶圆产能提高到两倍。” 崔泰源还预告，SK 海力士 将投入大规模资金 。“我们还没有提前算出整体设备投资额，但只要有需要，我们就会筹措一切必要资源。设备、建设、土地、水、电等所有成本都在上涨，但我们必须生产，最终也会做到。” 崔泰源认为，即便进入 AI 时代， 存储供应短缺也不会很快缓解 。“我们仍然认为，存储瓶颈会持续到 2030 年。缓存需求越大，存储需求就越大。所有人都在向 AI 数据中心投入巨额资金。黄仁勋发布的新 AI PC 同样需要大容量存储，因此不仅 AI 服务器会推高存储需求，AI PC 的普及也会进一步拉动需求。” 崔泰源也坦言，扩大供应并不容易。AI 工厂和 AI 数据中心面临许多瓶颈，只有同时确保 资金、能源、GPU、存储芯片 等全部要素，建设才可能真正落地。“存储晶圆厂也是一样。大规模投资、电力、设备和水都不可或缺，所以绝不是一件容易的事。” 崔泰源特别提到，新建生产设施需要很长时间，这是扩产面临的主要限制之一。“建设一座新晶圆厂需要 相当长的前置时间 。现在新建一座晶圆厂至少需要三年；如果从绿地项目开始，则需要五年以上。” 上周，SK 海力士市值 首次突破 1 万亿美元 （IT之家注：现汇率约合 6.78 万亿元人民币）。在 AI 热潮推动的上涨行情中，SK 海力士与三星电子、美光科技一道跨过这一门槛。
IT之家 6 月 2 日消息，韩媒 Edaily 今天（6 月 2 日）发布博文，报道称在 2026 年台北国际电脑展上， 三星展示了全球首款 HBM5 内存。 IT之家注：HBM5 是面向未来高性能计算（HPC）和人工智能（AI）训练需求设计的第八代存储技术。 HBM5 预计在 2029 年至 2031 年间推出市场，采用更先进的制造工艺，预计使用 2nm 基础裸片搭配 1c nm DRAM。 散热方面，为了应对超高功耗，HBM5 将采用浸没式冷却技术 (Immersion Cooling)，即直接将裸片和封装整体浸泡在冷却液中。 性能方面，行业预测 HBM5 将 I/O 通道提升至 4096-bit，以 16-Hi (16 层) 堆叠为标准，预期每个堆叠的带宽将提升至 4 TB/s。
IT之家 5 月 28 日消息，韩媒 EBN 当地时间今日报道称， LG 电子 (LG Electronics) 高管在近日的中国北京行程中与海信 (Hisense) 高管就业务重组计划进行了协调磋商 ，而这其中就包括就出售电视业务部门的可能性。 报道援引 Omdia 的数据指出，LG 电子近年来在全球电视市场的 出货量占比一直处于 10% 左右 ，已低于 TCL、海信等竞争对手。 值得注意的是，LG Display 退出大型 LCD 面板生产也削弱了 LG 电子可享受的财团内协同红利，在 LCD 电视面板采购上的议价能力遭遇削弱。 从财务上看，LG 电子内部 负责电视业务的媒体娱乐解决方案部门去年一度陷入持续亏损 ，而电视业务的营业利润率长期保持在 1~2% 的低位。电视业务正逐渐成为一种负担，想要在这一领域实现积极增长面临很大困难。
IT之家 5 月 25 日消息，据韩媒 The Elec 今日报道，美光科技第六代高带宽内存 HBM4 目前正在顺利扩大产能 ，同时还计划于 明年启动下一代 HBM4E 标准产品量产 。 当地时间 5 月 20 日，美光科技全球运营执行副总裁马尼什 · 巴蒂亚在摩根大通投资者会议上表示，美光 HBM4 的量产爬坡速度， 已经达到去年 12 层 HBM3E 产品的约两倍 ，良率提升速度也更快。据IT之家了解，HBM4 主要面向英伟达 Vera Rubin AI 计算平台。 美光表示，HBM4 量产提速主要有三个原因。首先，是此前量产 HBM3 与 12 层 HBM3E 过程中 积累的经验与学习效应 。其次，HBM4 核心裸片 采用了美光 10 纳米级第五代 1-beta（1β）工艺 。 美光表示，1β 目前已经是公司主力工艺，并且在性能和良率方面证明了稳定性。第三，则是美光内部优化的基础裸片设计。美光表示，1β DRAM 搭配自主制造的基础裸片后，能够进一步提升产品质量与性能。 不过，从下一代 HBM4E 开始， 美光将调整部分生产策略 。HBM4E 核心裸片将改用 10 纳米级第六代 1-gamma（1γ）工艺制造。该工艺对应三星电子和 SK 海力士的第六代 10 纳米级 1c 工艺，同时也是美光首次采用 ASML 极紫外光刻设备的工艺节点。 另外，HBM4E 的基础裸片未来将不再由美光自行生产，而是改由台积电代工。巴蒂亚表示，目前 HBM4E 开发进展顺利，美光预计明年启动量产。首批产品将采用 JEDEC 标准，同时美光也在开发针对客户需求定制的版本。虽然定制产品成本会高于标准版，但美光认为，凭借更高性能和更多功能，市场需求仍会非常强劲。 三星电子和 SK 海力士目前也正在推进 HBM4E 开发。三星电子计划于 今年第二季度提供首批 HBM4E 样品 ，基础裸片将由三星晶圆代工部门采用与 HBM4 相同的 4 纳米工艺制造。 SK 海力士 则计划于今年下半年向客户提供 HBM4E 样品 ，并在明年开始量产。SK 海力士未来仍将由台积电负责基础裸片生产，据称将采用 3 纳米工艺。 美光同时预计，到今年年中，基于 1γ 工艺生产的 DRAM 以及第九代 NAND 闪存产品， 将占公司总位元出货量的一半以上 。其中，1γ DRAM 预计还将成为美光晶圆产量规模最大的单一 DRAM 工艺节点。
IT之家 5 月 25 日消息，据韩媒当地时间今日报道，三星电子近期利用单元多层键合 (CMB) 技术连接两片 450 层 3D NAND， 构建了全球首个 900 层超高堆叠 3D NAND 闪存原型 ，这一样品的存储单元工作特性已得到验证。 ▲ 三星电子 V9 QLC 将两片 450 层 NAND“摩天大楼”整合为一片 900 层 NAND，这一过程对键合的可靠性提出了非常高要求。 三星电子在原型制造中以“上部卡盘”(Upper Chuck) 解决了晶圆翘曲问题，并以新型套刻校正技术克服了微细对准误差，此外位线 (BL) 与字线 (WL) 的改进也同时改进了功耗和尺寸。
IT之家 5 月 23 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日报道称， 业内消息人士指出 KIOXIA（铠侠）计划在 2027 年量产第十代 BiCS FLASH 产品 ，相关投资细节待到 2026H2 会更为明朗。这一时点晚于 此前曝光的 2026 年量产计划 。 铠侠在 BiCS8 世代引入了 CBA（IT之家注：CMOS 直接键合到存储阵列）架构，解耦了 NAND 中存储单元和外围电路的制造。该企业基于现有存储单元技术和最新 CMOS 技术的 BiCS9 产品已于去年出样。 而 BiCS10 则将存储单元的堆叠层数提升到 332 层 ，以满足未来市场对更大容量、更高性能解决方案的需求。该闪存支持 4.8Gbps 的 I/O 接口速率，位密度相较现有的 BiCS8 提升 59%。
IT之家 5 月 22 日消息，据韩媒《阿视亚经济》今天报道，三星电子最近与韩国本土工会达成协议，成功避免罢工。目前关于三星半导体员工获得数亿韩元绩效奖金的传闻在互联网引起热议， 许多人一度陷入怀疑：“我的劳动究竟值多少钱？” 。 据报道，与三星奖金相关的梗图最近在网络疯传。其中疯传的 AI 生成图片演绎了一个场景：三星园区停车场入口停满了超跑。诸如“不开兰博基尼或法拉利，连名片都递不出去”等夸张调侃也让网友们哭笑不得，只是笑声里带着苦涩。 一名网友表示：“我两个在三星上班的朋友已经准备去签保时捷购车合同了。我不敢相信自己竟然为那么点钱在工作，干劲彻底没了。更夸张的是，就算真的买了保时捷，他们的奖金还剩很多”。 同时，一篇名为《在海力士和三星工作的人有什么特征》的帖子也引发关注。 其内容包括“喝酸奶不舔盖子”“加油从不看哪个油站便宜，直接去最近的” “点外卖不看配送费”“点炸酱面时会选干炸酱而不是普通炸酱”等等。 网友们一边大笑，但苦涩却涌上心头。有网友评论道：“ 一个在 DS（IT之家注：半导体事业部）工作三年、高中毕业的人 ， 现在收入都抵得上博士毕业 DX（电子设备体验部）主管一百年的收入了 。太羡慕了，我老公看完新闻后完全没了工作的动力，但还是一起撑下去吧”。 “如果不爽，那你就去三星或者 SK 海力士上班啊，不然还能怎样”“三星的金总很快就能在首尔买房了”“哪怕当仆人，也要当贵族家的仆人”等言论在网络上层出不穷。 当然，也有人抛出更尖锐的声音：“这真的是在制造社会阶级差距”“已经不是嫉妒了，我甚至开始厌恶自己”“真不想再看到这种新闻了，我彻底不想工作了”“每次看到这就浑身没劲，还特别烦”“面对这种不断加深的剥夺感，大多数人到底该怎么办？”。 首尔大学心理学荣誉教授郭锦珠对此解释道， 这些人的心态是一种典型的“社会比较欲”心理 。人们往往不会把自己和遥不可及的人相比较，而是会就近找自己身边、地位相近的人做比较。 她对此表示：“社会比较欲望本身可能成为正面动力，但差距大到令人感觉无法跨越时，就可能引发无力感、抑郁、注意力下降。这类情绪还可能从个人嫉妒演变成群体冲突，因此，与其单纯责怪某个群体，更应该分析背后的结构性因素”。
IT之家 5 月 20 日消息，韩媒 ETNEWS 当地时间今日报道称，三星电子计划在明年 Galaxy S27 系列旗舰智能手机的新机型（暂称为 Galaxy S27 Pro）中尝试未使用过的 6.47 英寸 OLED 屏幕。 Galaxy S26 的屏幕尺寸为 6.3 英寸、S26+ 则是 6.7 英寸，这意味着 “Galaxy S27 Pro”的大小将介于标准版和 Plus 版之间 。 “S27 Pro”将与 S27 Ultra 一道组成 Galaxy S27 系列的高阶阵容。这新机型 将与 S27 Ultra 共享部分技术基础 ，但取消 S Pen 触控笔支持。
IT之家 5 月 20 日消息，韩媒“The Elec”20 日（今天）援引业内人士消息称，三星电子正在重新调整氮化镓（GaN）功率半导体业务方向。由于器件业务在客户拓展方面遭遇困难，三星电子未来预计将把重心转向 需求相对更高的代工业务 。 三星电子今年年初曾向多家客户提供氮化镓器件样品。但由于 产品质量与性能不尽人意 ，三星未能获得客户最终订单，产品也未进入量产阶段。目前，三星已经掌握 650 伏级氮化镓器件设计技术 。 IT之家注：650 伏级氮化镓主要用于小型高速充电器、数据中心 UPS 不间断电源以及 PSU 电源供应设备等产品。 业界认为，三星电子未能获得器件客户的主要原因之一是 效率偏低 。据悉，在三星的氮化镓性能评估指标中， 导通电阻（RDS）未达到客户要求 。功率半导体主要负责控制电流导通与阻断，而电流流动过程中产生的内部阻力被称为导通电阻。导通电阻越低，功率损耗与发热越少，整体效率也越高。 产品销售策略变化 同样被认为造成了影响。三星原本计划将氮化镓器件与其他零部件整合成模组后统一销售，但目前模组业务实际上已被放弃。另一位业界人士表示：“客户原本希望以模组形式采购氮化镓产品，但三星电子后来表示只能提供器件，因此最终未能签署供货合同。” 相比器件与模组业务，三星氮化镓 代工业务则进展顺利 ，该业务由三星电子半导体（DS）部门旗下 CSS 事业部负责。CSS 除氮化镓外，还涉及碳化硅等化合物半导体以及 LED 等业务。该部已经获得多家代工客户，产线最快今年 7 月启动。随着市场需求增加，一些原本使用竞争对手代工厂的客户，目前 也有意向三星电子追加新订单 。 然而由于氮化镓工艺需要稳定控制电阻特性，三星目前难以完全消化快速增长的订单需求。相比传统硅半导体工艺，氮化镓工艺优化难度更高，良率控制也更复杂。
IT之家 5 月 15 日消息，据韩媒 Etnews 上周（5 月 12 日）报道，三星电子正在开发下一代 HBM 技术，以便在移动设备上实现更高性能的端侧 AI。 业内人士透露，三星正在研发多层堆叠 FOWLP（Multi Stacked FOWLP）技术，目 标在智能手机、平板等移动设备中实现更大容量 、 更高带宽的 HBM 。这些设备的空间相比服务器机柜简直是九牛一毛，对功耗、发热控制的要求非常严格，因此无法直接照搬现有方案。 据悉，目前主流的 LPDDR 内存普遍采用引线键合（Wire Bonding）技术，这种方案的 IO 数量有限、信号损耗较大、散热效率不足，无法结合 HBM 技术。因此三星计划采用改进的 VCS 方案，将芯片内部的铜柱从 3:1~5:1 提升至 15:1~20:1，可在有限面积中塞入更多铜线，进一步提升带宽。 不过，当铜柱直径低于 10 微米时就容易出现弯曲、断裂等不稳定现象。因此三星决定采用 FOWLP 技术作为补强。先对芯片进行模塑（IT之家注：Molding），然后把布线向外围扩展，同时承担支撑铜柱作用，防止变形。 如果这套方案能成功验证，理论带宽可提升 15-30%，并且还能在相同空间下塞入更多 I/O 接口。 虽然这套方案还处于研发阶段，但业内认为，三星最快会在 Exynos 2800 后期版本或 Exynos 2900 中集成相关技术。
IT之家 5 月 14 日消息，据韩媒 The Elec 今日报道，韩国半导体氢氟酸供应链再次面临压力。关键上游材料价格大涨后，市场预计 6 月和 7 月 还会迎来一轮涨价 。 无水氟化氢是生产半导体级氢氟酸的核心原料。受中东紧张局势引发的供应中断影响，冲击已经 传导至化学品市场 ，价格自年初以来 上涨约 40% 。 SoulBrain、ENF Technology 和 Foosung 本月已经开始以明显更高的价格采购中国无水氟化氢。三家企业会先将无水氟化氢与去离子水加工，再向芯片制造商供应半导体级氢氟酸。业内人士预计，随着供应商转嫁原料成本，到 6 月底或 7 月， 供应给三星电子和 SK 海力士的氢氟酸价格将明显上涨 。 这轮冲击的源头是 硫 。硫是原油和天然气炼制过程中产生的副产品，可用于生产硫酸；硫酸又是利用萤石制造无水氟化氢的必要材料。中东冲突导致霍尔木兹海峡关闭后， 全球超过 30% 的硫供应实际上退出市场 ，硫酸价格随之大幅上涨，并进一步推高整个氢氟酸供应链成本。 氢氟酸仍是半导体制造中最关键的化学品之一，尤其用于蚀刻和清洗工序。氢氟酸可以去除晶圆表面的氧化层和金属污染物。半导体级氟化氢通常会制成 49% 水溶液，再用超纯水稀释。 韩国在硫酸生产上 基本能够自给 。韩国锌业、LS MnM 等企业的有色金属冶炼副产品可以支撑本土硫酸供应。然而，韩国几乎没有本土无水氟化氢产能，韩国半导体材料企业使用的无水氟化氢 约 90% 来自中国 。
IT之家 5 月 14 日消息，据韩媒 mk 今日报道，三星电子 今日起开始削减产量以应对罢工 。 三星电子正在限制投入产线前端的新增晶圆数量，并以单价较高的最新工艺为中心重新调整产品组合。 据业界透露，如果罢工全面展开，加上事前预备作业和事后稳定作业，预计一个月以上的生产中断将不可避免， 直接和间接损失估计将达 100 万亿韩元 （IT之家注：现汇率约合 4561 亿元人民币）。 三星电子在罢工前就开始削减产量，这是因为半导体产业与其他行业不同，芯片制造商必须从罢工前就开始进行产量和质量管理，才能将损失降至最低。此外，为了预先防止罢工导致的质量问题发生，公司在罢工前便提前缩减了产量。 三星电子工会计划从本月 21 日开始进入总罢工。申请参加罢工的人数已经突破 4.3 万人，如果这些人实际投入罢工， 三星电子半导体工厂整体极有可能面临实际上停工的局面 。 报道称三星电子比起直接损失，更多担心的是“无形资产成本”。如果因罢工导致向客户供应存储器出现差错，三星电子数十年来积累的信誉可能会瞬间崩塌。 相关阅读： 《 韩国政府表态：绝不能让三星电子罢工，将全力推动劳资双方谈判 》 《 三星劳资谈判破裂，5 万人计划罢工 18 天威胁 AI 芯片生产 》 《 三星员工抗议与 SK 海力士存在巨大薪资差距，威胁将长期罢工 》