IT之家 5 月 27 日消息，台媒《工商时报》今日援引供应链消息称， 台积电 (TSMC) 今年下半年将再度调升 3nm 制程工艺的晶圆代工报价 ，涨幅最大可达 15%；后续在 2027 年还有 5~10% 增长空间。 随着英伟达 Vera Rubin 平台的加速量产和各大科技巨头 ASIC 项目的逐步推进， 台积电在 3nm 节点迎来 AI 服务器领域的强劲需求 。 另一方面，尽管移动芯片的需求大幅下滑，但新一代 2nm SoC 的高昂定价也将导致更多下代机型选择沿用既有 3nm 芯片，这也在一定程度上缓和了 3nm 移动 AP 投片量受到的冲击。 供应链表示，台积电的主力 3nm 厂区是其位于台南南部科学园区的 Fab18，其产能利用率持续处于高位。而从公司整体层面，该企业今年初 3nm 月产能约为 13 万片晶圆，本季度则会到 16~17.5 万片水平。 ▲ 图源：台积电 IT之家注意到，AI ASIC 设计服务企业世芯 (AIchip) 在其五月初的财报电话会议中提到， 目前的 AI 芯片产业链供应瓶颈在前端晶圆产能 ，而非封装或是 CoWoS 这些后端步骤。
IT之家 5 月 13 日消息，AMD 当地时间 12 日宣布扩展锐龙 (Ryzen) PRO 9000 系列处理器阵容，在此前 PRO 9645 / 9745 / 9945 这三款 65W 处理器之外 提供六款默认 TDP 更高的产品 ，这其中还 包括首批支持 3D V-Cache 的 MSDT 级锐龙 PRO 型号 。 AMD 表示搭载新处理器型号的系统将于 2026H2 面向组织推出。 常规型号 核心 / 线程 加速频率 基准频率 默认 TDP 锐龙 9 PRO 9965 16C / 32T 5.5GHz 4.3GHz 170W 锐龙 9 PRO 9955 12C / 24T 5.4GHz 3.4GHz 120W 锐龙 7 PRO 9755 8C / 16T 3.8GHz 锐龙 5 PRO 9655 6C / 12T 3.9GHz 3D V-Cache 型号 核心 / 线程 加速频率 基准频率 默认 TDP 锐龙 9 PRO 9965X3D 16C / 32T 5.5GHz 4.3GHz 170W 锐龙 7 PRO 9755X3D 8C / 16T 5.2GHz 4.7GHz 120W 上述 X3D 产品均仅配备 1 个 3D V-Cache Die
IT之家 5 月 7 日消息，Qualcomm（高通）美国当地时间今日发布两款新的 Snapdragon（骁龙）移动平台，分别是 6 Gen 5（第五代骁龙 6）、4 Gen 5（第五代骁龙 4）。基于这两颗芯片的终端设备将于今年下半年推出。 新芯片均引入 Snapdragon Smooth Motion UI，提升设备交互体验。其中 6 Gen 5 应用启动加速 20%，屏幕卡顿减少 18%；4 Gen 5 应用启动加速 43%，屏幕卡顿减少 25%。 第五代骁龙 6 骁龙 6 Gen 5 型号为 SM6850，其采用 4nm 制程工艺，搭载 4 颗 2.6GHz 性能核与 4 颗 2.0GHz 能效核，GPU 性能提升 21%，可搭配至高 16GB 的 LPDDR4X-4200 / LPDDR5-6400 内存和 UFS 3.1 嵌入式闪存。 该移动平台兼容 FHD+ 144Hz 屏幕；移动蜂窝网络下行可达 2.8 Gbps， 可选配 Wi-Fi 7 (320MHz) 支持 ；具备双 12-bit DSP，最高可拍摄 200MP 照片；USB 接口为 480Mbps (2.0) 规格。 第五代骁龙 4 骁龙 4 Gen 5 也称 SM4850，同样基于 4nm，搭载 2 颗 2.4GHz 性能核与 6 颗 2.0GHz 能效核， GPU 性能大幅提升 77% ，存储器方面支持 LPDDR4X-4267 和双通道 UFS 3.1。 这一移动平台兼容 FHD+ 144Hz / HD+ 120Hz 屏幕；移动蜂窝网络下行 2.8Gbps、上行 900Mbps，WLAN 仅支持 Wi-Fi 5 和蓝牙 5.1；具备双 12-bit DSP，最高可拍摄 108MP 照片；USB 接口为 480Mbps (2.0) 规格。
IT之家 4 月 23 日消息，SK 海力士 (hynix) 当地时间今日举行了 2026Q1 财报电话会议，会上该企业高管表示海力士的 HBM4E 内存正以 2027 年量产的目标顺利推进开发工作，计划 2026H2 开始供应样品。 SK 海力士在 HBM4E 上将使用基于 1c nm 制程工艺的 DRAM 裸片 ，这一节点已在多款其它产品中得到验证，良率和量产能力达到了成熟阶段；而基础裸片部分正在基于满足客户性能要求的最优技术进行开发。 SK 海力士代表认为谷歌 TurboQuant 等数据压缩技术的设计意图是提升内存应用效率而不是减少内存用量。随着 AI 服务变得更加普及， 内存需求还会进一步增加 ；而 AI 服务的多样化也将推动 存储半导体的进一步分层 。 在闪存端，该企业目标在 2026 年将超过一半的韩国本土产能转换为 V9 NAND，从 176 层 V7 到 321 层 V9 的跨越式进步 将大幅提升 NAND 生产效率 。 SK 海力士未来的产能扩充重心是逐步推进的龙仁半导体集群， 目前没有其它的晶圆厂建设或收购计划 ，但其同时表示将灵活应对全球内存需求的中长期增长。
IT之家 4 月 17 日消息，代表性的成熟制程企业联华电子（联电，UMC）宣布将 于今年下半年调整晶圆代工服务价格 。 作为纯成熟制程龙头，联电表示其看到通信、工业、消费电子、人工智能等广泛领域的需求持续强劲。这一势头推动联电全产品线产能持续紧张，且供不应求的局面日益加剧。为满足这一需求，联电持续提升制造效率，加大技术与产能投入。 额外的投资和原材料、能源、物流等领域成本的上升推动联电做出此次代工价格调整 ，具体涨幅将根据联电的产品组合策略、产能协议、长期合作伙伴关系等因素制定。
IT之家 4 月 16 日消息，韩国 Fabless 芯片设计企业 Panmnesia 当地时间今日宣布，该公司将于今年下半年量产全球首款支持 CXL 3.2 规范所有功能的 Switch 交换芯片 PanSwitch。这款芯片已在 2025 年 10 月实现了首次出样。 PanSwitch 是一款 256 通道 PCIe 6.4 - CXL 3.2 融合交换芯片，支持标准 PCIe 6.4 通信也兼容全部三种 CXL 子协议。同时其 率先实现了基于端口的路由 (PBR) ，支持任意互联拓扑，可缩短数据传输路径、提升系统性能。 IT之家了解到，Panmnesia 在 PanSwitch 上应用了自研控制器与 IP，延迟低至数十 ns，控制器逻辑支持用户自定义；同时其支持级联，可通过多层次交换沟通数千个 PCIe / CXL 设备。