sk-d298e06b4da575cb1acc012f48e51e16aae3fb64564e1744a1227ff2be958f53 请求地址： https://gw2.oops.asia 交给大家伙了！ 3 个帖子 - 3 位参与者 阅读完整话题
IT之家 5 月 12 日消息，Noctua（猫头鹰）本次并未让喜欢黑色静音风扇的用户等到 6 月初：这家奥地利企业当地时间今日正式推出了 NF-A12x25 G2 chromax.black ，以纯黑配色呈现其新一代旗舰 120mm 风扇。 NF-A12x25 G2 PWM chromax.black 单颗装售价 34.9 美元（IT之家注：现汇率约合 237.6 元人民币）；Sx2-PP chromax.black 差速双连套装则是 64.9 美元（现汇率约合 441.9 元人民币）。 猫头鹰在四月末的博客文章中表示，其 G2 风扇家族实现了更低的叶框间隙，这意味着风扇的公差需要严格控制以保障在长时间的使用中不会产生导致叶框相撞的形变。 这种精细程度已接近注塑成型工艺能够稳定复制的极限， 此时染色颜料变量的重要性愈发凸显 ：标准猫头鹰风扇采用的是米色或棕色金属氧化物颜料， chromax.black 款则通常会用到颗粒更为细致的炭黑，这一差异会改变熔融塑料的粘度、吸热性、结晶行为。 猫头鹰仅在米色或棕色原版风扇量产稳定后才会启动黑色款产品的生产，而黑色款必须经历单独的长期高温测试，这至少会造成 6 个月的延迟；如果模具需要大幅修改，那延迟时间将进一步延长。
IT之家 5 月 10 日消息，Noctua（猫头鹰）近日在全球社交平台对一款黑色风扇进行了预热。从尺寸和时间点推测， 该产品是预计本季度发布的 NF-A12x25 G2 风扇 chromax.black 黑化版 。 IT之家注意到，与 NF-A12x25 G2 chromax.black 一道被列在猫头鹰路线图 Q2 2026 位置的 还有 AIO（一体式）液冷散热器和内置风扇的 Pulsar Feinman Noctua Edition 联名鼠标 。这三款产品有望在 2026 COMPUTEX 台北国际电脑展上正式发布。
针对旗下旗舰风扇NF-A12x25 G2黑色版再次推迟上市的现象，知名散热品牌猫头鹰Noctua近期进行了官方揭秘，详细解释了黑色版产品发布周期为何总是比标准版晚近10个月。 猫头鹰官方表示，制造黑色风扇绝非简单的在塑料中添加黑色染料，其核心原因在于品牌对制造精度的极致追求。 以NF-A12x25系列为例，其叶轮尖端与边框之间的间隙仅为0.5mm， 这种微米级的公差控制是其维持高静压、低噪音性能的关键，但也给更换材质带来了巨大挑战。 注塑成型工艺中，塑料熔液注入钢制模具后的冷却硬化过程至关重要。 当塑料配方中加入碳黑Carbon Black等黑色素后，材料的物理特性会发生显著改变。 黑色材料的结晶方式、流动性以及冷却收缩率与原始的棕色材料完全不同，即使是极微小的配方变动，也会导致最终成品产生零点几毫米的尺寸偏差，这种偏差会直接导致叶片刮擦边框或性能大幅下滑。 为了保证黑色版本拥有与原版完全一致的顶级性能，猫头鹰拒绝直接复用旧模具，而是选择重新设计并开发生产模具。 每一套针对黑色材质微调后的新模具，在正式投产前都必须经过至少6到12个月的可靠性验证与性能测试。 根据官方公布的流程，黑色风扇的研发验证通常在标准版投产后才正式启动，如果测试环节出现反复，延迟周期甚至会拉长到12个月以上。 受限于产能、物流以及复杂的验证流程，部分产品的黑化之路异常坎坷。此前第一代NF-A12x25黑色版曾因供应链等因素比原版晚了3年才面世，此次G2版本将延迟缩短至10个月，已是优化流程后的结果。 此外，猫头鹰确认由于白色材料在高温环境下维持精度及防发黄验证难度更高，已在2024年产品路线图中取消了白色风扇计划，且目前明确表示没有研发白色版NH-D15 G2散热器的打算。 查看评论
在日前的北美技术论坛上，台积电不仅宣布了A13、A12、N2U等新工艺技术，同时还谈到了台积电在美国的芯片布局战略。对于在美国建厂，业界一直的担心是美国成本太高，是否会影响台积电的利润，这主要反映在良率上， CEO魏哲家表示台积电在美国亚利桑那州的芯片工厂进展顺利，良率已经跟台积电本土工厂相当。 不过他没有给出具体数值，台积电美国芯片工厂目前主要生产4nm工艺芯片，在台积电的工厂中这已经算是比较成熟稳定的工艺了。 台积电在美国的芯片投资总额将达到1650亿美元，目前还在建设第二座晶圆厂，预计明年投产。 台积电向美国转移先进芯片产能不是一蹴而就的事，目前生产的芯片还需要从美国运回来本土工厂封装，因为美国工厂不具备先进封装技术。 为此台积电接下来也会在美国建设先进封装工厂，把CoWoS及3D-IC两种先进封装的核心技术转移到美国， 台积电全球业务资深副总及副共同运营长张晓强已经确认会在2029年前于美国建成封装厂。 CoWoS及3D-IC虽然是封装技术，但技术难度及加工价格不输先进工艺，苹果、NVIDIA、AMD等公司的高端CPU、GPU都离不开这些技术，甚至比单纯的先进工艺更容易导致产能受限。 未来美国芯片工厂一旦实现了先进工艺生产及先进封装、测试，再加上美国原本就极强的芯片设计，在半导体全产业链上的优势就回来了，意义非凡。 查看评论
台积电在本周三于北美技术论坛上公布了其一直延伸到2029年的先进制程技术路线图，系统梳理了1.2纳米与1.3纳米级别的新一代制程（A12、A13），意外揭晓了N2家族的新成员N2U，并确认在2029年前的各节点规划中仍未引入高数值孔径（High‑NA）EUV光刻机。 相比具体节点参数，台积电此次更强调其在节点演进上的“多路径”策略：针对不同终端市场采用差异化的工艺节奏，而非以单一通用节点覆盖全部应用。 从营收结构变化来看，台积电过去的主要收入来自智能手机，但近年来人工智能和高性能运算（HPC）业务的增长已超过手机业务，这一趋势清晰地反映在最新路线图上。 公司将领先制程按终端需求进行分化：一条路线每年为客户端与手机产品推出一代新工艺，另一条则每两年为AI与HPC推出一代重点提升性能的节点。 面向手机与客户端市场的，将包括N2、N2P、N2U、A14与A13等制程，强调成本、能效、IP复用与设计兼容性，并接受以“每年小步快跑”的增量式改进。 面向AI/HPC市场的，则包括A16和A12，它们必须在性能上提供足够显著的提升，以支撑客户转向成本更高的新节点，同时成本因素在这一细分市场的优先级相对较低。 在客户端路线中，去年台积电已发布A14制程，将采用第二代环绕栅极（GAA）纳米片晶体管，并配合NanoFlex Pro技术，计划于2028年作为高端智能手机和客户端产品的旗舰节点。 今年新公布的A13则是在A14基础上的光学收缩版本，通过缩小约3%的线宽，实现约6%的晶体管密度提升，同时保持与A14在设计规则和电气特性上的完全兼容，从而以最小的研发与验证成本，为客户带来额外的能效收益。 这一做法延续了台积电先前在N12、N6、N4、N3P等节点上采用的光学缩放传统，但整体收益更偏向温和的“微升级”，而不再是全面的“整节点跃迁”。 相比之下，要完全释放A14在功耗、性能与密度上的全部优势，芯片与IP设计方必须采用全新工具链、IP以及设计方法；而A13通过设计‑工艺协同优化（DTCO），在不改变既有设计的前提下，提供可直接兑现的增量收益。 按照台积电规划，A13预计将在2029年进入量产。 除了A14/A13路线，台积电还计划为已投资N2平台的客户提供成本较低的升级路径——N2U。 N2U是N2平台的第三年延伸版本，同样通过DTCO带来约3%–4%的性能提升（在相同功耗下），或在维持相同速度的前提下降低约8%–10%的功耗，同时带来约2%–3%的逻辑密度提升。 新节点保持与N2P的IP兼容，这意味着客户可以在不迁移到全新工艺的情况下，利用既有IP开发新产品，尤其适用于从高端平台下沉到中端产品线的设计情境。 台积电技术研发高层张晓强表示，公司将持续在节点导入后，通过后续衍生版本不断强化性能、功耗和密度表现，帮助客户在延长设计使用周期的同时，获得渐进式的PPA（性能、功耗、面积）收益。 在面向高性能数据中心与AI训练的路线中，N2最初既面向客户端也面向数据中心，但台积电另外规划了具备背面供电架构的A16，以进一步释放性能潜力。 A16本质上可视为在N2P基础上叠加Super Power Rail（SPR）背面电源方案的工艺，继续使用第一代纳米片GAA晶体管，并在功耗、性能和晶体管密度方面明显优于N2与N2P，但成本亦随之上升。 值得注意的是，台积电现在将A16标注为“2027年量产节点”，相较此前对外传达的时间表，等于从2026年滑移至2027年。 公司解释称，A16节点将在2026年具备量产准备就绪能力，但实际量产爬坡节奏仍取决于客户导入计划，因此整体时间线的对外口径对齐为2027年。 在A16到来之前，台积电也不会用A16完全取代N2X——后者是在传统正面供电下，对N2P进行性能增强、进一步追求极限时钟的变体，依然面向追求高频的高性能应用。 A16之后，接力棒将交到A12手中。A12预计在2029年面向数据中心级节点带来“整节点级”的升级，其演进逻辑与A14相对于N2的关系类似：依托第二代纳米片GAA和NanoFlex Pro技术，在性能、功耗和密度方面实现更大幅度的综合改善。 虽然台积电目前尚未披露具体量化指标，但从技术框架上看，A12可视为搭载第二代GAA与更成熟背面供电方案的“全新数据中心旗舰节点”。 公司方面也强调，从A16到A12的演进，不只是几何尺寸上的缩小，更包括在背面供电路径、电源完整性以及整体布线架构上的系统性优化，只有同时压缩前段（前端布线与有源区）与后段（背面供电）尺寸，才能达成整体密度收益。 在整个路线图中，一个引人注目的技术选择是：直至2029年，台积电规划中的A13与A12等先进节点都不会采用High‑NA EUV光刻机。 这与英特尔在14A及后续节点上计划自2027–2028年起引入High‑NA EUV的策略形成鲜明对比。 台积电技术主管张晓强表示，公司研发团队至今仍能在现有EUV平台上挖掘出足够的工艺缩放空间，无需立即转向更昂贵且更复杂的High‑NA设备；未来某一时刻可能不得不采用High‑NA，但当前仍能在现有EUV体系下持续推进技术演进。 在成本压力和产能可用性的考量下，这一延后采用High‑NA的策略，意味着台积电希望在维持竞争力与控制资本开支之间取得平衡，同时通过设计与工艺协同优化，尽可能延长现有工具与平台的生命周期。 查看评论
IT之家 4 月 23 日消息，台积电 (TSMC) 美国当地时间 22 日举行了 2026 年北美技术论坛，其中在尖端逻辑制程方面该企业揭示了 A14 后的 A13、A12 尖端工艺，这两项技术均将于 2029 年量产。 A13 是对 A14 的直接光学收缩，在设计规则与 A14 完全向后兼容的同时节省了 6% 的面积。此外其通过设计与技术协同优化，提供了额外的能效及性能提升。 而 A12 是台积电在 A16 后的新一代的超级电轨 (Super Power Rail) 背面供电工艺，面向 AI / HPC 应用场景。 ▲ 图源：台积电 台积电还宣布了 2nm 平台的演进版本 N2U ，其速度较 N2P 提升 3-4% 或功耗降低 8-10% ，逻辑密度提升 2-3%，预计于 2028 年开始生产。一并推出的还有首款采用 GAA 的车用制程技术 N2A ，其在相同功耗下速度较今年投产的 N3A 提升 15-20%，预计于 2028 年完成 AEC-Q100 验证。 在相对成熟的逻辑工艺方面，台积电今年将率先将高压技术引入 FinFET 晶体管技术，带来面向 DDIC 的 N16HV 制程技术。这项工艺相较 N28HV 栅极密度增加 41%，功耗降低 35%。