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在日前的北美技术论坛上，台积电不仅宣布了A13、A12、N2U等新工艺技术，同时还谈到了台积电在美国的芯片布局战略。对于在美国建厂，业界一直的担心是美国成本太高，是否会影响台积电的利润，这主要反映在良率上， CEO魏哲家表示台积电在美国亚利桑那州的芯片工厂进展顺利，良率已经跟台积电本土工厂相当。 不过他没有给出具体数值，台积电美国芯片工厂目前主要生产4nm工艺芯片，在台积电的工厂中这已经算是比较成熟稳定的工艺了。 台积电在美国的芯片投资总额将达到1650亿美元，目前还在建设第二座晶圆厂，预计明年投产。 台积电向美国转移先进芯片产能不是一蹴而就的事，目前生产的芯片还需要从美国运回来本土工厂封装，因为美国工厂不具备先进封装技术。 为此台积电接下来也会在美国建设先进封装工厂，把CoWoS及3D-IC两种先进封装的核心技术转移到美国， 台积电全球业务资深副总及副共同运营长张晓强已经确认会在2029年前于美国建成封装厂。 CoWoS及3D-IC虽然是封装技术，但技术难度及加工价格不输先进工艺，苹果、NVIDIA、AMD等公司的高端CPU、GPU都离不开这些技术，甚至比单纯的先进工艺更容易导致产能受限。 未来美国芯片工厂一旦实现了先进工艺生产及先进封装、测试，再加上美国原本就极强的芯片设计，在半导体全产业链上的优势就回来了，意义非凡。 查看评论
台积电在本周三于北美技术论坛上公布了其一直延伸到2029年的先进制程技术路线图，系统梳理了1.2纳米与1.3纳米级别的新一代制程（A12、A13），意外揭晓了N2家族的新成员N2U，并确认在2029年前的各节点规划中仍未引入高数值孔径（High‑NA）EUV光刻机。 相比具体节点参数，台积电此次更强调其在节点演进上的“多路径”策略：针对不同终端市场采用差异化的工艺节奏，而非以单一通用节点覆盖全部应用。 从营收结构变化来看，台积电过去的主要收入来自智能手机，但近年来人工智能和高性能运算（HPC）业务的增长已超过手机业务，这一趋势清晰地反映在最新路线图上。 公司将领先制程按终端需求进行分化：一条路线每年为客户端与手机产品推出一代新工艺，另一条则每两年为AI与HPC推出一代重点提升性能的节点。 面向手机与客户端市场的，将包括N2、N2P、N2U、A14与A13等制程，强调成本、能效、IP复用与设计兼容性，并接受以“每年小步快跑”的增量式改进。 面向AI/HPC市场的，则包括A16和A12，它们必须在性能上提供足够显著的提升，以支撑客户转向成本更高的新节点，同时成本因素在这一细分市场的优先级相对较低。 在客户端路线中，去年台积电已发布A14制程，将采用第二代环绕栅极（GAA）纳米片晶体管，并配合NanoFlex Pro技术，计划于2028年作为高端智能手机和客户端产品的旗舰节点。 今年新公布的A13则是在A14基础上的光学收缩版本，通过缩小约3%的线宽，实现约6%的晶体管密度提升，同时保持与A14在设计规则和电气特性上的完全兼容，从而以最小的研发与验证成本，为客户带来额外的能效收益。 这一做法延续了台积电先前在N12、N6、N4、N3P等节点上采用的光学缩放传统，但整体收益更偏向温和的“微升级”，而不再是全面的“整节点跃迁”。 相比之下，要完全释放A14在功耗、性能与密度上的全部优势，芯片与IP设计方必须采用全新工具链、IP以及设计方法；而A13通过设计‑工艺协同优化（DTCO），在不改变既有设计的前提下，提供可直接兑现的增量收益。 按照台积电规划，A13预计将在2029年进入量产。 除了A14/A13路线，台积电还计划为已投资N2平台的客户提供成本较低的升级路径——N2U。 N2U是N2平台的第三年延伸版本，同样通过DTCO带来约3%–4%的性能提升（在相同功耗下），或在维持相同速度的前提下降低约8%–10%的功耗，同时带来约2%–3%的逻辑密度提升。 新节点保持与N2P的IP兼容，这意味着客户可以在不迁移到全新工艺的情况下，利用既有IP开发新产品，尤其适用于从高端平台下沉到中端产品线的设计情境。 台积电技术研发高层张晓强表示，公司将持续在节点导入后，通过后续衍生版本不断强化性能、功耗和密度表现，帮助客户在延长设计使用周期的同时，获得渐进式的PPA（性能、功耗、面积）收益。 在面向高性能数据中心与AI训练的路线中，N2最初既面向客户端也面向数据中心，但台积电另外规划了具备背面供电架构的A16，以进一步释放性能潜力。 A16本质上可视为在N2P基础上叠加Super Power Rail（SPR）背面电源方案的工艺，继续使用第一代纳米片GAA晶体管，并在功耗、性能和晶体管密度方面明显优于N2与N2P，但成本亦随之上升。 值得注意的是，台积电现在将A16标注为“2027年量产节点”，相较此前对外传达的时间表，等于从2026年滑移至2027年。 公司解释称，A16节点将在2026年具备量产准备就绪能力，但实际量产爬坡节奏仍取决于客户导入计划，因此整体时间线的对外口径对齐为2027年。 在A16到来之前，台积电也不会用A16完全取代N2X——后者是在传统正面供电下，对N2P进行性能增强、进一步追求极限时钟的变体，依然面向追求高频的高性能应用。 A16之后，接力棒将交到A12手中。A12预计在2029年面向数据中心级节点带来“整节点级”的升级，其演进逻辑与A14相对于N2的关系类似：依托第二代纳米片GAA和NanoFlex Pro技术，在性能、功耗和密度方面实现更大幅度的综合改善。 虽然台积电目前尚未披露具体量化指标，但从技术框架上看，A12可视为搭载第二代GAA与更成熟背面供电方案的“全新数据中心旗舰节点”。 公司方面也强调，从A16到A12的演进，不只是几何尺寸上的缩小，更包括在背面供电路径、电源完整性以及整体布线架构上的系统性优化，只有同时压缩前段（前端布线与有源区）与后段（背面供电）尺寸，才能达成整体密度收益。 在整个路线图中，一个引人注目的技术选择是：直至2029年，台积电规划中的A13与A12等先进节点都不会采用High‑NA EUV光刻机。 这与英特尔在14A及后续节点上计划自2027–2028年起引入High‑NA EUV的策略形成鲜明对比。 台积电技术主管张晓强表示，公司研发团队至今仍能在现有EUV平台上挖掘出足够的工艺缩放空间，无需立即转向更昂贵且更复杂的High‑NA设备；未来某一时刻可能不得不采用High‑NA，但当前仍能在现有EUV体系下持续推进技术演进。 在成本压力和产能可用性的考量下，这一延后采用High‑NA的策略，意味着台积电希望在维持竞争力与控制资本开支之间取得平衡，同时通过设计与工艺协同优化，尽可能延长现有工具与平台的生命周期。 查看评论
IT之家 4 月 23 日消息，台积电 (TSMC) 美国当地时间 22 日举行了 2026 年北美技术论坛，其中在尖端逻辑制程方面该企业揭示了 A14 后的 A13、A12 尖端工艺，这两项技术均将于 2029 年量产。 A13 是对 A14 的直接光学收缩，在设计规则与 A14 完全向后兼容的同时节省了 6% 的面积。此外其通过设计与技术协同优化，提供了额外的能效及性能提升。 而 A12 是台积电在 A16 后的新一代的超级电轨 (Super Power Rail) 背面供电工艺，面向 AI / HPC 应用场景。 ▲ 图源：台积电 台积电还宣布了 2nm 平台的演进版本 N2U ，其速度较 N2P 提升 3-4% 或功耗降低 8-10% ，逻辑密度提升 2-3%，预计于 2028 年开始生产。一并推出的还有首款采用 GAA 的车用制程技术 N2A ，其在相同功耗下速度较今年投产的 N3A 提升 15-20%，预计于 2028 年完成 AEC-Q100 验证。 在相对成熟的逻辑工艺方面，台积电今年将率先将高压技术引入 FinFET 晶体管技术，带来面向 DDIC 的 N16HV 制程技术。这项工艺相较 N28HV 栅极密度增加 41%，功耗降低 35%。
之前买的阿里的套餐，根本没用上，都遗忘了，刚通知要要过期了，需要的佬们 拿去吧 sk-sp-1dd7e900e5cc4e0db5bb99a13212a043 4 个帖子 - 3 位参与者 阅读完整话题
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