IT之家 5 月 20 日消息，集邦咨询昨日（5 月 19 日）发布博文，基于德国设备商 SCHMID 透露信息，台积电正推进面板级封装， 重点规格为 310×310 毫米，并在同尺寸上评估玻璃材料整合。 德国设备商 SCHMID 首席销售官 Roland Rettenmaier 表示，包括台积电、英特尔和三星在内，整个行业正逐步走向标准化，目前主流有 310×310 毫米、510×515 毫米、600×600 毫米等多种面板尺寸。IT之家附上相关图表如下： 与传统圆形晶圆封装不同，面板级封装采用矩形路径，目标是以玻璃基板替代部分传统硅晶圆方案，从而减少边缘浪费。 相关报道指出，这类材料转换有望突破有机基板与硅中介层的物理限制，并提升芯片排布密度，因此被视为下一代先进封装的重要候选技术。 在台积电方面，其面板级封装平台已被命名为 CoPoS，英文全称为 Chip-on-Panel-on-Substrate（板上芯片再上基板）。行业消息显示，该平台最早可能在 2028 年量产。 CoPoS 以面板 (Panel) 取代 CoWoS 中的晶圆 (Wafer)，这可实现更大的封装面积，提升生产效率、降低制造成本，然而也面临着均匀与翘曲等亟待解决的问题。 供应链层面，SCHMID 表示，英特尔虽不是自有面板、印刷电路板与封装基板产线的直接经营者，但会通过 Ibiden、Unimicron 等合作伙伴形成间接需求。 公司判断，在英特尔及大型原始设备制造商推动下，更多厂商正从小规模生产起步，再逐步放大产量，这种扩产路径更符合新封装技术早期导入节奏。
IT之家 4 月 20 日消息，台媒《电子时报》在本月 17 日的报道中提到，台积电 (TSMC) 的 CoPoS 先进封装目前最快预计 2030 年末量产，相较普遍预计显著延后。 CoPoS 以面板 (Panel) 取代 CoWoS 中的晶圆 (Wafer)，这可实现更大的封装面积，提升生产效率、降低制造成本，然而 也面临着均匀与翘曲等亟待解决的问题 。 IT之家附上报道整理的台积电 CoPoS 时间线：2026Q3 启动研发 → 2027Q3 下达中试线设备订单 → 2028Q2 中试线设备导入 → 2029Q3 下达量产设备订单 → 2030Q1 量产线设备导入 → 2030Q4 首批量产品完工。 此外，报道还指出台积电将在 2027 年显著提升 SoIC 先进封装工艺的产能， 从月均 1 万片迅速提升到月均 5 万片 ，应对英伟达的大额需求，这其中一成将用于光电合封（也称共封装光学，即 CPO）。
IT之家 4 月 13 日消息，据 TrendForce 今天报道，台积电新一代封装技术 CoPoS（Chip-on-Panel-on-Substrate，基板上面板芯片封装）已在今年 2 月开始向研发团队交付设备， 整条产线预计今年 6 月完工 。 据报道，CoPoS 兴起表明行业正通过转向“拼板”解决先进封装瓶颈问题。随着 AI 芯片光掩模（IT之家注：Photomask）尺寸不断扩大，一块晶圆能产出的芯片正在不断减少，例如英伟达 Rubin GPU 尺寸是传统芯片的 5.5 倍，传统 12 英寸晶圆如今只能容纳 7 颗芯片，某些情况下甚至只能产出 4 颗。 并且方形“拼板”还能为晶圆利用率、产能带来显著提升， 长期目标是以玻璃基板取代硅中介层（interposer） 。 与此同时，台积电可能会在台南嘉义建立首条 CoPoS 试点产线，有望在当地展开量产，整合 CoPoS、SoIC、WMCM 等先进技术生产能力。公司还计划将中国台湾地区的 8 英寸晶圆厂改造为先进封装设施，当前的后段工厂将配合 2nm 先进制程生产。 机构分析认为，新竹 AP1 工厂将支撑新竹、台中生产基地 2nm 封装需求，龙潭 AP3 工厂则主要为苹果芯片提供 WMCM 与 InFO 解决方案。
分析师郭明錤发文称，台积电下一代先进封装CoPoS预计将于2028年下半年量产。据研究，玻璃材料不会替代ABF薄膜，芯片互连功能由芯片侧重布线层（RDL）、玻璃基板内的玻璃通孔/铜互连结构，以及ABF积层共同实现。因此玻璃与ABF薄膜为搭配共存结构，不存在替代关系。（财联社）
台积电董事长暨总裁魏哲家于股东会回应先进封装技术布局时指出，针对市场关注从CoWoS推进至CoPoS，台积电目前已建置CoPoS试产线，预估需要二至三年，产量才会达到相当大的规模。（界面）