IT之家 6 月 6 日消息，据科技媒体 Wccftech 今天报道，AMD 在台北电脑展 2026 期间表示，AM5 插槽的生命周期将延长至 2029 年，未来几年还会有全新 Zen 架构的产品推出。公司不急于推出下一代平台， 全新 CPU 插槽只会在 DDR6/PCIe 6 等新技术真正普及后才会发布 。 AMD 锐龙 CPU 与 Radeon 显卡业务副总裁大卫 · 迈克菲（IT之家注：David McAfee）表示，AM4 和 AM5 平台目前对发烧友、游戏玩家及 DIY 用户依然非常有价值，因此公司不急于推出新的平台。与此同时，PC 行业正持续被“内存危机”波及，内存、硬盘等硬件的价格都水涨船高，导致用户换机成本激增。 AMD 回忆称， 公司 2022 年推出 AM5 平台时 ， 原本预计 DDR6 会在 2027-2028 年左右普及 。过去每一次平台升级往往都会伴随着内存标准升级，因为新标准出现会压低旧内存价格，从而推动市场向新平台过渡。但从现在的情况看， 现实并没有跟着预想发展 。 迈克菲强调， 更换 CPU 插槽远不只换一个接口那么简单 。他说道：“更新插槽意味着主板必须重新设计内存布线、PCIe 通道布局、电源、超频等复杂部分。你要知道我们在 AM4 之前几乎是一两年就换一次插槽，对用户来说太痛苦了，而且对零售商、ODM 厂商和合作伙伴来说也太过复杂”。 因此他认为，一个 CPU 平台能够长期支持才能为整个 PC 生态带来巨大好处。 他甚至理解英特尔近年来延长平台寿命的做法 ：“我能够理解他们现在也选择这么做，因为这种策略更加合理。给用户提供一个能够支持多代处理器的平台，本身就是正确方向”。 AMD 认为，未来是否推出新平台 / 新 CPU 插槽主要看三大方向。其一是行业标准发展， 例如 DDR6/PCIe 6.0 等下一代技术确实是推动新平台诞生的关键因素 。 但话说回来，有新标准并不一定意味着插槽要跟着升级，例如 PCIe 4.0 和 PCIe 5.0 相比，主板电路设计需要更复杂、还得额外增添信号中继器。结果导致主板价格大幅上涨，且 PCIe 5.0 固态硬盘虽然理论速度翻倍，但游戏加载速度和系统启动速度却没有带来明显变化。 因此 AMD 觉得，上述新技术并不一定会催生新平台，主要还是要看用户端的成本是否能够接受。 此外，AMD 还会考虑新技术以外的用户需求变化，例如是否需要更多 NVMe 固态硬盘、是否需要更多 PCIe 插槽、是否需要更高供电能力等。 只有实在需求发生重大变化时 ， AMD 才会推出全新插槽平台 。
IT之家 5 月 22 日消息，综合油管博主 Moore's Law Is Dead 今日视频内容和消息人士 @金猪升级包 的补充， 英特尔预计将在 "Razor Lake" 后的 "Titan Lake" 移动处理器中首次引入对 LPDDR6 内存的支持 。 由于届时仍处于 LPDDR5X 向 LPDDR6 过渡的时期，因此 "Titan Lake" 的 U (HL) / P (HM) / PX (HPX / AX) 变体仍将兼容 128-bit LPDDR5X 内存，U / PX 还支持 DDR5；而 B / BX 则完全转向 LPDDR6，其中 BX 的内存位宽显然大于 192-bit。 "Titan Lake" U / P / PX 将使用 Intel 18A 衍生工艺的 CPU 模块，基于 P、E 同源核心；B / BX 仍使用上一代 "Razor Lake" 的 CPU 模块。"Titan Lake PX" 的 GPU 模块拥有 16 个 Xe 核心，采用 N2P 工艺。 IT之家注： 幻灯图片显示 "Titan Lake" U / P / PX 的 CPU 模块工艺为 "1278.?" （小数点后一位由于图片过于模糊无法确认） ，而 Intel 20A/18A 系列的内部代号就是 "P1278"。
去年有报道称，包括三星、SK海力士和美光在内的DRAM制造商早已启动了DDR6的开发工作，专注于芯片设计、控制器验证和封装模块集成。DRAM制造商已经完成DDR6原型芯片设计，正在与英特尔和AMD等内存控制器和平台厂商合作进行接口测试。 据The Elec报道，三星、SK海力士和美光这些DRAM制造商最近已经与基板供应商协调DDR6内存模块的开发工作，包括厚度、堆叠结构和布线等。目前DDR6原型产品正在生产和验证当中，这部分工作也是在JEDEC固态技术协会监督下进行的。 JEDEC于2024年提供了DDR6初步草案，在性能和架构方面取得了重大进步。其转向多通道设计，采用4×24位子通道，有别于DDR5的2×32位设置，这将会带来更好的并行处理、数据流和带宽利用率，当然也对模块I/O设计和信号完整性提出了更高的要求。 预计DDR6的速率从8.8 Gbps起步，最高至17.6 Gbps，甚至可能扩展至21 Gbps。同时DDR6支持新的CAMM2标准，取代长期使用的SO-DIMM和DIMM标准，提供了更高的带宽、更高的密度、更低的阻抗和更纤薄的外形尺寸，也解决了传统内存插槽的物理限制。 目前业界已经完成了向DDR5的过渡，去年在服务器市场的占比超过了80%，今年预计达到90%。原本JEDEC可以更早地发布DDR6标准规范，但是一些主要规格迟迟未能敲定，包括厚度、信号使用、功率范围和引脚设计等。随着DRAM制造商加速DDR6标准产品的开发，这一情况将有所改变，预计2028年至2029年之间实现商业化。 查看评论
IT之家 5 月 5 日消息，据《The Elec》昨日（5 月 4 日）报道，三大内存制造商 —— 三星、SK 海力士和美光正在加速 DDR6 内存的开发 。这项新技术预计将进一步提升 DDR5 标准的性能，并在各个方面提供改进。 报道称，尽管 JEDEC 标准尚未最终确定，但这些内存制造商已经要求基板供应商准备设计，目标是准备测试样品，以便在 DDR6 接近大规模生产之前做好准备。 一位来自基板行业的人士表示：“内存公司和基板制造商通常在产品推出前两年以上进行联合开发。DDR6 的初步开发最近才刚刚开始。” 报道提到，DDR6 预计将比 DDR5 带来大幅速度提升。早前的 JEDEC 路线图信息显示， DDR6 速度最高可达 17.6 Gbps，大约是 DDR5 计划上限的两倍 。商用 DDR6 内存目前预计将在 2028 年至 2029 年左右推出。 IT之家注意到， JEDEC 已在去年发布了 LPDDR6 标准 ，计划为 LPDDR6 提供位宽减半的 x6 子通道模式，允许在单一封装中集成更多内存裸片，LPDDR6 也有望实现 512GB 系统内存容量。
业界距离面向桌面与服务器平台的下一代 DDR6 内存标准已不再遥远，存储芯片厂商正与 JEDEC 合作推进相关规范的制定工作。据韩国媒体 The Elec 报道，SK 海力士、三星、镁光等主要存储厂商已在实验室启动 DDR6 设计，并逐步与基板厂商协调模组开发方案。上述协同研发在 JEDEC 这一行业标准组织的主导之下展开，以确保新一代内存在设计层面拥有统一的技术基础。 据悉，早在 2024 年起，相关厂商就可以接触到 JEDEC 给出的首版 DDR6 标准草案，但其中在电压范围、信号定义、功耗封装以及引脚布局等关键参数上仍未最终敲定。随着近期产业界推进力度加大，这些空白预计将逐步被填补，标准定案进程也将随之提速。此前几家头部厂商实际上已经走出样品阶段，转入更为严格的验证周期，为后续量产铺路。 在外界关注的性能指标方面，目前披露的信息显示 DDR6 的目标起步传输速率为 8，800 MT/s，并规划向上扩展至 17，600 MT/s，几乎相当于将现有 DDR5 的速度上限再翻一番。这一大幅提速的核心在于 DDR6 采用 4×24 位子通道架构，需要在信号完整性上引入全新的设计思路。与之相比，当前 DDR5 仍沿用 2×32 位子通道结构，两代标准在通道划分上的差异将对控制器设计、布线与 PCB 层数提出新的要求。 在传统 DIMM 模组在高频下遭遇物理极限的背景下，业界普遍将希望寄托在 CAMM2 技术之上，以缓解高速信号在空间、走线与接口形态上的多重瓶颈。目前迹象表明，服务器平台有望率先导入 DDR6，随后在产能爬坡后逐步下探到高端笔电平台，桌面消费级产品则可能稍晚一步跟进。 从时间表来看，去年业内传出的说法是 DDR6 将在 2027 年“推出”，而最新判断更倾向于将 2027 年视为重点客户验证阶段，真正面向市场的大规模商用则预计在 2028 年实现。与此同时，随着新一代服务器出货和 DDR5 的整体应用渗透率在去年已达到约 80%，并有望在今年进一步攀升至 90% 左右，DDR4 在产业链中的角色正逐渐被视作“待退出”一代。这不仅为新标准预留了更充足的市场空间，也有助于释放晶圆厂的产能，用于后续 DDR6 芯片与模组的大规模生产。 查看评论
JEDEC固态技术协会于近日正式发布LPDDR6低功耗内存的下一版本路线图。其中最令人瞩目的是：LPDDR6单颗内存芯片的容量有望达到512GB。 这一容量规格直接大幅超越当前主流服务器 DDR5。目前主流服务器 DDR5 单根容量普遍停留在64GB—128GB，单颗die （晶粒）容量差距更为悬殊。 LPDDR6之所以能实现如此夸张的容量突破，核心在于JEDEC新增了更窄的x6子通道模式，让单个封装能容纳更多内存die。 再配合更先进的制程工艺带来单颗die的密度提升，最终使单颗芯片就能承载以往整根内存条才能达到的容量。 这表示未来的AI服务器将能轻松构建TB级内存池，大幅减少数据在内存与固态硬盘之间的痛苦“搬家”，进而让模型推理的执行效率翻倍提升。 除了容量，LPDDR6的传统优势愈发显著。单颗16Gb的基础LPDDR6工作速度已超过10.7Gbps，相比上一代处理速度提升33%，核心功耗同步降低超过20%。 同时，基于LPDDR6的SOCAMM2紧凑型模块标准已在同步开发中，用以替代传统又厚又大的DDR5条，为AI服务器提供更高集成度的低功耗内存底座。 对普通游戏和创作玩家而言，LPDDR6的进阶不在一蹴而就，但未来三年内，高端游戏本、平板或AIPC都有望获得超大内存。 更关键的是，在保持轻薄续航的前提下，端侧运行数百亿参数的大模型甚至大型仿真渲染将成为常态。 查看评论
IT之家 4 月 23 日消息，JEDEC 固态技术协会美国当地时间 22 日宣布，计划未来向 LPDDR6 低功耗 DRAM 内存规范推出多项功能更新，为 LPDDR6 在 AI / HPC 领域的应用打下基础。 相较移动设备，AI XPU 需要更高的内存容量，为此 JEDEC 计划为 LPDDR6 提供位宽减半的 x6 子通道模式 ，允许在单一封装中集成更多内存裸片， LPDDR6 也有望实现 512GB 系统内存容量 。 LPDDR6 还将 支持灵活的元数据分离 ，这一技术旨在最大限度地减少对峰值数据吞吐量的影响，使数据中心客户能够根据其具体的可靠性要求在用户容量与元数据需求之间取得平衡。 此外，JEDEC 表示正开发 LPDDR6 SOCAMM2 模组标准，LPDDR6 PIM 存内处理技术标准也接近完成。
IT之家 4 月 22 日消息，韩媒 edaily 当地时间 21 日报道称，三星电子存储器业务在削减 GDDR6 内存 / 显存产能以提升盈利能力的同时大幅提升了在该品类上对 Tesla（特斯拉）的供应规模。这可能会对显卡市场造成新一轮的打击。 特斯拉的 GDDR6 需求主要来自其电动汽车车载娱乐系统和智能驾驶系统。报道指出 该企业 1 月要求三星电子将 GDDR6 的供应量提升到原定水平的 5 倍以上 。三星电子本月起扩大了向特斯拉分配的 8Gb GDDR6 Die 产能， 当前出货速度是 Q1 的 4 倍 。 如果特斯拉分得更多三星 GDDR6 产能，势必会挤占显卡的 GDDR6 供应，从而加剧当前市场的紧张态势。