IT之家 6 月 5 日消息，据韩媒 The Elec 于 5 日（今天）下午援引知情人士消息称，SK 海力士已向主要供应商说明最新的扩产计划，目标是在 2030 至 2031 年把 DRAM 晶圆投片产能 提高到接近目前两倍 。 这项扩产路线图在 2026 台北国际电脑展之前就已制定完成。展会期间，英伟达 CEO 黄仁勋曾在一片 SK 海力士 DRAM 晶圆上写下“请多生产”，也从侧面凸显 AI 存储产品需求正在快速升温。 多名行业人士透露，过去两个月，SK 海力士采购团队以及负责龙仁半导体集群的人员，已陆续向主要供应商说明到 2030 年扩大晶圆投片产能的计划。 按照计划，SK 海力士希望到 2030 年把 DRAM 晶圆月投片产能 从目前约 55 万片提高到约 100 万片 。现有产能中包括无锡工厂约 20 万片月产量，新增产能预计主要来自龙仁半导体集群。 SK 海力士计划把龙仁第一座晶圆厂划分为六个洁净室，并从 2027 年 2 月起向第一个洁净室搬入设备。第一阶段设备安装完成后，龙仁工厂将新增 6 万片月产能；此后，SK 海力士计划 每隔六个月启用一个新增洁净室 ，每次再增加 6 万片月产能。若按现有时间表推进，仅龙仁第一座晶圆厂到 2030 年上半年就可新增 36 万片 DRAM 月产能。 清州 M15X 晶圆厂也在扩建。M15X 计划今年下半年投产，初期月产能为 4 万片晶圆， 明年预计提升至约 8 万片 。若龙仁新增 36 万片产能也按期释放，SK 海力士 DRAM 晶圆月投片总产能 到 2030 至 2031 年有望达到约 100 万片 。 NAND 闪存方面，SK 海力士被认为主要聚焦技术升级，包括提高堆叠层数。一名半导体设备行业人士表示：“可以理解为，SK 海力士是在要求供应商为快速、大规模扩产做好准备。” 据IT之家了解，这项计划也与 SK 集团董事长崔泰源最近的表态相呼应： 全速在五年内将整体晶圆产能提高一倍 。 不过，供应商仍在谨慎观望这份激进路线图能否如期落地。2022 年，SK 海力士曾向供应商提供下一年度资本开支指引，但同年秋季又大幅削减设备订单。部分供应商已经依据指引采购零部件，后来承受了明显现金流压力。业内人士也指出，如果任何一类设备交付延迟，每六个月填满一个洁净室的节奏都可能被打乱。 一名供应商人士表示：“短期来看，投资增加已经很明确，对设备和材料供应商是重大利好。但整份路线图最终能否完成，还是要看 市场需求能不能支撑 。”
IT之家 6 月 3 日消息，TrendForce（集邦咨询）本月 1 日指出， D RAM 内存产业的整体营收在 2026Q1 环比实现 81.0% 的巨幅增长 ，总额来到 970 亿美元（IT之家注：现汇率约合 6575.21 亿元人民币）。 随着 AI 应用由 LLM 训练逐步转至 AI 推理，云服务供应商正开始加速建设通用型服务器，各容量规格的 RDIMM 产品均迎来强劲需求。产能挤占效应导致一般型 DRAM 合约价格加速上涨， 单季度几乎实现翻倍 (+93~98%) 。 图源：Pexels 对于 2026Q2 市场，机构表示由于 DRAM 原厂库存见底而服务器端需求旺盛，导致一般型 DRAM 出货增幅有限，难以满足 PC / 智能手机制造商的需求。与此同时，云服务业者对采购价持开放态度，支撑整体价格持续上行， 一般型 DRAM 合约价本季度还将进一步增长 58~63% 。 展望后市，TrendForce 认为由于无尘室建设尚需时间，三大原厂本年度的 DRAM 内存供应能力提升主要来自制程升级转换，投片规模仅能通过生产流程优化小幅上修， 供不应求的整体态势无法得到改变 。
IT之家 5 月 28 日消息，慧荣 (Silicon Motion) 今日发布面向 AI 推理与 KV 缓存工作负载优化的固态硬盘主控芯片 SM2524XT。 SM2524XT 基于台积电 6nm 制程工艺，拥有 4 个内核，采用 DRAM-less 架构，支持 PCIe Gen5 ×4。慧荣表示其 相较上代产品能效改进 25% ，即使在最严苛的热环境下也能维持数据吞吐能力。 这颗主控拥有 4 个 4800MT/s 闪存通道， 顺序读取速率可达 14GB/s ， 而 2500K IOPS 意味着其随机性能代际提升达到 25% 。 慧荣表示： 随着设备端 AI 推理复杂度的不断提升，KV 缓存已成为决定 AI 个人电脑响应速度快慢的关键存储瓶颈。与传统的消费级 SSD 工作负载不同，KV 缓存会产生持续不断的高度碎片化、对延迟敏感的随机读写操作流，这些操作要求在持续负载下保持稳定的 IOPS 吞吐量和坚如磐石的低延迟性能。 SM2524XT 经过从零开始的精心设计，旨在攻克这些由 AI 驱动的访问模式，即使在最严苛的持续推理会话中，也能保持稳定的随机 I/O 性能。
IT之家 5 月 27 日消息，路透社今天（5 月 27 日）披露一份项目文件，显示三星计划越南投资 39 万亿越南盾（IT之家注：现汇率约合 100.23 亿元人民币）， 建设其在越南首座芯片测试工厂。 该工厂选址位于河内以北约 60 公里的太原省（Thai Nguyen）工业园，落地后将成为三星在越南的首座芯片测试厂。 落地规划方面，消息称该工厂已动工建设， 目标在 2027 年 11 月投产。 路透社记者实地看到，现场已有大量施工车辆与工人作业。一名知情人士称，自至少 2026 年 4 月起，已有 200 多名三星工程师和员工在项目现场工作。 产能规划方面，消息称工厂将聚焦 DRAM（动态随机存取存储器）和 NAND（闪存）两类存储芯片测试。提案文件显示， 工厂年产能可达 1533 亿 Gb DRAM 芯片，以及 2556 亿 Gb NAND 芯片。 虽然成熟芯片在 AI 供应链中的关键性低于高端 AI 芯片，但由于主要厂商把更多产能转向 AI 相关芯片，成熟存储芯片同样面临明显短缺。 当前强劲的存储需求已压缩智能手机、笔记本电脑和汽车等行业的芯片供应空间。三星新增测试产能，虽属于后道环节，却仍能在芯片交付链条中补上关键一环，帮助提升成熟存储芯片的出货效率与供应稳定性。
IT之家 5 月 27 日消息，市场调研公司 Counterpoint Research 在其昨日发布的见解中表示， 全球 DRAM 内存市场规模在 2026 年第 1 季度达到 970 亿美元 （IT之家注：现汇率约合 6594.74 亿元人民币） ，距千亿美元大关仅一步之遥，环比激增 80%、同比增长更是高达 260%。 主要市场参与者中，三星电子巩固了其领先地位，市占扩大至 38%；SK 海力士的市占下滑至 29%；美光市占维持 22% 不变。 机构表示，推高 Q1 DRAM 营收总额的原因包括前所未有的需求和创下历史新高的价格；而从细分角度，AI 数据中心对 LPDDR5X 内存的需求正不断增长，这与 HBM 订单一道为市场的扩大推波助澜。 图源：Pexels 展望未来，Counterpoint 认为 DRAM 平均价格将在 2026Q2 环比上涨 50% ；而整体 DRAM 市场规模将在 2026 全年实现三倍提升。
美国存储芯片巨头美光（Micron）近日宣布，其位于弗吉尼亚州马纳萨斯（Manassas）的晶圆厂正式导入1α（1-alpha）节点DRAM制造工艺，被称为“美国本土迄今生产的最先进DRAM技术”。这一节点基于第四代10纳米级工艺，相比上一代1z节点可将存储密度提升约40%，旨在显著增强工业级内存芯片的性能与容量。 美光表示，此次1α技术“回流”美国，属于公司扩大本土制造能力的重要一步，将在马纳萨斯工厂用于扩大DDR4晶圆的生产规模。尽管美光已经在全球其他地区应用该工艺，但这是首次在美国国内大规模导入这一先进DRAM制造节点。 与消费者预期不同的是，这批采用1α工艺的DRAM并非针对PC市场，而是优先满足汽车、国防与航空航天、工业设备、网络设备以及医疗器械等行业客户的需求。美光未将PC厂商列入这一产能扩张的主要受益对象，意味着此次工艺升级更多是为关键基础设施和垂直行业提供长生命周期、高可靠性的内存产品。 马纳萨斯工厂在美光全球布局中具有特殊战略地位。官方信息显示，该厂专注于300毫米NAND、DRAM和NOR产品，约有一半在美国道路上行驶的汽车使用了在此生产的芯片，工厂产量约占全球存储器产能的2%。此次导入1α节点，被视为增强美国汽车供应链安全与稳定性的关键举措。 根据美光规划，1α技术将在支撑美国关键产业方面发挥长期作用，与公司在爱达荷州博伊西和纽约州克莱的其他基地形成制造能力互补。美光预计将在2026年底前实现1α DRAM在马纳萨斯工厂的“合格量产”，届时该厂的DDR4晶圆产能将实现四倍提升，完成约20亿美元投资目标。 在更宏观的层面，美光据称正在美国境内投资高达2000亿美元，以重塑其在本土存储制造中的竞争优势。这一庞大投资规模包括来自美国联邦层面的支持，例如《芯片与科学法案》（CHIPS and Science Act）提供的补贴与激励，因此美光在弗吉尼亚的庆祝活动也邀请了州及联邦层面的官员出席。 与部分科技巨头对未来美国AI数据中心的“前瞻性”规划不同，美光此次制造扩张被认为更具直接与可见的经济影响。公司预期，通过在弗吉尼亚、爱达荷和纽约的项目，美光将累计为美国创造约9万个就业岗位，并计划投入3.25亿美元用于劳动力培训，与社区学院和大学建立合作，培养本土半导体人才。 从产业层面看，美光在美国导入1α DRAM工艺并扩大本土产能，既是对日益增长的汽车、国防和工业市场内存需求的回应，也与美国推进半导体供应链回流的政策方向高度契合。这意味着未来相当部分关键行业所依赖的内存产品，将在美国本土以更先进的工艺制造，从而在技术、供应安全和就业层面产生多重效应。 查看评论
IT之家 5 月 26 日消息，5 月 22 日，博主 @wxnod 发现海盗船（Corsair）最新批次 Vengeance DDR5 内存条中使用了长鑫存储的 DRAM 颗粒。 该模组为 16GB 容量，规格为 DDR5-6000，时序 36-44-44-96，电压 1.35V。型号编号为“CMK5X16G3E60C36A2-CN”，从截图来看同时支持 Intel XMP 和 AMD EXPO 配置文件。 海盗船通常为旗下消费级 DDR5 内存套件从三星、SK 海力士、美光等成熟供应商采购 DRAM 颗粒，因此这次出现长鑫颗粒备受关注。 实际上，金百达等中国厂商此前就已推出基于长鑫颗粒的 DDR5-6000 CL36 内存条，在 Zen 5 平台上实测显示其游戏性能与同类 DDR5-6000 套件相比无明显差异。 同一爆料者还将一款金百达 DDR5-6000 内存超频至 8000 MT/s（IT之家注：时序 44-56-56-128，电压约 1.5V），显示长鑫颗粒具备一定超频潜力。 长鑫存储已公布其 DDR5 产品路线图，表示其 DDR5 产品线最高可达 8000 Mbps，提供 16Gb 和 24Gb die 密度，产品形态覆盖 UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM 及 TFF MRDIMM 等多种格式。 当前内存市场因 AI 需求导致 DRAM 供应趋紧，三大原厂优先保障 HBM 等 AI 用内存产能，留给 PC OEM 厂商的供应空间有限。 与长江存储遭遇贸易限制不同，长鑫存储目前在全球市场准入情况良好。但目前海盗船尚未确认搭载长鑫颗粒的 DDR5 内存是否会全球发售，产品型号中的“CN”后缀暗示其可能仅面向中国市场的试产批次。另外，海盗船这款内存上同时印有 UKCA 和 CE 认证标志，符合欧洲及英国销售标准。
IT之家 5 月 22 日消息，Micron（美光）当地时间今日宣布，其位于美国弗吉尼亚州 Manassas（马纳萨斯）的生产基地启动 1α (1-alpha) 工艺 DRAM 内存的生产，预计将于今年内实现量产。 由于主要制造商的产能转移，DDR4 与 LPDDR4 市场正被迫快速利基化。而美光向其本土工厂引入用于 DDR4 生产的最先进制程 1α， 保障了对美国汽车、国防、航空航天、工业、网络、医疗行业的稳定供给 。 Manassas 晶圆厂的扩建和现代化耗资约 20 亿美元（IT之家注：现汇率约合 136.22 亿元人民币），完全投产后 该基地的 DDR4 产能将是当前水平的四倍 。而美光在美国的整体长期投资总额达到 2000 亿美元。
IT之家 5 月 22 日消息，集邦咨询今天（5 月 22 日）发布博文，基于泄露的 VLSI 2026 会议摘要， 力积电（PSMC）将联合英特尔、SAIMEMORY（软银旗下）展示 Via-in-One TSV 架构，主打更高带宽和更低数据传输功耗。 报道指出英特尔正携手软银旗下的 SAIMEMORY，推进 Z-Angle Memory（ZAM）合作，而最新消息称力积电 PSMC 已加入阵容。IT之家附上相关截图如下： Intel 与 SAIMEMORY 高带宽 3D 内存示意图 根据泄露的 VLSI 2026 会议预发布摘要，三方将同台公布一种新型 3D DRAM 堆叠方案 Via-in-One TSV。 根据摘要内容，该架构可在定制 DRAM 晶圆堆叠中，把数据传输带宽做到约 0.25 Tb/s/mm2，同时把数据传输功耗控制在 0.35 W/mm2 以下。 对需要频繁读写显存的 AI 训练、推理和高性能计算来说，带宽和功耗往往相互拉扯，因此这组指标如果最终落地，意味着单位面积内能传更多数据，同时少耗电、少发热。 从工艺看，三方还将介绍一种 multi-wafer via-last（多晶圆后通孔）流程，用于实现 fusion-bonded wafer integration（融合键合晶圆集成）。 这一设计可把数据移动能耗降到 0.7 pJ / bit 以下。每层堆叠内存采用约 3 μm 的超薄硅基底，以降低 TSV 电阻；同时引入约 10 × 85 μm2 的 oxide-trench TSV（氧化物沟槽 TSV），间距为 20 μm，相当于每层约 1.37 万个 TSV，以提升高速传输时的信号完整性。 为了提高互连质量，联合团队据称选用了 O 型设计，其接触电阻比 C 型方案低约 40%。摘要还提到，完整 9 层 DRAM 堆叠已完成功能验证，工作电压范围在 0.95V 到 1.2V 之间，并通过了可靠性测试。
美国知名PC硬件厂商海盗船（Corsair）旗下DDR5内存产品，近日被曝已经采用中国长鑫存储（CXMT）生产的DRAM颗粒，显示国产存储芯片正正式进入全球品牌供应链。 这被视为在全球AI浪潮推高存储需求、传统大厂产能“向AI倾斜”的背景下，中国存储企业切入国际市场的重要信号。 报道援引硬件爆料者@wxnod公布的图片称，一款海盗船DDR5内存条在检测软件CPU‑Z中显示，其DRAM制造商为长鑫存储（ChangXin Technologies）。 该内存条容量为16GB，标称速率6000 MT/s，型号为“CMK5X16G3E60C36A2‑CN”。 海盗船是美国主流PC硬件品牌之一，长期在内存产品中采用三星、SK海力士、美光等国际大厂的芯片，如今启用中国厂商颗粒，反映出供需格局正在发生变化。 当前，全球存储市场正经历一轮由AI算力需求驱动的“超级周期”。 报道指出，三星、SK海力士、美光等头部企业，正把更多产能优先用于面向AI的高端存储产品，例如HBM和LPDDR5X，从而挤压了传统PC用DRAM的产能空间。 这导致PC OEM厂商和内存品牌面临通用DRAM供应紧张，不得不寻求新的供货来源。 在此背景下，中国存储厂商加快了DDR5产品的迭代和放量。长鑫存储已将DDR5产品速率推进至8000 MT/s，并推出16Gb和24Gb等多种容量规格的DRAM芯片，以适配不同容量与形态的内存模组。 报道同时提到，另一家中国存储厂商嘉合劲威等也在积极扩大量产DDR5 RDIMM，为数据中心与工作站市场提供选项。 业内预计，随着更多中国厂商进入DDR5和服务器内存领域，全球存储供应格局将进一步多元化。 从具体产品参数来看，这款采用长鑫颗粒的海盗船DDR5内存隶属其Vengeance游戏系列，支持AMD EXPO和Intel XMP技术，工作电压在1.1V–1.35V区间。 时序规格为CL36，与同规格的三星或SK海力士A‑Die颗粒版本相当，被认为在性能指标上与传统高端方案没有明显差距。 在价格与供货稳定性压力双重作用下，采用中国DRAM对海盗船等品牌而言，具备成本和供应安全方面的吸引力。 报道分析认为，中国存储企业正在快速提升产能，以满足国内外双重市场需求。 长鑫存储与长江存储（YMTC）正通过所谓“史诗级扩产计划”（Epic Expansion）扩大晶圆产出，目标是在未来几年内实现DRAM与NAND产能翻倍。 随着中企加码投资，既能保障本土市场供应，也有能力为海外PC品牌提供规格、性能接近国际一线厂商、但价格更具竞争力的产品。 与此同时，全球范围内有关“存储短缺”的预期仍在升温。 报道指出，由于大量AI企业与存储厂商签署长期供货协议，传统PC和消费类存储市场可能在未来数年持续面临供货紧张与价格波动。 在这种情况下，中国存储厂商被视为填补缺口的重要力量，其国际订单与营收已出现明显增长趋势。 业内预计，在即将到来的台北国际电脑展（Computex）上，市场将看到更多搭载中国DRAM芯片的内存产品，以全球品牌或本土品牌形式集体亮相。 随着长鑫、长江存储等企业不断推进技术和产能扩张，中国存储在全球供应链中的存在感将进一步提升，也为PC及服务器制造商提供更多元的采购选择。 查看评论
IT之家 5 月 19 日消息，比利时研究机构 Imec 于 5 月 12 日发布博文，展示了一种 3D CCD 内存架构， 目标结合 DRAM 的高速度与 NAND 闪存的存储密度，提升 AI 推理性能。 针对当前 AI 加速器常见的“内存墙”（算力还在等数据，无法持续处理 Token）瓶颈，Imec 提出了全球首个专为 AI 设计的 3D 电荷耦合器件（CCD）内存方案。 3D CCD 内存架构最关键的工艺，在于垂直堆叠内存芯片，从而缩短数据传输路径，并提高集成密度。 Imec 称，这种器件在实验室条件下的电荷传输速度超过 4GHz。对 AI 推理来说，如果数据能更快送到计算单元，就有机会减少等待时间，从而压低单位任务的内存成本。 为了降低漏电，并支持更高密度的 3D 集成，研究人员采用了 IGZO 材料，也就是 indium gallium zinc oxide（铟镓锌氧化物）。 原文称，这种化合物在电子迁移率、能效和光学透明性方面都优于传统硅材料，它更适合做高密度堆叠结构中的电荷传输层，但现阶段优势主要停留在实验结果，离大规模量产还有距离。 CCD 这项技术并不新，它曾广泛用于数码相机、广播视频设备、科学成像设备和天文传感器。后来，CMOS 传感器凭借更快速度、更低功耗和更低制造成本，逐步取代了 CCD。 CMOS 还能把模数转换和图像处理等关键功能集成到芯片上，因此更适合轻薄、低成本的现代相机设计。Imec 这次的尝试，等于把一项老技术重新带回新场景。 但这项 3D CCD 技术目前仍停留在概念验证阶段，能否可靠、经济地扩展到真实产品，原文未给出答案。 研究人员也直言，它短期内不太可能出现在数据中心服务器里。眼下最大的现实障碍，是散热表现和层数扩展能力。如果这两点迟迟无法解决，这类架构就很难真正替代现有主流内存方案。 IT之家附上参考地址 Imec demonstrates the first 3D implementation of a charge coupled device for AI memory applications
IT之家 5 月 19 日消息，据韩国《中央日报》昨日报道，随着 AI 数据中心对高性能存储芯片的需求呈爆发式增长，苹果在 DRAM 芯片采购方面的传统议价主导地位正遭到削弱，其采购策略已从“追求最优价格”转向“确保足够货源”。 在 AI 热潮之前，凭借庞大的 iPhone 及其他设备出货量，苹果在供应链中拥有极强的议价能力。据一位匿名半导体行业高管透露，过去苹果与存储芯片制造商签订的合同期限通常仅为一年，且约束力不强，即使在合同期内终止合作也不会面临惩罚。“协议是建立在信任基础上的，”该高管表示。而如今，由于英伟达、谷歌等超大规模企业为抢占高端存储（如 HBM）而纷纷签下长期供货协议，DRAM 供应链的格局已发生根本性转变。三星电子和 SK 海力士已开始要求客户签署长达五年的具有严格法律效力的长期合同。 KB Securities 分析师 Kim Dong-won 指出，AI 数据中心运营商目前消化了约 70% 的内存出货量，导致面向消费端的 DRAM 供应严重短缺。据他预测，2026 年 DRAM 价格同比涨幅将达 194%，NAND 涨幅达 244%；第二季度 DRAM 和 NAND 的涨价幅度已超出此前预期。同时，Hana Securities 分析师 Kim Rok-ho 表示，苹果等主流智能手机制造商采购 LPDDR 内存的实际价格已“远高于预期范围”。 更令设备制造商担忧的是，即使是消费级高性能 LPDDR 内存，也在被重新包装为 SOCAMM 模块与 CPU 集成到 AI 服务器中。 半导体行业消息人士称，三星、SK 海力士和美光这三大 DRAM 厂商“已不再以个人设备为目标开发最高可靠性和最高容量的 LPDDR 产品”。 随着英伟达的 Vera Rubin AI 平台预计于 2026 年第四季度开始出货，每个 Vera CPU 需要高达 1.5 TB 的 LPDDR 内存 —— 这一数字是典型智能手机内存（约 10.2 GB）的 150 倍以上。分析师警告，届时对 LPDDR 供应的竞争将进一步白热化。 面对这一局势，苹果 CEO 蒂姆 · 库克在前一次财报电话会议中已承认，公司的 DRAM 供应正在逐步减少，未来可能面临价格上涨。苹果目前正在大量采购内存芯片，但不再像以往那样单独协商价格优惠。业内将此解读为苹果试图通过确保供应稳定性来巩固其在组件采购管道中的控制力，从而在日益激烈的竞争中保持产品出货能力。 三星和 SK 海力士均未透露具体与哪些公司签署了长期供应协议。但自今年 1 月以来，多家媒体报道称，苹果、亚马逊、谷歌和戴尔科技等巨头的高管长期驻扎在京畿道（IT之家注：三星和 SK 海力士芯片工厂及总部所在地）。 相关阅读： 《 消息称苹果自担 DRAM 内存成本压力，iPhone 18 Pro / Max 不涨价 》 《 消息称苹果高价扫货移动 DRAM 内存，挤压友商备货空间 》 《 内存短缺引发巨头争夺战：曝苹果高管长驻韩国，目标锁定三星、SK 海力士三年 DRAM 订单 》
在生成式人工智能浪潮推高内存需求的背景下，曾经在供应链谈判中威风凛凛的苹果，如今正逐渐失去在DRAM市场的议价优势，将战略重点从“拿到最低价格”转向“尽可能锁定供应”。 报道指出，新一代DDR5内存在海外市场被炒到超过400%的溢价，背后原因是大型超大规模数据中心企业（即“hyperscalers”）大举吃进产能，使得内存厂商利润飙升，也改变了它们看待苹果等传统大客户的方式。与此同时，英伟达即将在2026年第四季度推出的Rubin AI平台，被认为会在未来几年进一步“吞噬”智能手机所依赖的LPDDR内存供应，为移动厂商带来更严峻的供货压力。 在人工智能热潮之前，苹果长期被视为供应链中的“强势甲方”，凭借庞大的iPhone与其他硬件出货量，习惯于通过锁定大规模订单，在价格和供货安排上获得相当优厚的条件。有半导体业内匿名人士回忆，当时苹果与内存厂签订的长期供货协议往往并不十分“刚性”，合同周期通常不超过一年，而且即便苹果中途违约，也鲜少受到实质性的惩罚，因为双方更多依赖“信任”关系来维系合作。 然而，随着AI数据中心业务成为三星、SK海力士等内存厂商的“摇钱树”，苹果在内存供应体系中的相对话语权开始被稀释。报道提到，苹果CEOTim Cook此前在财报电话会上已经预警，公司所能获得的DRAM供应正在“缓慢下滑”，这也为未来包括iPhone在内的产品出现价格上涨埋下伏笔。业内人士指出，如今内存厂与客户之间的长期供货协议动辄长达五年，条款也更加严苛，一旦签署便很难单方面撕毁，这让包括苹果在内的终端厂商难以再像过去那样灵活调整采购策略。 韩国Hana证券分析师金录镐（Kim Rok-ho）表示，当前的“DRAM危机”已经迫使苹果从以往几乎一心追求最低价格，转而优先确保长期稳定的供货量。他认为，当英伟达Rubin平台从2026年第四季度开始大规模出货之后，围绕LPDDR这一关键内存品类的竞争将会进一步升级，智能手机行业与AI数据中心之间的“抢货战”势必加剧，而价格在可预见的未来恐怕只会一路走高。 在这样的格局演变下，曾经习惯“砍价到底”的苹果，如今不得不面对一个现实：在AI驱动的内存新秩序中，掌握产能与技术的内存厂商和超级云计算客户，正在重塑话语权的分布。苹果若要继续确保其旗舰设备的硬件体验，不得不接受以更高成本换取更稳供应的“新常态”。 查看评论
过去几个月里，持续的DRAM供应短缺已经蔓延到了显卡，GDDR的采购成本大幅上涨。进入2026年后，英伟达的主要合作伙伴都上调了GeForce显卡的价格，显存容量越大的型号受到的影响越明显，这意味着高端型号的涨幅会越大。 据Benchlife报道，虽然一直说近期英伟达要调整GeForce RTX 50系列的价格，但是现在确认受到影响的是GeForce RTX 5090与GeForce RTX 5090 D v2两款。这次调整主要针对GDDR7的价格，官方建议零售价（MSRP）暂时没有变动。不过成本价提高，大概率最终也会传导至终端交易价格。 由于GeForce RTX 5090与GeForce RTX 5090 D v2分别配备了32GB和24GB显存，涨幅相当大，比前一段时间AMD的Radeon显卡调整的幅度要高不少。过去几天里，英伟达已经向合作伙伴发布了相关的通知。考虑到RTX 5090系列的目标人群，对于绝大部分玩家来说并没有什么影响，这次英伟达也没有调整其他RTX 50系列价格。 由于显卡价格上涨，最近这段时间显卡的销售也受到了很大的影响，无论是GeForce还是Radeon显卡，各大品牌的出货量普遍出现下滑。加上存储供应短缺、价格飙升，进一步影响到了显卡的正常销售。 查看评论
IT之家 5 月 14 日消息，集邦咨询（TrendForce）昨日（5 月 13 日）发布最新现货价报告，指出五一假期后，DRAM 与 NAND Flash 市场继续分化。 假期结束后，部分地区的 DRAM 交易回温，买家态度开始转向积极，实际下单意愿上升。与此同时，NAND Flash 现货市场仍偏冷清，买卖双方对价格的判断差距拉大。 在 DRAM 市场方面，TrendForce 表示，本周整体交易条件改善，需求主要集中在 DDR4 512×16 与 1G×16 这两类芯片。 TrendForce DRAM 现货价格图 对买家来说，这意味着采购焦点并没有全面扩散，而是集中流向主流规格。受此影响， 卖方惜售情绪升温，并同步上调报价 ，现货价格因此小幅走高。具体到价格上，主流芯片 DDR4 1G×8 3200 MT/s 本周上涨 0.94%，从 32.0 美元升至 32.3 美元（IT之家注：现汇率约合 219.9 元人民币）。 NAND Flash 市场延续上周的疲弱情绪。报告指出，买卖双方的预期分歧还在扩大。部分卖家愿意用更低价格出货，但买家普遍保持观望，因此市场目前主要靠零星急单支撑，还看不到大规模补货迹象。 TrendForce NAND Flash 现货价格图 本周 512Gb TLC 现货价上涨 0.34%，来到 20.541 美元。这个涨幅明显小于 DRAM，说明 NAND Flash 现货市场更接近窄幅整理，而不是明确反弹。对产业链企业来说，如果终端需求没有继续放大，现货价格短期内大概率仍会维持轻微盘整状态。 参考 [Insights] Memory Spot Price Update: DRAM Spot Market Strengthens Post-Holiday as DDR4 Leads Demand
过去一年多里，由生成式 AI 和大模型训练引发的“内存抢购战”在半导体行业持续上演，非易失性 NAND 闪存和 DRAM 内存的合同价格出现罕见飙升，令上游厂商和投资者受益，却让下游整机厂商与终端消费者承受了沉重成本压力。 根据彭博社援引行业数据，NAND 合同价格自 2025 年 9 月以来累计上涨超过 600%，DRAM 合同价也接近 400% 的涨幅，市场普遍预期这种由 AI 拉动的涨价行情在短期内难以缓解。 多家研究机构认为，这一轮“内存荒”程度超出年初预期，且持续时间会更长。 Pepperstone Group Ltd. 高级研究策略师 Michael Brown 指出，目前迹象显示供需紧张正在加剧，一些接近产业链的消息人士甚至判断短缺可能一路延续至 2030 年甚至更久。 在高性能计算、训练集群不断扩容的背景下，大量 AI 创业公司和云服务商正在“囤积”存储芯片，几乎消化掉了制造商能够释放的全部产能，传统消费电子厂商只能在残余供给中相互竞争。 在盈利端，内存厂商、投资者和员工成为直接受益者。 受价格与需求双重驱动，存储企业利润创新高，不少公司股价走强，带动相关资产表现突出。 部分企业甚至通过发放高额奖金的方式，将 AI 浪潮带来的红利直接分配给员工，例如三星和 SK 海力士都曾因业绩大涨而向员工发放可观奖励。 摩根大通策略师在最新研报中指出，只要由 AI 主导的需求故事不变，存储价格仍有继续上行的空间。 与之形成鲜明对比的是被动承受成本压力的下游整机厂商。 智能手机、PC、游戏主机以及各类消费电子产品高度依赖 NAND 与 DRAM 等存储器件，如今却面临一边是库存持续吃紧、一边是元器件价格大幅抬升的困境。 为应对成本飙升，一些厂商不得不提高整机售价、压缩利润空间，或在新产品规格上做出妥协，例如缩减内存与存储容量，以换取更可控的物料成本。 也有企业在夹缝中难以维持运营，只能选择退出市场或关闭业务线。 对于普通消费者而言，这轮存储涨价最终体现在更高的电子产品终端价格和更长的换机周期上。 当主机、游戏机、笔记本电脑等设备的售价相较发售初期上涨数百美元时，越来越多用户选择延迟升级，或干脆放弃购买最新款设备与游戏。 例如游戏主机厂商此前已经因成本压力宣布上调部分地区的主机售价，这类涨价在新一轮存储价格飙升的背景下可能进一步扩散。 在行业观察人士看来，当前的局面是上一轮存储行业周期性低迷后的“反弹过头”：在 AI 爆发前期，大量厂商因需求疲软而减产、收缩资本开支，如今却在短时间内难以完全释放新的产能来匹配 AI 集群的激增需求。 叠加高端 HBM、GDDR 等专用存储产品的结构性紧缺，通用 NAND 与 DRAM 也被挤入更为紧张的供给格局。 在缺乏新增产线、技术转换尚需时间的情况下，价格上涨成为整个产业链被动接受的“新常态”。 从中长期看，业内普遍认为 AI 对存储的需求将继续高位运行，压缩周期性下行空间，但也可能带来更高波动性。 如果未来几年内大规模新产能集中投放，或 AI 投入节奏发生变化，当前“疯涨”的价格也存在回调风险。 在此之前，芯片制造商与资本市场可能仍将享受高价红利，而设备制造商和终端消费者则需要在成本与性能之间做出更艰难的权衡。 查看评论
韩国海关：过去 1 个月 DRAM 内存单价同比涨 497.4%；NAND 同比涨 351.6% - IT之家 3 个帖子 - 3 位参与者 阅读完整话题
IT之家 5 月 12 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（5 月 11 日）发布博文，基于韩国海关更新的进出口数据显示， DRAM 内存与 NAND 闪存单价在 2026 年 5 月继续上冲。 在过去 1 个月时间（截至 2026 年 5 月 10 日）里，单独计算 DRAM 颗粒（不含内存模组），其单价达到 89498 美元／千克，环比上涨 20.9%，同比更是高达 497.4%。 闪存方面，过去 1 个月时间里 NAND 单价为 67307 美元／千克，环比大涨 63.1%，是表中月度涨幅最高的一项，同比也达到 351.6%。这类变化通常会先传导到原厂和渠道，再逐步反映到终端产品报价。 HBM 所在的 MCP 品类同样上涨，单价为 78752 美元／千克，环比涨 18.7%，同比涨 165.5%。整体 Memory（内存）品类单价为 82680 美元／千克，环比涨 28.8%，同比涨 326.3%。 DRAM Module（内存模组）单价为 29882 美元／千克，环比反而下滑 13.9%，但同比仍上涨 351.2%。内存模组覆盖 DDR5 的 UDIMM、SODIMM、RDIMM，以及标准 DDR 和 LPDDR 产品。IT之家附上相关图表如下： 分类 Unit Price YoY Price Growth MoM Price Growth 内存 $82680/kg +326.3% +28.8% DRAM $89498/kg +497.4% +20.9% 闪存 $67307/kg +351.6% +63.1% MCP (HBM) $78752/kg +165.5% +18.7% DRAM 模组 $29882/kg +351.2% -13.9% 这组数据说明，上游颗粒价格和终端模组价格并不总是同步。对服务器、AI 训练和数据中心来说，HBM、高规格 DRAM 与企业级 NAND 的需求仍然很强，因此原厂更愿意把产能投向利润更高的产品。 报道还提到，Samsung、SK hynix、Micron、Kioxia 等厂商都在把重心转向 AI 相关存储产品，这会进一步挤压通用消费级产品的供需平衡。 但消费市场是另一套节奏，TrendForce 称，面向消费者的 NAND 现货价格近期反而下滑，基于 TLC 的 SSD 跌幅达到 30% 至 40%。 该机构洞察，认为原因是 PC 市场放缓，消费者因为整机价格更高，减少了新设备购买，通用型消费 SSD 也因此积压库存。 ADATA DDR5 内存条蓝色背景图
随着内存价格持续攀升，PC市场正面临一个新的危机：假冒DDR5内存模块开始在多个零售渠道(包括线上电商和线下实体店)大量流通。部分假货甚至用塑料冒充DRAM芯片，外观足以以假乱真。 一位日本社交平台用户分享了一则典型案例。他购买了一条标称为三星制造的16GB DDR5 SO-DIMM笔记本内存，结果发现完全是假货： · 金手指(金属触点)外观异常，边缘呈圆角而非标准直角 · 内存颗粒实际来自SK海力士，但标签却写着三星 · 部分假货的电源电路位置错误或根本不匹配 对于熟悉硬件的DIY玩家来说，这类假货或许不难识别。但对于普通消费者而言，往往很难分辨真伪。尤其是台式机内存条通常覆盖有散热马甲，遮住了DRAM颗粒，不拆开散热片或上机测试，几乎无法发现造假。 更令人担忧的是，这些假内存正在公开销售。在日本雅虎拍卖平台上，同款假16GB DDR5 SO-DIMM模块标价为12,845日元(约合人民币573元)。商品描述中明确写着这是“废品(junk item)”，功能未经确认，且卖家不接受退货。 内存造假正在成为继显卡、CPU之后的新重灾区。在价格高企的市场环境下，消费者更需要擦亮双眼，避免花高价买回一块“塑料内存”。 查看评论