IT之家 5 月 15 日消息，据韩媒 Etnews 上周（5 月 12 日）报道，三星电子正在开发下一代 HBM 技术，以便在移动设备上实现更高性能的端侧 AI。 业内人士透露，三星正在研发多层堆叠 FOWLP（Multi Stacked FOWLP）技术，目 标在智能手机、平板等移动设备中实现更大容量 、 更高带宽的 HBM 。这些设备的空间相比服务器机柜简直是九牛一毛，对功耗、发热控制的要求非常严格，因此无法直接照搬现有方案。 据悉，目前主流的 LPDDR 内存普遍采用引线键合（Wire Bonding）技术，这种方案的 IO 数量有限、信号损耗较大、散热效率不足，无法结合 HBM 技术。因此三星计划采用改进的 VCS 方案，将芯片内部的铜柱从 3:1~5:1 提升至 15:1~20:1，可在有限面积中塞入更多铜线，进一步提升带宽。 不过，当铜柱直径低于 10 微米时就容易出现弯曲、断裂等不稳定现象。因此三星决定采用 FOWLP 技术作为补强。先对芯片进行模塑（IT之家注：Molding），然后把布线向外围扩展，同时承担支撑铜柱作用，防止变形。 如果这套方案能成功验证，理论带宽可提升 15-30%，并且还能在相同空间下塞入更多 I/O 接口。 虽然这套方案还处于研发阶段，但业内认为，三星最快会在 Exynos 2800 后期版本或 Exynos 2900 中集成相关技术。
IT之家 5 月 12 日消息，韩媒 ETNEWS 当地时间今日报道称， 华硕 (ASUS) 将成为京东方 24.5" QHD 小尺寸 WOLED 电竞显示器面板的首位客户 。 这家韩媒也认为该面板将由京东方位于合肥的 G8.5 生产线 B5 制造，不过初期供应量相对有限。机构 UBI Research 此前表示京东方有意在南京 B18 工厂新增 WOLED 显示器面板产能。 在 JOLED 退出后，目前 OLED 显示器面板市场被三星显示和 LG Display 两家韩企瓜分，京东方和 TCL 华星预计都会在今年加入该领域，提供更丰富的面板选择。
IT之家 5 月 11 日消息，韩媒 ETNEWS 当地时间今日报道称，在 DRAM 尤其是 HBM 业务竞争力恢复后，三星电子设备解决方案 (DS) 部开始就重启半导体新业务的研发和投资进行讨论。 此次讨论的重点 包括下一代 (V10) NAND 闪存 、 化合物半导体 、 先进封装及基板 ，都是处于三星电子技术路线图上但进展相对缓慢的领域。随着内部资源出现富余，三星半导体正瞄准下一阶段的增长。 三星电子在 2024 年 4 月和 9 月先后宣布其第九代 286 层 V-NAND 的 TLC 和 QLC 版本进入量产阶段，此后一直未上线新的 NAND 工艺节点。换句话说 其量产制程出现了超过 2 年的停滞 。 从目前媒体侧的消息来看， 三星电子的 V10 NAND 堆叠层数将跃升至 400 以上 ，提升单位晶圆的容量产出。而为了达成这一目标，该企业需要引入一系列的工艺创新。 相关阅读： 《 氮化镓 (GaN) 领域台积电退三星电子进：后者 8 英寸产线最早 2026Q2 投产 》 《 消息称三星晶圆代工重启 8 英寸碳化硅产线建设准备，有望 2028 年量产 》
IT之家 5 月 8 日消息，韩媒 ETNEWS 当地时间 5 日报道称，根据业内人士的反馈， 三星电子正缩减其 Micro LED 电视业务的运营规模 。有消息称三星电子已停止生产此类产品，也有消息称该企业目前选择转移、封装、面板制造工序外包。 三星电子自 2020 年进入 Micro LED 电视市场，提供基于自发光微型 LED 像素芯片的大尺寸显示产品。然而 Micro LED 电视超 1 亿韩元（IT之家注：现汇率约合 47.1 万元人民币）的 高昂定价“劝退”了大量潜在顾客 ，导致 每年销量仅有 100 台左右 。 三星电子此前从三安光电和錼创采购 Micro LED 芯片，从友达采购背板，自行完成转移、封装、面板制造和最终产品组装。如果外包传言属实，那三星电子今后将仅负责 Micro LED 电视制造的最后集成工艺。
IT之家 5 月 8 日消息，韩媒 ETNEWS 当地时间今日报道称，惠科 (HKC) 近期积极与显示产业上游厂商磋商， 有望在今年 8~9 月公布 G6 OLED 生产线的投资计划 并在年内选定供应商。 报道提到，惠科计划在其 G6 OLED 产线中混合部署传统 FMM 和光刻沉积（IT之家注：类似 JDI eLEAP、维信诺 ViP）两种工艺，并在蒸镀流程中不对基板对半切割，这一方式可减少后续工序数量， 提升生产效率 。 IT之家了解到，此前的 G6 OLED 产线均在蒸镀过程中将基板一分为二， 目的是减小基板的翘曲程度 ，减少对 FMM 工艺的影响。而惠科选择“免半切”的原因应该和其产线将部分应用光刻沉积法有关。
IT之家 4 月 13 日消息，据韩媒 Etnews 今天报道，闪迪已经开始建立 HBF（High Bandwidth Flash，高带宽闪存）样品生产线，目前正在与材料、零部件、设备企业展开合作，构建产业生态，计划下半年拿出样品。 某材料行业高层人士表示：“闪迪正以今年下半年引入主要设备为目标，与相关企业探讨合作方案。部分企业已经开始讨论采购订单（PO）”。业界普遍预测， 闪迪下半年将完成生产线建设 ， 并在年底前启动运行 ， 目标明年实现商业化 。 作为参考，闪迪曾在去年 2 月公布 HBF 闪存，核心结构与 HBM（IT之家注：高带宽内存）类似。只不过是将堆叠体换为 NAND 闪存，在提升带宽的同时显著增大容量，并且断电后仍能保存数据，因此被视为 AI 新型存储解决方案。 除了闪迪以外，SK 海力士、三星等企业都在推进 HBF 技术，前者正与闪迪就标准化等展开合作，后者则是准备独立进军市场。