IT之家 6 月 8 日消息，据首尔经济日报报道，三星电子副会长兼联席 CEO 全永铉（Young Hyun Jun）周一出席了在首尔市中区新罗酒店迎宾馆举行的英伟达“韩国 AI 生态系统招待会”。 IT之家获悉，在当天傍晚与英伟达首席执行官黄仁勋举行闭门商务会议后，全永铉告诉媒体：“我们与英伟达已经合作了很长时间， 我认为我们进行了（迄今为止）最好的对话 。” 全永铉称与黄仁勋 就 HBM4、晶圆厂领域的短期合作事宜进行了讨论 。全永铉表示，我们正在合作研发 4 纳米和 8 纳米节点所需的自动驾驶芯片，以及英伟达的加速器芯片； 我们还就长期合作进行了广泛讨论 ，包括 HBM4E、代工业务、HBM5 以及其他未来技术。双方还讨论了下一代芯片的代工合作。 三星电子特别强调，其需要全力供应 HBM4 以及低功耗内存模组 SOCAMM。该公司计划从明年开始，通过 HBM4E 和 HBM5 继续与英伟达进行长期合作。 同时，关于与英伟达在内存供应方面的长期协议（LTA），全永铉表示：“三星电子将尽最大努力，作为英伟达最佳合作伙伴来协助其取得成功。”
投行伯恩斯坦近日发布报告称，随着英伟达下一代Vera Rubin人工智能芯片在2027年进入大规模出货周期，高带宽内存（HBM4）价格将大幅上涨，推高整机柜系统成本。该机构预计，用于AI算力集群的英伟达Vera Rubin NVL72机柜整体价格或将达到约910万美元，其中仅存储与内存部分就可能占据约320万美元开支。这一最新估算明显高于此前摩根士丹利给出的约780万美元单柜价格预测。 早前，摩根士丹利在一份关于英伟达Rubin NVL72机柜的研究报告中指出，该系统的总价约为780万美元，其中机柜中搭载的外置存储与内存芯片成本约为200万美元，并据此测算相关内存支出同比大涨约435%。值得注意的是，摩根士丹利所引用的数据主要覆盖GPU之外的内存组件，并不充分反映Vera Rubin NVL72整套系统中高带宽内存的成本结构。 伯恩斯坦则认为，目前市场上对Vera Rubin相关内存价格的普遍预期已“过时”，尤其是在HBM价格假设方面存在较大偏差。该机构测算称，如果仍按每GB约16.6美元的HBM4价格来推算，NVL72机柜总价大致可以落在摩根士丹利此前所给出的区间附近。但伯恩斯坦强调，这一价格区间已无法反映市场最新走势，其对2027年的基准判断是HBM4价格将上升至每GB约53美元，涨幅超过三倍。 在此基础上，伯恩斯坦对NVL72机柜中存储与内存部分的成本进行了重新估算，认为相关支出将从摩根士丹利所假设的200万美元水平进一步抬升至约320万美元，从而把整机柜总价推高至约910万美元。该机构同时指出，此前部分测算中隐含的成本假设更多是基于历史价格数据，并未充分体现AI大规模建设周期下的最新供需情况。 伯恩斯坦还预计，英伟达在面对HBM4等关键元件成本上升时，倾向于将涨价压力直接转嫁给下游客户。在当前AI基础设施建设持续升温、高端内存供给偏紧的背景下，高带宽内存与存储组件正在成为继先进封装产能之后的又一关键约束因素。该行的判断显示，围绕Vera Rubin等新一代AI GPU平台的整机柜价格中，内存成本的权重将显著提高，并进一步拉升大规模AI集群的总体投入门槛。 查看评论
英伟达最新AI平台Vera Rubin进入量产阶段，SK海力士、三星和美光之间的竞争正从层数比拼转向技术攻坚，芯片内部热管理已成为HBM5时代的关键突破口。 AI硬件加速迭代，英伟达、AMD新一代AI服务器GPU单芯片功耗逼近1000W。HBM4已堆叠12至16层，HBM5将迈向20层堆叠。 堆叠层数越高，HBM内部热量积聚越严重，过热会触发芯片降频、算力缩水、整机稳定性下降。 英伟达和AMD等客户已明确要求HBM供应商加强散热管理。 SK海力士近期发布iHBM散热技术，将集成冷却元件内嵌到HBM中，在芯片内部开辟直通散热通道。 与传统设计相比，该技术可将热阻降低30%以上。SK海力士计划将iHBM应用于其HBM5及后续产品。 三星电子在Computex 2026上首次公开HBM5原型，并推出HPB散热方案，将导热块埋入多层DRAM裸片之间，相当于在堆叠芯片内部搭建多条独立散热烟囱。 该技术已在第七代HBM4E上完成验证，样品已于5月底首次交付客户。 三星表示，该技术可将热阻降低16%，HBM5预计在2028年左右实现量产。 美光则主攻低功耗HBM设计，并辅以硅通孔沟槽冷却技术。通过在AI加速器芯片的硅芯片内部蚀刻微型沟槽，使冷却液在其中循环流动，从而降低内部热积累。 业内人士指出，散热技术升级将带动高导热材料、先进封装制程需求爆发，重塑半导体供应链。低功耗和热管理技术将是未来HBM研发的核心方向。 查看评论
IT之家 6 月 7 日消息，据韩媒《阿视亚经济》报道，英伟达 CEO 黄仁勋今天在首尔与崔泰源等 SK 集团高管共进晚餐期间确认， 他明天将与三星电子副会长全永铉会面 。 被问到“是否会与三星电子会长李在镕会面”时，黄仁勋回复道：“他最近来加州看过我，我们一起共进了一次非常愉快的晚餐”。同时， 李在镕目前正在海外出差 ， 因此无法与黄仁勋会面 。 IT之家从原报道获悉，黄仁勋与全永铉会面时，预计将讨论 HBM、下一代存储器技术等合作议题，并探讨机器人等未来技术。 黄仁勋明天的行程安排颇为紧凑，他起身后的第一件事是前往 SK 集团总部，与崔泰源相谈。随后前往汝矣岛的 LG 双子塔，与 LG 集团会长具光谟会面，并陆续访问首尔大学、现代汽车集团、Naver 总部，会见郑义宣、李海珍等人。
英伟达首席执行官黄仁勋周五在首尔宣布，三星电子、SK海力士和美光科技均已通过认证，将为英伟达下一代人工智能平台Vera Rubin供应HBM4高带宽存储芯片。 黄仁勋在抵达韩国展开访问时向媒体表示，三家供应商均已通过资质认证，并已进入量产阶段，目前正全力保障Vera Rubin平台的供货需求。这是英伟达首次正式确认三家存储芯片厂商同时获得HBM4供应资格。这三家公司主导着全球存储芯片市场，此前一直在争夺英伟达HBM供应份额。SK海力士在HBM3E时代占据约62%的市场份额，而此次三家同时获得认证，意味着HBM4世代的供应格局或将发生变化。 黄仁勋本周在台北电脑展期间透露，Vera Rubin已进入全面量产，整机产品将于今年第三季度正式出货。这套AI系统由英伟达Vera CPU与Rubin GPU集群搭建而成，单台服务器将搭载TB级容量的HBM4高带宽内存。HBM4是第六代高带宽存储产品，相比前代HBM3E在接口宽度上实现翻倍，数据传输速度从约1 TB/s提升至2 TB/s。 从各家进展来看，三星电子已于今年2月率先启动HBM4量产出货；SK海力士HBM4年初正式进入全面量产；美光3月宣布量产HBM4，其产能爬坡速度比去年量产HBM3E时快了两倍。 Arm首席执行官雷内·哈斯本周指出，高端存储短缺是目前AI产业链最难攻克的产能瓶颈。此番三大厂商同步获得认证，对缓解供应紧张具有积极意义。 黄仁勋同时透露，英伟达正在韩国设立新的研发中心并启动人员招聘，以加强与韩国合作伙伴在供应链方面的协调。 查看评论
IT之家 6 月 5 日消息，据彭博社报道，英伟达公司首席执行官黄仁勋首次确认，英伟达已对三家最大的内存芯片制造商进行了认证，允许其为英伟达的人工智能（AI）加速器供应其最先进的高带宽产品。 黄仁勋表示，已批准 三星电子、SK 海力士和美光科技 供应 HBM4（高带宽内存、High Bandwidth Memory），这是英伟达用于人工智能工作的下一代 Vera Rubin 平台不可或缺的组件。这三家公司共同主导着全球计算机存储半导体市场，目前正为了在这一利润丰厚的业务中分得一杯羹而展开激烈竞争。 黄仁勋在启程赴韩开启多日访问行程后透露：“三家供应商均已顺利通过资质认证、 全线进入量产阶段 ，目前正全速赶工，保障 Vera Rubin 平台的供货需求。” 据IT之家此前报道，黄仁勋在 2026 台北国际电脑展主题演讲中宣布， Vera Rubin 现已进入全面量产阶段 ，整机产品将于今年秋季正式出货，这套全新 AI 系统由英伟达 Vera CPU 与 Rubin GPU 集群搭建而成。
HBM 对于普通人没那么大影响，但是 (LP)DDR5 则影响很大，长鑫是否有能力补上这个部分的需求？目前到了几 nm 的能力圈中？
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IT之家 6 月 4 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（6 月 3 日）发布博文，报道称在 2026 台北国际电脑展上， 三星展示了面向 HBM5 内存的 HPB（Heat Block Path，热阻断路径）封装散热结构。 IT之家昨日报道，三星在本次展会上展示了全球首款 HBM5 内存，最新报道则聚焦全新的 HPB 散热架构，该技术面向更高密度、更高速度的 HBM 堆栈，核心目标是降低散热压力，支撑 AI 数据中心所需的高带宽内存升级。 该媒体称三星的 HPB 散热架构在封装内部加入独立热柱。热柱可从堆叠内部带走热量，并导向封装上方或侧边的散热器。 三星把重点放在 D2D PHY（裸片到裸片物理层）区域，也就是 HBM 基底芯片与 GPU 之间的高速连接层。随着堆叠变高、速度变快，这里的温度和功耗密度快速抬升。三星称，HPB 已在 HBM4E 上完成部署和验证。 HBM4E 的首批 12 层样品已于上月出货，速率为 14Gbps，后续可扩展到 16Gbps，每堆叠带宽为 3.6TB/s。 三星还确认，HBM5 基底芯片会从 HBM4 和 HBM4E 使用的 4nm 节点，转向自家 2nm 工艺。 三星 Device Solutions 总裁兼 CTO Song Jai-hyuk 表示，AI 系统更强大且集成更密，热管理、数据处理效率和封装稳定性已与内存性能同样关键。 三星同时拥有内存业务和逻辑代工业务，因此可把 HBM5 堆叠与 2nm 基底芯片纳入自家制造体系。 SK 海力士也瞄准同一热点，但采用不同路线。 其 iHBM（集成式高带宽内存）方案把电绝缘、导热硅冷却元件嵌入 D2D PHY 层，称可较现有产品降低超过 30% 热阻 。三星选择建立热量外排通道，SK 海力士则把冷却元件放在热点处。
IT之家 6 月 4 日消息，SK 海力士官网 6 月 3 日发文，SK 集团董事长崔泰源当日在 2026 台北电脑展会见了台积电董事长兼 CEO 魏哲家， 双方就下一代 AI 技术的最新趋势交换了意见 ，并就如何共同塑造 AI 生态系统的未来进行了深入探讨。 ▲ SK 集团董事长崔泰源（左）会见台积电董事长兼 CEO 魏哲家（右） 双方同意进一步拓展在下一代 HBM 开发和先进封装领域的合作 ，共同努力在快速发展的 AI 市场中保持领先地位。 展望未来，两家公司计划加快步伐，巩固其在定制化 AI 存储器市场的地位。 IT之家注意到，英伟达 CEO 黄仁勋 6 月 2 日也前往 SK 海力士的 2026 台北国际电脑展展台，与崔泰源进行了合影，并在 SK 海力士展品上签名。 SK 海力士今年在台北国际电脑展上展出了 HBM4E 48GB 12Hi 样品。 这一内存应基于 12 层堆叠的 32Gb 1cnm DRAM Die，引脚速率达到 16.0Gbps，单堆栈带宽达到 4.0TB/s。SK 海力士宣称其 HBM4E 48GB 12Hi 实现了 38% 的带宽提升和 33% 的单 Die 容量提升。 而在客户端存储部分，SK 海力士展出了一系列 DRAM 和 NAND 产品，并确认基于 V9 TLC、主打能效的 PVF01 是其首款 DRAM-less 架构 PCIe Gen5 客户端固态硬盘 (cSSD)。
SK海力士在2026年台北国际电脑展上展示了下一代HBM4E高带宽内存样品，重点面向英伟达、AMD等厂商即将推出的AI数据中心GPU平台。随着生成式和推理型AI模型规模不断膨胀，行业对更高带宽、更大容量以及更高能效的存储需求持续攀升，HBM4E被视为在HBM4基础上的再一次重大演进。 据介绍，本次展出的HBM4E单颗芯片采用32Gb芯粒，相比HBM4在裸片密度上提升约33%。在堆叠结构上，HBM4E通过12层堆叠即可实现48GB容量，而此前要达到同等容量通常需要16层堆叠，这意味着在保持容量不变的前提下，有望降低封装高度与复杂度，为系统设计留出更多余地。在性能方面，HBM4E单引脚速率最高可达16Gbps，相比HBM4提升约37%，单颗带宽可达到4TB/s，创下该类产品的带宽新高。 业内人士指出，英伟达Rubin以及AMD MI400系列等新一代AI数据中心GPU，将在今年陆续采用HBM4内存方案，而HBM4E则被视为后续产品的升级方向。SK海力士此次在展会提前展示HBM4E样品，表明其在下一阶段HBM竞争中的积极布局。该公司预计，HBM4E首先将会出现在计划于明年推出的英伟达Rubin Ultra GPU上，后续一代的产品则可能采用多GPU与HBM4E芯粒的高密度封装，以进一步拉高AI算力与内存带宽上限。 从技术演进路径看，HBM4E延续了HBM家族在带宽与能效方面的迭代思路。此前的HBM3E在36GB、12层堆叠配置下，已实现了每颗1.2TB/s级别的带宽和功耗改进，而HBM4在48GB、16层堆叠形态下进一步提高了针脚速率与总体带宽。当前公布的参数显示，HBM4E在相同48GB容量下，通过更高的单芯密度与12层堆叠设计，实现了带宽和功耗效率的同步提升，有助于在AI推理和训练等高负载场景中缓解内存瓶颈。 除了HBM产品线，SK海力士还在展会同期披露了针对AI时代的新型堆叠式NAND方案“AI-N B”。该方案借鉴HBM的通孔硅穿接（TSV）堆叠思路，将多层NAND芯片纵向堆叠，以实现“HBM级带宽、SSD级容量”的组合能力，目标是为大规模AI推理提供更高吞吐的存储系统，同时缓解当前高带宽存储供应紧张带来的产业压力。这一思路与业内其他厂商提出的HBF和Z-Angle等技术路径有一定相似之处，均试图通过三维堆叠与高速互连，弥合高带宽内存与大容量存储之间的性能与成本鸿沟。 在客户端与终端侧产品方面，SK海力士也展示了多款面向“AI PC”的新品，其中包括基于1cnm工艺的96GB LPCAMM2内存模组。该模组采用LPDDR5X标准，传输速率最高可达9.6Gbps，预计将于今年晚些时候随新一代AI PC平台一同推向市场。在固态存储领域，公司展出了V9 NAND系列，提供QLC与TLC两种颗粒形态，单颗容量最高可实现2TB，并可封装为紧凑型cSSD产品，主打小型化设计与高能效，并采用无DRAM架构以进一步优化成本与功耗表现。 总体来看，从HBM4E到堆叠式NAND，再到高密度LPCAMM2与V9 NAND SSD，SK海力士在本届台北国际电脑展上集中展示了其围绕AI数据中心与AI PC两大应用方向的完整存储布局。在AI算力与存储需求同步爆发的背景下，新一代高带宽、高密度、低功耗存储产品将成为GPU等计算芯片释放性能的关键支撑，而HBM4E样品的首次公开亮相，也被视为下一轮HBM技术竞争的重要信号。 查看评论
IT之家 6 月 3 日消息，SK 海力士今年在台北国际电脑展 COMPUTEX 上展出了 HBM4E 48GB 12Hi 样品。 这一内存应基于 12 层堆叠的 32Gb 1cnm DRAM Die， 引脚速率达到 16.0Gbps ，单堆栈带宽达到 4.0TB/s。SK 海力士宣称其 HBM4E 48GB 12Hi 实现了 38% 的带宽提升和 33% 的单 Die 容量提升。 而在客户端存储部分，SK 海力士展出了一系列 DRAM 和 NAND 产品，并确认基于 V9 TLC、主打能效的 PVF01 是其首款 DRAM-less 架构 PCIe Gen5 客户端固态硬盘 (cSSD) 。 SK 海力士的其它展品还包括用于 NVIDIA DGX Spark 的 1anm 16GB LPDDR5X-8533、支持 DLC 液冷的 PEB210 E1.S 固态硬盘、适配 NVIDIA Bluefield-4 DPU 的 PE9010 M.2 固态硬盘、面向 NVIDIA Vera Rubin 超级芯片的 1cnm 96GB LPDDR5X-9600 SOCAMM2 等。 相关阅读： 《 SK 海力士计划 2026H2 出样 HBM4E：基于 1c DRAM，2027 年量产 》
IT之家 6 月 2 日消息，集邦咨询 2 日（今天）下午发布的最新研究指出，自 2025 年下半年以来，一般型 DRAM（Conventional DRAM）价格大涨，反映供不应求形势之际，三大原厂的 HBM 年度议价机制，导致 HBM 合约价无法及时反映市场的季度涨价趋势。 随着时序进入今年 Q2，买卖双方正在对 2027 年的主流产品 HBM4 供应进行谈判。集邦咨询认为，基于 DRAM 供不应求市况、新旧世代 HBM 的高制造难度及高成本，三大原厂 将于 2027 年大幅调高 HBM 的报价 。 根据该机构追踪 HBM 及 Conventional DRAM 的单片晶圆产值（IT之家注：依晶粒尺寸、良率及每 Gb 价格估计），HBM 单片晶圆产值已于今年 Q1 被 DDR5 64GB RDIMM 反超，而 HBM 的利润率亦因此于今年 Q1 起低于 DDR5 64GB RDIMM。 从需求动能来看，在 AI 基础设施加速建设带动下，HBM 需求于 2026 至 2027 年持续旺盛 ，不过两年动能略有差异。2026 年 HBM 需求动能主要来自 AI ASICs 对容量的升级 ，将 AI 芯片所配置的 HBM 容量 由 96/192GB 大举拉升至 216/288GB ；而英伟达 Rubin 平台单颗 GPU 的 HBM 容量虽持平于前代，仍借由出货量成长同步推升整体需求。2027 年英伟达的 Rubin Ultra 平台将进一步推升单颗 GPU 的 HBM 容量至 384GB，谷歌 TPU 等 AI ASICs 则因颗数成长，也将放大对 HBM 位元需求。 该机构预估，三大原厂 2025-2027 年 HBM 投片量估计占 整体 DRAM 投片量的 18%、22% 及约 30% （以每年年底投片量计算），而 HBM 位元供给则将占整体 DRAM 位元供给的 8%、9% 及约 13%。
IT之家 6 月 2 日消息，韩媒 Edaily 今天（6 月 2 日）发布博文，报道称在 2026 年台北国际电脑展上， 三星展示了全球首款 HBM5 内存。 IT之家注：HBM5 是面向未来高性能计算（HPC）和人工智能（AI）训练需求设计的第八代存储技术。 HBM5 预计在 2029 年至 2031 年间推出市场，采用更先进的制造工艺，预计使用 2nm 基础裸片搭配 1c nm DRAM。 散热方面，为了应对超高功耗，HBM5 将采用浸没式冷却技术 (Immersion Cooling)，即直接将裸片和封装整体浸泡在冷却液中。 性能方面，行业预测 HBM5 将 I/O 通道提升至 4096-bit，以 16-Hi (16 层) 堆叠为标准，预期每个堆叠的带宽将提升至 4 TB/s。
三星电子周五宣布，已开始交付其最新款高带宽内存（HBM）芯片——12层HBM4E的样品，并称这是全球首款此类产品出货。随着人工智能服务器与处理器对高端内存芯片的需求激增，AMD、英伟达、谷歌等头部人工智能企业均为三星的客户。 继今年早些时候业界首次大规模生产和商业出货其业界领先的HBM4之后，三星现在通过推出HBM4E样品扩展了其HBM路线图，以满足人工智能计算和超大规模基础设施快速发展的需求。 三星的HBM4E可提供稳定的14 Gbps引脚传输速度，性能可扩展至16 Gbps，以满足日益增长的数据处理需求。与 HBM4相比，性能提升超过20%，同时每个堆栈的内存带宽高达3.6 TB/s，有助于最大限度地提高大型语言模型 （LLM） 和下一代人工智能系统的计算性能。 三星的12层HBM4E提供48GB 的容量，比上一代产品增加了30%以上，并计划根据客户需求扩展产品线，包括 32 GB（8 层）和 64 GB（16 层）配置。 三星 HBM4E的存储器和逻辑架构的设计和工艺优化也提高了性能、能效和良率。 具体而言，先进的低功耗设计技术和优化的封装结构使能效比上一代产品提升了16%，热阻特性提升了14%以上。这些改进还实现了更高效的散热，从而在高负载的下一代数据中心中保持了更长的可靠性并降低了能耗。 三星计划在完成首批样品交付和优化工作后，根据客户的进度安排开始量产HBM4E。 查看评论
IT之家 5 月 29 日消息，三星电子 (Samsung Electronics) 韩国当地时间今日宣布， 已开始向全球主要客户交付业界首批 12 层 (12Hi) HBM4E 样品 。 三星的 HBM4E 可提供稳定的 14Gbps 引脚传输速度 并能扩展至 16Gbps，相较 HBM4 再度提升 20%。其每个堆栈的内存带宽高达 3.6 TB/s，有助于最大限度地提高 LLM 和下一代 AI 系统的计算性能。 与其 HBM4 一样，三星 HBM4E 结合了 1c nm DRAM 裸晶和 4nm 逻辑裸晶。不过新的 HBM4E 通过先进的低功耗设计技术和优化的封装结构 实现了 16% 的能效提升和 14% 的热阻特性改进 。 三星电子的 12Hi HBM4E 单堆栈容量为 48GB，该企业计划根据客户需求后续补充 8Hi 32GB、16Hi 64GB 的配置。在完成初步样品交付和优化后，三星计划根据客户的进度安排开始批量生产 HBM4E。