IT之家 6 月 8 日消息，据首尔经济日报报道，三星电子副会长兼联席 CEO 全永铉（Young Hyun Jun）周一出席了在首尔市中区新罗酒店迎宾馆举行的英伟达“韩国 AI 生态系统招待会”。 IT之家获悉，在当天傍晚与英伟达首席执行官黄仁勋举行闭门商务会议后，全永铉告诉媒体：“我们与英伟达已经合作了很长时间， 我认为我们进行了（迄今为止）最好的对话 。” 全永铉称与黄仁勋 就 HBM4、晶圆厂领域的短期合作事宜进行了讨论 。全永铉表示，我们正在合作研发 4 纳米和 8 纳米节点所需的自动驾驶芯片，以及英伟达的加速器芯片； 我们还就长期合作进行了广泛讨论 ，包括 HBM4E、代工业务、HBM5 以及其他未来技术。双方还讨论了下一代芯片的代工合作。 三星电子特别强调，其需要全力供应 HBM4 以及低功耗内存模组 SOCAMM。该公司计划从明年开始，通过 HBM4E 和 HBM5 继续与英伟达进行长期合作。 同时，关于与英伟达在内存供应方面的长期协议（LTA），全永铉表示：“三星电子将尽最大努力，作为英伟达最佳合作伙伴来协助其取得成功。”
投行伯恩斯坦近日发布报告称，随着英伟达下一代Vera Rubin人工智能芯片在2027年进入大规模出货周期，高带宽内存（HBM4）价格将大幅上涨，推高整机柜系统成本。该机构预计，用于AI算力集群的英伟达Vera Rubin NVL72机柜整体价格或将达到约910万美元，其中仅存储与内存部分就可能占据约320万美元开支。这一最新估算明显高于此前摩根士丹利给出的约780万美元单柜价格预测。 早前，摩根士丹利在一份关于英伟达Rubin NVL72机柜的研究报告中指出，该系统的总价约为780万美元，其中机柜中搭载的外置存储与内存芯片成本约为200万美元，并据此测算相关内存支出同比大涨约435%。值得注意的是，摩根士丹利所引用的数据主要覆盖GPU之外的内存组件，并不充分反映Vera Rubin NVL72整套系统中高带宽内存的成本结构。 伯恩斯坦则认为，目前市场上对Vera Rubin相关内存价格的普遍预期已“过时”，尤其是在HBM价格假设方面存在较大偏差。该机构测算称，如果仍按每GB约16.6美元的HBM4价格来推算，NVL72机柜总价大致可以落在摩根士丹利此前所给出的区间附近。但伯恩斯坦强调，这一价格区间已无法反映市场最新走势，其对2027年的基准判断是HBM4价格将上升至每GB约53美元，涨幅超过三倍。 在此基础上，伯恩斯坦对NVL72机柜中存储与内存部分的成本进行了重新估算，认为相关支出将从摩根士丹利所假设的200万美元水平进一步抬升至约320万美元，从而把整机柜总价推高至约910万美元。该机构同时指出，此前部分测算中隐含的成本假设更多是基于历史价格数据，并未充分体现AI大规模建设周期下的最新供需情况。 伯恩斯坦还预计，英伟达在面对HBM4等关键元件成本上升时，倾向于将涨价压力直接转嫁给下游客户。在当前AI基础设施建设持续升温、高端内存供给偏紧的背景下，高带宽内存与存储组件正在成为继先进封装产能之后的又一关键约束因素。该行的判断显示，围绕Vera Rubin等新一代AI GPU平台的整机柜价格中，内存成本的权重将显著提高，并进一步拉升大规模AI集群的总体投入门槛。 查看评论
英伟达首席执行官黄仁勋周五在首尔宣布，三星电子、SK海力士和美光科技均已通过认证，将为英伟达下一代人工智能平台Vera Rubin供应HBM4高带宽存储芯片。 黄仁勋在抵达韩国展开访问时向媒体表示，三家供应商均已通过资质认证，并已进入量产阶段，目前正全力保障Vera Rubin平台的供货需求。这是英伟达首次正式确认三家存储芯片厂商同时获得HBM4供应资格。这三家公司主导着全球存储芯片市场，此前一直在争夺英伟达HBM供应份额。SK海力士在HBM3E时代占据约62%的市场份额，而此次三家同时获得认证，意味着HBM4世代的供应格局或将发生变化。 黄仁勋本周在台北电脑展期间透露，Vera Rubin已进入全面量产，整机产品将于今年第三季度正式出货。这套AI系统由英伟达Vera CPU与Rubin GPU集群搭建而成，单台服务器将搭载TB级容量的HBM4高带宽内存。HBM4是第六代高带宽存储产品，相比前代HBM3E在接口宽度上实现翻倍，数据传输速度从约1 TB/s提升至2 TB/s。 从各家进展来看，三星电子已于今年2月率先启动HBM4量产出货；SK海力士HBM4年初正式进入全面量产；美光3月宣布量产HBM4，其产能爬坡速度比去年量产HBM3E时快了两倍。 Arm首席执行官雷内·哈斯本周指出，高端存储短缺是目前AI产业链最难攻克的产能瓶颈。此番三大厂商同步获得认证，对缓解供应紧张具有积极意义。 黄仁勋同时透露，英伟达正在韩国设立新的研发中心并启动人员招聘，以加强与韩国合作伙伴在供应链方面的协调。 查看评论
IT之家 6 月 5 日消息，据彭博社报道，英伟达公司首席执行官黄仁勋首次确认，英伟达已对三家最大的内存芯片制造商进行了认证，允许其为英伟达的人工智能（AI）加速器供应其最先进的高带宽产品。 黄仁勋表示，已批准 三星电子、SK 海力士和美光科技 供应 HBM4（高带宽内存、High Bandwidth Memory），这是英伟达用于人工智能工作的下一代 Vera Rubin 平台不可或缺的组件。这三家公司共同主导着全球计算机存储半导体市场，目前正为了在这一利润丰厚的业务中分得一杯羹而展开激烈竞争。 黄仁勋在启程赴韩开启多日访问行程后透露：“三家供应商均已顺利通过资质认证、 全线进入量产阶段 ，目前正全速赶工，保障 Vera Rubin 平台的供货需求。” 据IT之家此前报道，黄仁勋在 2026 台北国际电脑展主题演讲中宣布， Vera Rubin 现已进入全面量产阶段 ，整机产品将于今年秋季正式出货，这套全新 AI 系统由英伟达 Vera CPU 与 Rubin GPU 集群搭建而成。
SK海力士在2026年台北国际电脑展上展示了下一代HBM4E高带宽内存样品，重点面向英伟达、AMD等厂商即将推出的AI数据中心GPU平台。随着生成式和推理型AI模型规模不断膨胀，行业对更高带宽、更大容量以及更高能效的存储需求持续攀升，HBM4E被视为在HBM4基础上的再一次重大演进。 据介绍，本次展出的HBM4E单颗芯片采用32Gb芯粒，相比HBM4在裸片密度上提升约33%。在堆叠结构上，HBM4E通过12层堆叠即可实现48GB容量，而此前要达到同等容量通常需要16层堆叠，这意味着在保持容量不变的前提下，有望降低封装高度与复杂度，为系统设计留出更多余地。在性能方面，HBM4E单引脚速率最高可达16Gbps，相比HBM4提升约37%，单颗带宽可达到4TB/s，创下该类产品的带宽新高。 业内人士指出，英伟达Rubin以及AMD MI400系列等新一代AI数据中心GPU，将在今年陆续采用HBM4内存方案，而HBM4E则被视为后续产品的升级方向。SK海力士此次在展会提前展示HBM4E样品，表明其在下一阶段HBM竞争中的积极布局。该公司预计，HBM4E首先将会出现在计划于明年推出的英伟达Rubin Ultra GPU上，后续一代的产品则可能采用多GPU与HBM4E芯粒的高密度封装，以进一步拉高AI算力与内存带宽上限。 从技术演进路径看，HBM4E延续了HBM家族在带宽与能效方面的迭代思路。此前的HBM3E在36GB、12层堆叠配置下，已实现了每颗1.2TB/s级别的带宽和功耗改进，而HBM4在48GB、16层堆叠形态下进一步提高了针脚速率与总体带宽。当前公布的参数显示，HBM4E在相同48GB容量下，通过更高的单芯密度与12层堆叠设计，实现了带宽和功耗效率的同步提升，有助于在AI推理和训练等高负载场景中缓解内存瓶颈。 除了HBM产品线，SK海力士还在展会同期披露了针对AI时代的新型堆叠式NAND方案“AI-N B”。该方案借鉴HBM的通孔硅穿接（TSV）堆叠思路，将多层NAND芯片纵向堆叠，以实现“HBM级带宽、SSD级容量”的组合能力，目标是为大规模AI推理提供更高吞吐的存储系统，同时缓解当前高带宽存储供应紧张带来的产业压力。这一思路与业内其他厂商提出的HBF和Z-Angle等技术路径有一定相似之处，均试图通过三维堆叠与高速互连，弥合高带宽内存与大容量存储之间的性能与成本鸿沟。 在客户端与终端侧产品方面，SK海力士也展示了多款面向“AI PC”的新品，其中包括基于1cnm工艺的96GB LPCAMM2内存模组。该模组采用LPDDR5X标准，传输速率最高可达9.6Gbps，预计将于今年晚些时候随新一代AI PC平台一同推向市场。在固态存储领域，公司展出了V9 NAND系列，提供QLC与TLC两种颗粒形态，单颗容量最高可实现2TB，并可封装为紧凑型cSSD产品，主打小型化设计与高能效，并采用无DRAM架构以进一步优化成本与功耗表现。 总体来看，从HBM4E到堆叠式NAND，再到高密度LPCAMM2与V9 NAND SSD，SK海力士在本届台北国际电脑展上集中展示了其围绕AI数据中心与AI PC两大应用方向的完整存储布局。在AI算力与存储需求同步爆发的背景下，新一代高带宽、高密度、低功耗存储产品将成为GPU等计算芯片释放性能的关键支撑，而HBM4E样品的首次公开亮相，也被视为下一轮HBM技术竞争的重要信号。 查看评论
IT之家 6 月 3 日消息，SK 海力士今年在台北国际电脑展 COMPUTEX 上展出了 HBM4E 48GB 12Hi 样品。 这一内存应基于 12 层堆叠的 32Gb 1cnm DRAM Die， 引脚速率达到 16.0Gbps ，单堆栈带宽达到 4.0TB/s。SK 海力士宣称其 HBM4E 48GB 12Hi 实现了 38% 的带宽提升和 33% 的单 Die 容量提升。 而在客户端存储部分，SK 海力士展出了一系列 DRAM 和 NAND 产品，并确认基于 V9 TLC、主打能效的 PVF01 是其首款 DRAM-less 架构 PCIe Gen5 客户端固态硬盘 (cSSD) 。 SK 海力士的其它展品还包括用于 NVIDIA DGX Spark 的 1anm 16GB LPDDR5X-8533、支持 DLC 液冷的 PEB210 E1.S 固态硬盘、适配 NVIDIA Bluefield-4 DPU 的 PE9010 M.2 固态硬盘、面向 NVIDIA Vera Rubin 超级芯片的 1cnm 96GB LPDDR5X-9600 SOCAMM2 等。 相关阅读： 《 SK 海力士计划 2026H2 出样 HBM4E：基于 1c DRAM，2027 年量产 》
三星电子周五宣布，已开始交付其最新款高带宽内存（HBM）芯片——12层HBM4E的样品，并称这是全球首款此类产品出货。随着人工智能服务器与处理器对高端内存芯片的需求激增，AMD、英伟达、谷歌等头部人工智能企业均为三星的客户。 继今年早些时候业界首次大规模生产和商业出货其业界领先的HBM4之后，三星现在通过推出HBM4E样品扩展了其HBM路线图，以满足人工智能计算和超大规模基础设施快速发展的需求。 三星的HBM4E可提供稳定的14 Gbps引脚传输速度，性能可扩展至16 Gbps，以满足日益增长的数据处理需求。与 HBM4相比，性能提升超过20%，同时每个堆栈的内存带宽高达3.6 TB/s，有助于最大限度地提高大型语言模型 （LLM） 和下一代人工智能系统的计算性能。 三星的12层HBM4E提供48GB 的容量，比上一代产品增加了30%以上，并计划根据客户需求扩展产品线，包括 32 GB（8 层）和 64 GB（16 层）配置。 三星 HBM4E的存储器和逻辑架构的设计和工艺优化也提高了性能、能效和良率。 具体而言，先进的低功耗设计技术和优化的封装结构使能效比上一代产品提升了16%，热阻特性提升了14%以上。这些改进还实现了更高效的散热，从而在高负载的下一代数据中心中保持了更长的可靠性并降低了能耗。 三星计划在完成首批样品交付和优化工作后，根据客户的进度安排开始量产HBM4E。 查看评论
IT之家 5 月 29 日消息，三星电子 (Samsung Electronics) 韩国当地时间今日宣布， 已开始向全球主要客户交付业界首批 12 层 (12Hi) HBM4E 样品 。 三星的 HBM4E 可提供稳定的 14Gbps 引脚传输速度 并能扩展至 16Gbps，相较 HBM4 再度提升 20%。其每个堆栈的内存带宽高达 3.6 TB/s，有助于最大限度地提高 LLM 和下一代 AI 系统的计算性能。 与其 HBM4 一样，三星 HBM4E 结合了 1c nm DRAM 裸晶和 4nm 逻辑裸晶。不过新的 HBM4E 通过先进的低功耗设计技术和优化的封装结构 实现了 16% 的能效提升和 14% 的热阻特性改进 。 三星电子的 12Hi HBM4E 单堆栈容量为 48GB，该企业计划根据客户需求后续补充 8Hi 32GB、16Hi 64GB 的配置。在完成初步样品交付和优化后，三星计划根据客户的进度安排开始批量生产 HBM4E。
IT之家 5 月 25 日消息，据韩媒 The Elec 今日报道，美光科技第六代高带宽内存 HBM4 目前正在顺利扩大产能 ，同时还计划于 明年启动下一代 HBM4E 标准产品量产 。 当地时间 5 月 20 日，美光科技全球运营执行副总裁马尼什 · 巴蒂亚在摩根大通投资者会议上表示，美光 HBM4 的量产爬坡速度， 已经达到去年 12 层 HBM3E 产品的约两倍 ，良率提升速度也更快。据IT之家了解，HBM4 主要面向英伟达 Vera Rubin AI 计算平台。 美光表示，HBM4 量产提速主要有三个原因。首先，是此前量产 HBM3 与 12 层 HBM3E 过程中 积累的经验与学习效应 。其次，HBM4 核心裸片 采用了美光 10 纳米级第五代 1-beta（1β）工艺 。 美光表示，1β 目前已经是公司主力工艺，并且在性能和良率方面证明了稳定性。第三，则是美光内部优化的基础裸片设计。美光表示，1β DRAM 搭配自主制造的基础裸片后，能够进一步提升产品质量与性能。 不过，从下一代 HBM4E 开始， 美光将调整部分生产策略 。HBM4E 核心裸片将改用 10 纳米级第六代 1-gamma（1γ）工艺制造。该工艺对应三星电子和 SK 海力士的第六代 10 纳米级 1c 工艺，同时也是美光首次采用 ASML 极紫外光刻设备的工艺节点。 另外，HBM4E 的基础裸片未来将不再由美光自行生产，而是改由台积电代工。巴蒂亚表示，目前 HBM4E 开发进展顺利，美光预计明年启动量产。首批产品将采用 JEDEC 标准，同时美光也在开发针对客户需求定制的版本。虽然定制产品成本会高于标准版，但美光认为，凭借更高性能和更多功能，市场需求仍会非常强劲。 三星电子和 SK 海力士目前也正在推进 HBM4E 开发。三星电子计划于 今年第二季度提供首批 HBM4E 样品 ，基础裸片将由三星晶圆代工部门采用与 HBM4 相同的 4 纳米工艺制造。 SK 海力士 则计划于今年下半年向客户提供 HBM4E 样品 ，并在明年开始量产。SK 海力士未来仍将由台积电负责基础裸片生产，据称将采用 3 纳米工艺。 美光同时预计，到今年年中，基于 1γ 工艺生产的 DRAM 以及第九代 NAND 闪存产品， 将占公司总位元出货量的一半以上 。其中，1γ DRAM 预计还将成为美光晶圆产量规模最大的单一 DRAM 工艺节点。
IT之家 4 月 30 日消息，三星电子 (Samsung Electronics) 今日公布了正式的 2026Q1 财报并对各业务的发展进行了介绍，其中在存储器业务部分提到， 计划 2026Q2 出样 HBM4E 内存 。 三星电子设备解决方案 (DS) 部存储器业务代表在电话会议上表示， 一季度 DRAM ASP （平均销售价格） 增长超过 90%、NAND ASP 增幅也接近 90% 。该企业预计今年 HBM 内存销售额将同比增长 3 倍，从 Q3 开始 HBM4 将占到 HBM 整体收入的一半以上。 在晶圆代工部分，该企业 Q1 成功赢得了大型光通信组件公司的订单，奠定了硅光子 (SiPh) 业务的基础；下半年将启动 2nm 第二代移动产品的产能爬坡，加速扩展 4nm 内存产品、4nm LPU 的产能。 对于美国泰勒项目 ， 1 号晶圆厂年内产能爬坡 、 2027 年量产 ，2 号晶圆厂计划正在审议。 此外，三星显示下半年将通过具备差异化技术的旗舰产品以及 8.6 代 IT OLED 的量产 推动营收增长。
三星电子发布财报，2026年第一季度销售额133.9万亿韩元，净利润47.1万亿韩元。三星电子表示，将于第二季度出货HBM4E样品。 47.1万亿韩元，约317.27亿美元，约2161.89亿人民币 2 个帖子 - 2 位参与者 阅读完整话题
IT之家 4 月 23 日消息，SK 海力士 (hynix) 当地时间今日举行了 2026Q1 财报电话会议，会上该企业高管表示海力士的 HBM4E 内存正以 2027 年量产的目标顺利推进开发工作，计划 2026H2 开始供应样品。 SK 海力士在 HBM4E 上将使用基于 1c nm 制程工艺的 DRAM 裸片 ，这一节点已在多款其它产品中得到验证，良率和量产能力达到了成熟阶段；而基础裸片部分正在基于满足客户性能要求的最优技术进行开发。 SK 海力士代表认为谷歌 TurboQuant 等数据压缩技术的设计意图是提升内存应用效率而不是减少内存用量。随着 AI 服务变得更加普及， 内存需求还会进一步增加 ；而 AI 服务的多样化也将推动 存储半导体的进一步分层 。 在闪存端，该企业目标在 2026 年将超过一半的韩国本土产能转换为 V9 NAND，从 176 层 V7 到 321 层 V9 的跨越式进步 将大幅提升 NAND 生产效率 。 SK 海力士未来的产能扩充重心是逐步推进的龙仁半导体集群， 目前没有其它的晶圆厂建设或收购计划 ，但其同时表示将灵活应对全球内存需求的中长期增长。
IT之家 4 月 22 日消息，集邦咨询 Trendforce 今天（4 月 22 日）发布博文，报道称 SK 海力士在美国印第安纳州开始动工建设首座半导体先进封装工厂， 投资约 38.7 亿美元（IT之家注：现汇率约合 264.57 亿元人民币），计划 2028 年下半年投产，主要生产第七代和第八代 HBM（HBM4E 和 HBM5）。 消息称该工厂主要满足 AI 算力对高带宽内存的激增需求，以生产第七代 HBM4E 和第八代 HBM5 为主。SK 海力士已于 4 月 17 日通知当地社区启动地基打桩作业，预计持续数月，2026 年下半年进入主体建筑施工阶段。 除美国扩张外，SK 海力士同步加码韩国本土产能。公司计划投资约 19 万亿韩元在清州建设下一代先进封装工厂（P&T7），预计 2027 年底完工。DRAM 产能扩张也在加速推进，清州 M15X 工厂将于 3 月四期洁净室启用后安装设备，龙仁半导体集群首座工厂洁净室计划 2027 年 2 月完工。
IT之家 4 月 16 日消息，韩媒 ChosunBiz 当地时间今晨报道称， 三星电子计划在 5 月生产首批性能可满足客户要求的 HBM4E 内存样品 ，为 2027~2028 年的供应打下基础。 三星电子在今年早些时候的 NVIDIA 英伟达 GTC 2026 上公开展示了 HBM4E 内存，可实现 16Gbps 的每 Pin 数据传输速率，整体带宽达 4.0TB/s。不过业内人士认为那时的样品仅是用于展示三星电子技术实力的演示样品。 与 HBM4 一样，三星电子的 HBM4E 将采用 1c nm DRAM Die 和 4nm Base Die，不过工艺细节将有所改进。 三星晶圆代工计划在 5 月中旬之前完成 HBM4E 性能样品 Base Die 的生产 ，交付存储器业务以进行后续 3D 封装工序。
IT之家 4 月 14 日消息，韩媒 fnNews 当地时间昨日报道称， 三星晶圆代工已将 4nm 制程工艺的 HBM4 内存基础裸片 (Base Die) 报价上调 40~50% ，这将推高存储器业务的 HBM 制造整体成本。 三星晶圆代工之所以在与兄弟部门的价格谈判中掌握优势，是因为三星存储器业务收获了大规模的 HBM4 内存订单和意向， 现在是存储器业务有求于晶圆代工业务 。而在此前达成内部合作的时候，晶圆代工业务是更弱势的一方。 除 HBM4 Base Die 这笔相对稳定的收入外， 其它 AI 芯片需求也推高了三星晶圆代工生产线的运行率 ，成本-利润结构得到改善。IT之家了解到，三星半导体的系统 LSI 业务也有望凭借 Exynos 系列移动处理器的走强迎来复苏。
三星电子芯片部门负责人JUN表示，与英伟达CEO黄仁勋就HBM4、晶圆厂领域的短期合作事宜进行了讨论。JUN表示，我们正在合作研发4纳米和8纳米节点所需的自动驾驶芯片，以及NVIDIA的加速器芯片；我们还就长期合作进行了广泛讨论，包括HBM4E、代工业务、HBM5以及其他未来技术。还讨论了下一代芯片的代工合作。（财联社）
英伟达CEO黄仁勋表示，将尽可能高效灵活地调配内存供应，三家内存制造商都已获���供应HBM4的资格。（财联社）
据报道，SK海力士表示，计划今年下半年向客户提供HBM4E样品，目标是在2027年实现HBM4E量产。该公司称，预计未来三年来自客户的HBM需求将远超过公司的HBM产能。（界面）