IT之家 6 月 4 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（6 月 3 日）发布博文，报道称在 2026 台北国际电脑展上， 三星展示了面向 HBM5 内存的 HPB（Heat Block Path，热阻断路径）封装散热结构。 IT之家昨日报道，三星在本次展会上展示了全球首款 HBM5 内存，最新报道则聚焦全新的 HPB 散热架构，该技术面向更高密度、更高速度的 HBM 堆栈，核心目标是降低散热压力，支撑 AI 数据中心所需的高带宽内存升级。 该媒体称三星的 HPB 散热架构在封装内部加入独立热柱。热柱可从堆叠内部带走热量，并导向封装上方或侧边的散热器。 三星把重点放在 D2D PHY（裸片到裸片物理层）区域，也就是 HBM 基底芯片与 GPU 之间的高速连接层。随着堆叠变高、速度变快，这里的温度和功耗密度快速抬升。三星称，HPB 已在 HBM4E 上完成部署和验证。 HBM4E 的首批 12 层样品已于上月出货，速率为 14Gbps，后续可扩展到 16Gbps，每堆叠带宽为 3.6TB/s。 三星还确认，HBM5 基底芯片会从 HBM4 和 HBM4E 使用的 4nm 节点，转向自家 2nm 工艺。 三星 Device Solutions 总裁兼 CTO Song Jai-hyuk 表示，AI 系统更强大且集成更密，热管理、数据处理效率和封装稳定性已与内存性能同样关键。 三星同时拥有内存业务和逻辑代工业务，因此可把 HBM5 堆叠与 2nm 基底芯片纳入自家制造体系。 SK 海力士也瞄准同一热点，但采用不同路线。 其 iHBM（集成式高带宽内存）方案把电绝缘、导热硅冷却元件嵌入 D2D PHY 层，称可较现有产品降低超过 30% 热阻 。三星选择建立热量外排通道，SK 海力士则把冷却元件放在热点处。
IT之家 6 月 2 日消息，韩媒 Edaily 今天（6 月 2 日）发布博文，报道称在 2026 年台北国际电脑展上， 三星展示了全球首款 HBM5 内存。 IT之家注：HBM5 是面向未来高性能计算（HPC）和人工智能（AI）训练需求设计的第八代存储技术。 HBM5 预计在 2029 年至 2031 年间推出市场，采用更先进的制造工艺，预计使用 2nm 基础裸片搭配 1c nm DRAM。 散热方面，为了应对超高功耗，HBM5 将采用浸没式冷却技术 (Immersion Cooling)，即直接将裸片和封装整体浸泡在冷却液中。 性能方面，行业预测 HBM5 将 I/O 通道提升至 4096-bit，以 16-Hi (16 层) 堆叠为标准，预期每个堆叠的带宽将提升至 4 TB/s。
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最近有消息人士透露， 三星基于1dnm制程（第七代 10nm 级别工艺）的 DRAM 芯片在试产阶段良品率低于预期。三星已计划无限期推迟大规模量产，直至良品率达到既定目标。 为此，三星可能会全面审查工艺流程，以进一步提升良品率。 按照原计划， 三星拟将1dnm工艺制造的DRAM芯片用于HBM5E，即第九代HBM解决方案。 值得注意的是，除了HBM4之外，目前采用1cnm工艺的DRAM芯片还将被用于HBM4E和HBM5，覆盖连续三代HBM产品。另有传闻称，三星可能升级下一代 HBM 的基础裸片，改用更先进的2nm工艺。 目前，三星已在1dnm工艺DRAM芯片上投入更多资源，并在韩国建设一座新工厂。 据悉， 该工厂占地面积约为四个标准足球场大小，除生产DRAM芯片外，还将承担封装、测试、物流及品控等环节，这些工序对于维持稳定生产至关重要。 查看评论
IT之家 4 月 22 日消息，集邦咨询 Trendforce 今天（4 月 22 日）发布博文，报道称 SK 海力士在美国印第安纳州开始动工建设首座半导体先进封装工厂， 投资约 38.7 亿美元（IT之家注：现汇率约合 264.57 亿元人民币），计划 2028 年下半年投产，主要生产第七代和第八代 HBM（HBM4E 和 HBM5）。 消息称该工厂主要满足 AI 算力对高带宽内存的激增需求，以生产第七代 HBM4E 和第八代 HBM5 为主。SK 海力士已于 4 月 17 日通知当地社区启动地基打桩作业，预计持续数月，2026 年下半年进入主体建筑施工阶段。 除美国扩张外，SK 海力士同步加码韩国本土产能。公司计划投资约 19 万亿韩元在清州建设下一代先进封装工厂（P&T7），预计 2027 年底完工。DRAM 产能扩张也在加速推进，清州 M15X 工厂将于 3 月四期洁净室启用后安装设备，龙仁半导体集群首座工厂洁净室计划 2027 年 2 月完工。