IT之家 5 月 25 日消息，东芝电子元件及存储装置株式会社本月 21 日宣布 开始出货 1200V 沟槽栅碳化硅 (SiC) MOSFET "TW007D120E" 的测试样品 ，该产品主要面向下一代 AI 数据中心电源系统（800V HVDC 架构），同时也适用于可再生能源相关设备。 TW007D120E 采用东芝专有的沟槽栅结构， 单位面积低导通电阻较东芝现有产品降低约 58% ，达到业界领先水平；同时其 品质因数较现有产品提高了约 52% 。 这些特性将帮助数据中心电源系统实现高效运行并减少发热，从而提升整体系统效率。这有助于提高功率密度并增强功率级的散热性能，对下一代 AI 数据中心的功率转换至关重要。 东芝 计划在 2026 财年实现 "TW007D120E" 的量产 ，并将继续拓展其产品线，如开发面向汽车应用的产品。
IT之家 4 月 21 日消息，日本半导体制造商 ROHM（罗姆）今日宣布其在今年 3 月成功完成了第 5 代碳化硅 (SiC) MOSFET 的开发工作。相较上代， 新产品通过器件结构改进和制造工艺优化在 175℃ 结温 (Tj) 下导通电阻降低约 30% 。 罗姆表示，在各类电动汽车 (xEV) 用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中，其第 5 代 SiC MOSFET 有助于缩小单元体积，提高输出功率。此外芯片也非常适用于 AI 服务器电源和数据中心等工业设备的电源。 罗姆 计划从 2026 年 7 月起开始提供配有第 5 代 SiC MOSFET 的分立器件和模块的样品 。未来，ROHM 将进一步扩大产品阵容，同时完善设计工具，并强化针对应用产品设计的支持体系。
IT之家 4 月 21 日消息，华硕 (ASUS) 现已在官网上线 TUF Gaming Platinum 系列全模组电源。这批 80 PLUS 白金转换效率认证新品包含 850W / 1000W / 1200W 三个版本， 均采用了氮化镓 (GaN) MOSFET ，是少见的主流定位 GaN PC 电源。 TUF Gaming Platinum 系列采用 150mm 长度 ATX 外形规格设计，符合 ATX 3.1 和 PCIe CEM 5.1 规范，配备压纹镀锡实心铜模组线，可通过 12V-2×6 接口提供 600W 供电，搭载 135mm 双滚珠轴承风扇。 其搭载 TUF 5K 黑金电容，PCB 覆盖保护性涂层，具备六大主要安全防护机制，通过跌落、高低温循环、盐雾、火焰等系列严苛耐久度测试， 享受 8 年质保 。