美国存储芯片巨头美光（Micron）预计，高带宽存储（HBM）、DRAM 和 NAND 闪存等关键产品的供需紧张局面，将持续到 2026 年之后。该观点由投行摩根大通在一份研报中披露，内容源自美光管理层在美国波士顿举行的第 54 届摩根大通全球科技、媒体与通信大会（TMC）上的发言。 摩根大通在研报中写道，美光在大会上表示，由于高性能存储芯片可以显著提升人工智能模型的算力表现，市场对相关产品的需求持续高涨，预计整个存储市场的“紧俏”状况会一直延续到 2026 年之后。与此同时，HBM、DRAM 与 NAND 等产品的产能扩张存在客观难度，这也将放大并拉长供需失衡的周期。 多重因素正在共同推高这一轮存储紧缺。首先，新一代存储芯片在性能上的“代际提升幅度”正在放缓，意味着客户需要堆叠更多芯片或采用更高规格产品，才能获得同等水平的性能增量。其次，新一代 HBM 芯片采用更大的晶圆面积（die size），在固定晶圆产能下，可切割出的芯片数量相对减少，进一步压缩了有效供应。此外，极紫外光刻（EUV）正加速进入最新一代 DRAM 制造工艺，在提升制程能力的同时，也对产线建设与良率爬坡提出更高要求。 在本次会议上，美光还披露了关于 HBM4 生产节奏的关键信息。公司管理层称，受 AI 应用爆发式增长推动，其 1-gamma 工艺节点有望成为公司历史上出货晶圆量最大的 DRAM 节点。HBM 存储通常以多层堆叠的 DRAM 模组为基础，并与 AI GPU 等高性能芯片封装在一起，这使得先进 DRAM 工艺在 AI 时代的重要性进一步凸显。美光同时表示，正在持续将 EUV 光刻深度导入 1-gamma 节点的量产之中。 在产能爬坡方面，美光指出，受强劲 AI 需求驱动，HBM4 的产能提升速度正以约两倍于上一代 HBM3 的节奏推进。公司预计，下一代 HBM4E 将在 2027 年开启量产爬坡，首批样品将基于 1-gamma 工艺节点所生产的 DRAM 芯片。这一时间表显示，美光正试图在后续几代 AI 加速芯片平台中，提前锁定高带宽存储的技术与产能优势。 除高带宽存储外，美光还提到，随着 AI 模型“上下文窗口”持续扩展，以及推理工作负载不断增长，公司在固态硬盘（SSD）市场的份额也有所提升。美光强调，正与主要客户紧密协同研发，为其特定应用场景定制产品，而非简单提供标准化的“现货型”存储解决方案。这种更深度的合作模式，有望在未来几年内进一步稳固其在 AI 存储生态中的地位。 摩根大通在报告中表示，在听取美光管理层的最新表态后，该行更加确信 AI 存储赛道存在“多年度牛市”的投资逻辑。在高性能计算、数据中心与 AI 加速芯片的集中拉动下，HBM、DRAM 与 NAND 的结构性供需紧张，可能会成为 2026 年之后存储行业定价与盈利能力的核心支撑因素。 查看评论
IT之家 5 月 22 日消息，Micron（美光）当地时间今日宣布，其位于美国弗吉尼亚州 Manassas（马纳萨斯）的生产基地启动 1α (1-alpha) 工艺 DRAM 内存的生产，预计将于今年内实现量产。 由于主要制造商的产能转移，DDR4 与 LPDDR4 市场正被迫快速利基化。而美光向其本土工厂引入用于 DDR4 生产的最先进制程 1α， 保障了对美国汽车、国防、航空航天、工业、网络、医疗行业的稳定供给 。 Manassas 晶圆厂的扩建和现代化耗资约 20 亿美元（IT之家注：现汇率约合 136.22 亿元人民币），完全投产后 该基地的 DDR4 产能将是当前水平的四倍 。而美光在美国的整体长期投资总额达到 2000 亿美元。
IT之家 5 月 6 日消息，Micron（美光）美国爱达荷州当地时间 5 日宣布，全球容量最高商用 SSD —— 6600 ION 的 245TB (245.76TB) 版本现已启动交付。 6600 ION 基于美光的 G9 (276L) 3D QLC NAND，提供 U.2 和 EDSFF E3.L 两种外形规格版本。 其最大功耗为 30W，仅为同容量 HDD 的一半 ； 而 E3.L 版本则可较同容量 HDD 节省 82% 的机架占用 。 性能方面，245TB 版 6600 ION 拥有 13.7GB/s 的顺序读取速率和 3GB/s 的顺序写入速率；随机读取速率 1780K IOPS、随机写入速率 42K IOPS；纯 128KB 顺序写入耐久 1.0 SDWPD，随机写入耐久为 16KB 粒度 0.3 RDWPD、4KB 粒度 0.075 RDWPD。 美光高级副总裁兼核心数据中心业务部总经理 Jeremy Werner 表示 AI 工作负载正推动共享数据量激增，促使数据中心存储市场份额持续从 HDD 向 SSD 转移。美光 6600 ION 单块 SSD 容量高达 245TB，使固态存储成为现代数据中心的明智之选。 这一突破性的容量为数据中心运营商提供了改善机架级 TCO 的关键新手段，尤其是在电力供应日益成为 AI 基础设施规模扩展的关键制约因素的背景下。
IT之家 4 月 20 日消息，Micron（美光）官网显示，其已正式提供 24Gb (3GB) 容量版本的 GDDR7 显存（内存），提供 32Gbps 和 28Gbps 两种规格。这意味着 三大 DRAM 原厂的 24Gb GDDR7 均已正式推出 。 24Gb GDDR7 意味着 可在相同的位宽下实现更大的系统 DRAM 容量 ，提升模型参数或是渲染素材容纳规模，在 AI 和图形工作负载中带来更优秀的表现。 更丰富的 24Gb GDDR7 供应也是 英伟达推出一系列高显存容量显卡 （IT之家注：如移动端的 GeForce RTX 5070 12GB 笔记本电脑 GPU 和桌面端的 GeForce RTX 5050 9GB） 的基础 。