IT之家 6 月 8 日消息，存储半导体模组企业宏芯宇 (HOSINGLOBAL) 在 COMPUTEX 2026 上发布了其自研 UFS 2.2 嵌入式闪存主控芯片 HG2325。 IT之家了解到， HG2325 采用 22nm 成熟制程工艺 ，内置大容量 SRAM 缓存搭载自研 4KB LDPC 硬件纠错引擎，适配主流 3D TLC / QLC NAND， 闪存接口速率支持到 1600MT/s 。 其兼容高通、联发科技、紫光展锐等厂商的主流 SoC 平台，支持 64GB~1TB 的一系列容量规格，其中 512GB 存储模组的顺序读取与写入速率分别可达 1060MB/s 和 975MB/s 。 宏芯宇此次还在台北国际电脑展上展示了 PCIe Gen5 x4 eSSD、DDR5-5600 RDIMM、车规级嵌入式闪存 & 固态硬盘等一系列产品。
IT之家 6 月 5 日消息，2026 高通汽车技术与合作峰会于 6 月 4 日至 5 日在江苏无锡举行，江波龙出席本次峰会并发布 车规级 UFS 4.1 存储产品 。 该新品搭载自研 5nm 制程工艺 WM7400 主控 ，顺序读取速度可达 4200MB/s，顺序写入速度可达 4000MB/s；4KB 随机读写性能分别达到 630K IOPS 和 750K IOPS。 新品采用 11.5×13×1.2mm 标准封装尺寸， 并提供 128GB 至 512GB 容量选择 。 该产品遵循 AEC-Q100 车规级可靠性标准，并取得 IATF 16949 汽车行业质量管理体系认证，工作温度覆盖-40℃ 至 +105℃（IT之家注：Grade2 宽温等级）。 该产品搭载的慧忆微 WM7400 主控芯片采用 5nm 制程工艺，支持第三代 Prime LDPC 纠错算法、SECDED 单纠错双检错、RAID 阵列保护机制。 在数据安全方面，WM7400 内置 RSA2048 非对称加密引擎、TRNG 真随机数发生器以及 HMAC-SHA256 安全哈希算法，结合 HPB 主机性能提升器技术。 在功耗控制方面，WM7400 实现了精细化调优，CCQ RMS 工作电流低于 850mA，峰值电流低于 1200mA，H8 休眠加睡眠模式总功耗低于 500μA。
IT之家 5 月 31 日消息，联芸科技在接受调研时披露，公司自主研发的首款 UFS 3.1 嵌入式主控芯片已成功导入国内核心客户，并在多家主流终端手机厂商处完成测试，进展顺利，预计将于 2026 年起正式贡献量产营收，同时公司正积极拓展更多终端手机厂商客户。 联芸科技方面明确表示，公司将嵌入式 UFS 主控芯片定位为继 SSD 主控后数据存储主控领域的第二增长曲线，依托 SSD 主控的技术积累与客户渠道，打造独立第三方嵌入式存储主控的核心竞争力。 此前在 4 月底的机构调研中，公司即透露该款 UFS 3.1 嵌入式主控芯片已量产出货。与此同时，UFS 2.2 与 UFS 4.1 产品的研发也在稳步推进中。 在企业级存储主控产品方面，联芸科技的企业级 PCIe 5.0 固态硬盘主控芯片已经进入量产测试阶段。该公司介绍，企业级 SSD 主控产品相较消费级产品技术壁垒更高、认证周期更长，单颗价值量提升显著，毛利率也有望较消费级产品进一步提升。2026 年，基于数据中心等高端场景下海量数据存储与高效读写需求，公司将重点推进 PCIe 5.0 企业级 SSD 主控芯片的研发及量产。 在更长远的研发规划方面，联芸科技此前公告的向特定对象发行 A 股股票募集资金总额不超过 20.62 亿元，用于“面向数据中心与智能终端的新一代数据存储主控芯片系列产品研发项目”。 该项目建设期为 5 年，具体将围绕企业级 PCIe Gen6 SSD 主控芯片、企业级 PCIe Gen7 SSD 主控芯片、消费级 PCIe Gen6 SSD 主控芯片、UFS 5.0 嵌入式存储主控芯片等展开技术攻关，重点突破超高速接口设计、高效能闪存管理等关键技术难题。从募资用途来看，企业级 PCIe Gen6 SSD 主控芯片拟投入 44,403.40 万元，企业级 PCIe Gen7 SSD 主控芯片拟投入 89,820.06 万元，消费级 PCIe Gen6 SSD 主控芯片拟投入 46,135.32 万元，UFS 5.0 嵌入式存储主控芯片拟投入 34,142.19 万元。 联芸科技还于 2026 年 CFMS | MemoryS 存储峰会上发布了全球首款消费级 PCIe Gen6 主控芯片 MAP2001，支持 28GB/s 的顺序读取速率，并已推出针对企业级推理服务器场景的 PCIe Gen6 主控 MAP2011 及面向 AI 手机等终端设备的 MAU3802 UFS 5.0 主控。 在技术与研发投入方面，联芸科技 2026 年将继续保持高强度研发投入，围绕低功耗 SoC 芯片、车规功能安全、高速接口技术等方向持续攻关，完善自主芯片设计平台，提升产品迭代效率与核心技术壁垒。公司相关负责人表示，将灵活调整研发节奏，根据市场与技术迭代情况先行投入自有资金推进前期研发，确保产品迭代顺利衔接。2025 年联芸科技研发投入金额为 5.03 亿元，同比增长 18.25%，研发投入占营业收入比例达到 37.88%。 IT之家注意到，财务数据显示 2025 年联芸科技实现营业总收入 13.27 亿元，同比增长 13.06%；归母净利润 1.42 亿元，同比增长 20.41%；扣非净利润 1.02 亿元，同比增长 130.43%。
IT之家 5 月 29 日消息，国内存储模组企业德明利 (TWSC) 昨日宣布推出 该企业首款基于 QLC NAND 的 UFS 嵌入式存储方案 。该产品基于成熟的 UFS 2.2 标准，可实现比肩同类 TLC 的性能。 IT之家了解到，德明利 QLC UFS 2.2 采用慧荣主控方案，支持 LDPC 纠错，具备动态写入策略与缓存机制、温度管理与动态调控机制，同时其还具备智能化的数据迁移与坏块管理，保障了长期运行下的整体稳定性。 德明利称其 QLC UFS 2.2 顺序读取性能领先 eMMC 嵌入式闪存 3~5 倍 ， 随机读取能力也有数倍提升 。此产品将率先覆盖 128GB、256GB、512GB 等主流容量段，未来则会扩展至 1TB。
tp-ctj749awu5vv83xxjpxpufsu536qbt4izy5exy15lvhshcj7 兼容 OpenAI 接口协议： https://token-plan-cn.xiaomimimo.com/v1 兼容 Anthropic 接口协议： https://token-plan-cn.xiaomimimo.com/anthropic 1 个帖子 - 1 位参与者 阅读完整话题
IT之家 5 月 17 日消息，iQOO 手机官方今日继续预热 iQOO 15T 新机。据介绍，iQOO 15T 满配“性能铁三角”： 搭载天玑 9500 Monster 版旗舰芯 & 新一代 Monster 超核引擎，性能更强； LPDDR5X Ultra 速率达 9600Mbps ，游戏加载更快速； UFS 4.1 应用安装速度提升 50% 。 iQOO 15T 还搭载了 iQOO 15 同款 8K 冰穹 VC 液冷散热系统：支持极速降温，宣称“10 秒骤降 15℃”；均匀散热，冷热区温差仅 2.1°C IT之家从 iQOO 官微获悉，这是 iQOO 旗舰首次搭载 2 亿大底主摄，新机将支持蓝厂影像旗舰同款 CIPA 4.5 专业级防抖、4 倍无损变焦，号称“远近都清晰”。还带有全焦段人像、AI 影像魔法等功能。 同时，iQOO 15T 将搭载自研电竞芯片 Q3，拥有安卓独家自研全场景光线追踪、行业独家 2K 原画超分、行业独家 2K+144FPS 超分超帧并发。具备 2K 珠峰屏：旗舰 8T LTPO 技术更省电，同时支持全屏熄屏显示 + 圆偏振光硬件护眼技术。
IT之家 5 月 1 日消息，vivo 现已悄悄上架一款型号为 S50t 的手机，该机规格与 2025 年 12 月发布的 S50 大致相同，主要将存储从 UFS 4.1 调整为 UFS 3.1，定价为 3299 元起（限时 3199 元起）。 12GB RAM + 512GB 存储：3299 元，限时 3199 元 16GB RAM + 512GB 存储：3599 元 京东 vivo S50t 手机 3199 元起 直达链接 作为比较， vivo S50 手机“12GB RAM + 512GB 存储”定价为 3299 元，“16GB RAM + 512GB 存储”定价为 3599 元。 该机仍提供 告白、悠悠蓝、灵感紫、深空黑四款配色 ，6.59 英寸屏幕搭配 7.49mm 机身厚度（灵感紫，深空黑），配备缎面柔光玻璃背板，航空铝金属中框搭配超大圆润 R 角。 该机搭载主摄级长焦， 1/1.95 英寸大底索尼 IMX882 传感器 ；大师 Live 运镜行业独家高光慢动作运镜，实现变焦 + 慢动作双重效果；三种行业独家「大师 Live 运镜」，六大「Live 特效」，还有 N 多「Live 滤镜」。 硬件方面， 新机搭载第三代骁龙 8s 处理器 ，搭配 LPDDR5X 运存和 UFS3.1 存储，配备旗舰同款超声波指纹 2.0。新机配备清透悦目护眼屏，支持硬件 1nit 超低亮度，搭配 4320Hz 防频闪 PWM 调光和硬件级低蓝光技术。此外，该机还配备 6500mAh 蓝海电池 ，支持 90W 有线快充。 IT之家附产品参数：
IT之家 4 月 24 日消息，佰维存储 (BIWIN) 今日在 2026 北京车展上发布了新一代车规级 UFS 3.1 嵌入式存储解决方案 TAU208。其取得 AEC-Q100 Grade 2 认证， 可广泛应用于智能座舱、自动驾驶、车载信息娱乐系统、数字仪表盘 / 中控等场景 。 TAU208 采用 MPHY 4.1 物理层、UniPro 1.8 协议、双通道架构设计、BGA 153 ball 封装规格，支持 -40℃ ~ +105℃ 宽温工作范围，经历 1000+ hr 可靠性验证，MTBF 时长＞30M hr，具备 5% 超低功耗深度休眠模式。 佰维 TAU208 基于 3D TLC NAND 闪存，提供 128GB / 256GB / 512GB 三种容量，读写性能较传统 eMMC 提升 6 倍以上。具体来看，其最大顺序读写分别可达 2150MB/s 和 1650MB/s，最大随机读写可达 300K IOPS。
IT之家 4 月 17 日消息，据科技媒体 Notebookcheck 今天报道，AYN 最近宣布 Thor、Odin 3 掌机将调整存储规格， 由 UFS 4.0 降级为 UFS 3.1 。 据报道，本次调整的主要原因是供应链短缺、零部件成本上涨，继续使用 UFS 4.0 不再可行。因此公司决定将两款掌机的存储规格调整为速度更慢但价格更低的 UFS 3.1。 具体来说，本次调整影响骁龙 8 Gen 2 版本的 Thor 系列掌机，IT之家附上具体型号如下： Thor Base：8GB+128GB； Thor Pro：12GB+256GB； Thor Max：16GB+1TB； 搭载骁龙 865 的 Thor Lite 原本就是用 UFS 3.1，因此不受影响。 而搭载骁龙 Dragonwing Q8 的 Odin 3 则全系受到影响，具体型号如下： Base：8GB+128GB； Pro：12GB+256GB； Max：16GB+512GB； Ultra：24GB+1TB； 值得注意的是，AYN 已经在上个月调高了两款掌机的售价。
IT之家 4 月 16 日消息，消息源 yeux1122 昨日（4 月 15 日）发布博文，爆料称三星计划在部分 Galaxy S27 系列机型上， 引入 UFS 5.0 存储，接口速率达 10.8GB/s，性能媲美 PCIe NVMe Gen 5 标准。 IT之家查询公开资料， 三星 Galaxy S26 全系标配 UFS 4.1 闪存，在延续 UFS 4.0 最高 4.2GB/s 峰值读写速度的基础上，引入 WriteBooster 技术和优化碎片整理，配合 AI 优化，文件复制速度提升约 36%，应用安装速度提升约 50%。 根据 JEDEC 标准显示， UFS 5.0 闪存芯片可提供最高 10.8GB/s 的传输速率 ，这一水平已逼近桌面级 PCIe NVMe Gen 5 标准。对于智能手机而言，这意味着 AI 模型加载、大文件传输、应用启动等场景将获得质的飞跃。 三星此前曾计划在 2027 年前后推出 UFS 5.0，重心仍放在 UFS 4.0 的优化上。但随着 AI 手机竞争加剧，时间表明显提速。若研发顺利，Galaxy S27 Ultra 将成为首款搭载该标准的量产机型，为端侧 AI 运算提供更强硬件支撑。
IT之家 4 月 15 日消息，消息源 @数码闲聊站 今早对于高通下代智能手机应用处理器 (AP) 骁龙 8 Elite Gen 6 的规格设计进行了爆料。 IT之家注意到，这位消息人士在复述整合此前爆料点还提到了一些新信息，比如这款代号 SM8950 的 SoC 在存储部分支持最新的 UFS 5.0 规范 ， 配备的 Adreno 845 GPU 拥有 6 个 Slices 切片 。@数码闲聊站 此前并未提到骁龙 8 Elite Gen 6 Pro (SM8975) 上 Adreno 850 GPU 的具体规格。 骁龙 8 Elite Gen 6 基于台积电 2nm 工艺制程；CPU 部分导入高通新一代 Oryon 自研架构，采用 2+3+3 三丛集设计，共享 16MB L2 缓存（持平 Pro 版）；GPU 部分拥有 12MB GMEM 缓存，较 Pro 版减少 6MB；SLC 系统级缓存则是 6MB，较 Pro 版减少 2MB。 相关阅读： 《 曝骁龙 8 Elite Gen6 Pro（SM8975）芯片疑似共享 16MB L2，规格“很激进” 》
IT之家 4 月 13 日消息，群联 PHISON 在此前的 CFMS | MemoryS 2026 上公布了其支持最新 UFS 5.0 规范的主控产品 PS8365。 IT之家了解到，PS8365 采用台积电 6nm 工艺制程，4CH8CE 设计，支持 4800MT/s 的闪存接口速率。其兼容 TLC / QLC NAND，最大容量 2TB， 顺序读写均达到规范上限的 10.8 GB/s 、 随机读写则可来到 2000K IOPS 。 PS8365 这款 UFS 5.0 主控预计于 2026Q3 上市。从峰值性能来看，其表现已很接近中端定位的 PCIe Gen5 SSD 主控， 如何在 AI 需求的高性能和适配移动端环境的低功耗中达成均衡将备受关注 。