4Gamers近日采访了AMD全球副总裁、客户端渠道业务总经理David McAfee，探讨了内存短缺、DDR5涨价、AMD长期平台规划等话题。McAfee表示，DDR5内存依然很贵，但是预计会缓慢恢复，但是要想回到正常水平，需要大约2年之久。 他说，尽管三星、SK海力士、美光都在准备扩产，但精力都集中在AI市场急需的HBM高带宽内存上，根本不在意消费级DDR4/5，而中国长鑫进步确实很大，但短期内很难改变大局。 他还指出，存储市场一直都有跌宕起伏的周期，循环往复，但是这一次，恐怕时间要长得多。 数据显示，PC DDR5内存在4月大宗交易中的协议价格为16GB 35美元，环比涨幅6％，而且已经是连续4个月上涨。 而在半年前，这一价格仅为约10美元，半年时间已涨至3.5倍。 甚至有厂商直言，内存价格预计到今年底还会翻一番！ 即便看到偶尔降价也不用激动，其实都是清理老库存，只为更贵的新内存让路而已，根本目的还是为了继续涨价。 查看评论
IT之家 6 月 7 日消息，据科技媒体 TechPower Up 今天报道，朗科在台北电脑展 2026 期间展示多款新品，涵盖 DDR5 内存条套装、便携式 SSD、企业级 SSD 等。 ▲ 图源：TechPower Up，下同 IT之家从原报道了解到，这其中的 Shadow II RGB DDR5 内存条采用高品质颗粒，最高频率可达 7600MHz。 支持英特尔 XMP 3.0、AMD EXPO 等超频配置文件 ，拥有铝制散热片和 RGB 灯效，满足电竞玩家需求，上市时间暂未公布。 同时，朗科还在展会上带来了 ZX20 V 移动硬盘产品，机身尺寸为 71.5*43.5*8mm，重量 23g。 采用铝合金外壳 ，搭载 3D TLC NAND 颗粒，提供 512GB/1TB/2TB/4TB 版本。 配备 USB 3.2 Gen 2x2（20Gbps）接口 ，顺序读取速度最高可达 2000MB/s，顺序写入速度可达 1700MB/s。 此外，朗科还带来了两款 U.3 PCIe 4.0 x4 企业级固态硬盘。 其中的 ENSP401 系列提供 1.92TB-30.72TB 容量 ，顺序读取 / 写入速度最高可达 7000MB/s、3800MB/s，随机读取性能高达 85 万 IOPS。另一款产品 ENSP403 系列则进一步提升了性能表现，顺序写入达 6800MB/s，随机读取为 160 万 IOPS。
在 2026 台北电脑展上，技嘉超频团队使用海盗船 DDR5 内存冲击至 13556 MT/s，刷新世界纪录。此次超频基于技嘉 Z890 AORUS TACHYON DUO X ICE 主板，并借助液氮等极端散热手段达成。 同一团队此前曾在该主板上达成 12917 MT/s 的风冷纪录，后借助液氮进一步推至 13407.8 MT/s。在本次芝奇超频大赛中，他们另用 AMD 平台拿下 10 项全球第一。这些极限成绩主要展示硬件工程极限，不代表普通用户的日常体验。 ithome.com 刷新世界纪录：技嘉联手海盗船将 DDR5 内存超至 13556 MT/s，并联合芝奇夺得 10 项全球第一 - IT之家 技嘉超频团队在台北电脑展上，使用专为极限设计的 Z890 主板和海盗船内存，将 DDR5 频率推至 13556 MT/s，刷新世界纪录。该成绩属于芝奇超频大赛的一部分，团队还凭借 X870 主板在 AMD 平台拿下 10 项全球第一。#DDR5 超频# #COMPUTEX2026# 2 个帖子 - 2 位参与者 阅读完整话题
IT之家 6 月 6 日消息，在 2026 台北国际电脑展上，技嘉内部超频团队将海盗船 DDR5 内存超至前所未有的 13556 MT/s，再次刷新了内存超频世界纪录。 这项新纪录由技嘉超频团队缔造，核心平台选用了专为极限超频设计的技嘉 Z890 AORUS TACHYON DUO X ICE 主板，搭配海盗船 Vengeance DDR5 内存。 该主板搭载了创新的 CQDIMM 技术，通过优化的布线设计与 BIOS 调校有效降低内存通道负载并提升信号完整性，为冲击极限频率提供了关键的电气性能保障。 此次挑战属于芝奇（ G.SKILL ）主办的第 12 届年度超频世界纪录舞台活动的一部分，汇聚了全球顶级超频玩家同场竞技。 在刷新这项终极纪录之前，技嘉超频团队已经在该主板上展现了强大的超频实力。团队成员 Saltycroissant 曾使用同一款 Z890 AORUS TACHYON DUO X ICE 主板，在纯风冷条件下将海盗船 Vengeance DDR5 内存超至 12917 MT/s，随后借助液氮散热进一步推至 13407.8 MT/s。 此外，在芝奇超频大赛期间，技嘉团队还使用 X870 AORUS INFINITY 主板搭配 AMD 锐龙 9 9950X3D2 处理器，在 CPU 频率及多项效能测试中一举拿下 10 项全球第一的佳绩。 需要指出的是，这类极限超频纪录普遍使用了液氮（IT之家注：沸点约-196℃）等极端散热手段，旨在挖掘硬件的物理潜力，不代表普通玩家的日常使用体验。这种追求极限的做法，更多是硬件厂商和超频爱好者对工程技术实力的一次炫技，证明了其主板电气设计与内存颗粒在超高压、超低温等严苛条件下的稳定性，但对于普通用户日常游戏、办公等场景的体验并无直接助益。
在今年的台北国际电脑展（Computex）上，多家内存模组厂商表示，外界热炒的“CXMT（长鑫存储）DDR5超便宜”说法并不属实，其实际采购价格与三星、SK海力士及镁光等传统三大DRAM供应商大致处于同一水平线。厂商强调，所谓“廉价”更多是市场误读，而非真实的价格优势。 长鑫被视为近一轮DRAM周期中客户端市场的潜在“救火队员”。该公司大规模投资新厂，计划将产能翻番，并积极与全球模组厂合作，向整机与内存品牌提供自家DRAM芯片。在消费端价格持续攀升的大环境下，曾有不少声音认为，来自中国的新晋供应商有望凭借低价缓解PC与DIY用户面临的成本压力。然而，多家在展会现场接受采访的内存厂商表示，长鑫 DDR5的供货价并没有想象中那么低，整体与主流国际大厂相差无几。 与传统巨头相比，长鑫的真正优势被认为在于“有货可供”，而非“明显更便宜”。目前，三星、SK海力士与镁光等厂商将大量产能投入高带宽存储（HBM）和面向人工智能市场的高附加值产品（如特定形态的模组解决方案），在一定程度上压缩了可供普通PC与工作站使用的常规DRAM资源。反观长鑫，由于暂时难以在工艺与技术路线层面追赶这些高端产品，其重心仍停留在传统DRAM上，因此能够向客户端市场释放更多标准DDR5产能。 在产品性能层面，业内人士认为长鑫 DDR5虽然进步迅速，但目前更适合入门与主流定位的内存条，而非追求极限超频或最高规格的旗舰方案。现阶段已见到的长鑫 DDR5最高数据速率大约在8000 MT/s量级，同时也已有面向服务器与工作站的RDIMM产品进入量产阶段。不过，在CUDIMM、CQDIMM、MRDIMM、CSODIMM等更高端、更复杂形态的模组上，该公司与国际龙头相比仍存在明显差距，尚难以覆盖所有高性能与企业级场景。 多家模组厂商透露，他们正在验证将长鑫 DDR5用于自家产品的可行性，但这些芯片目前只会被安排在入门级或主流级别的内存模组上。从导入节奏来看，新品会优先面向中国本土市场，待后续有更高质量分档与更成熟的良率表现后，才会逐步推向全球渠道体系。这意味着，短期内国际消费者即便买到搭载长鑫颗粒的内存，大多也将集中在价格相对亲民而规格中规中矩的产品上。 在商务条款方面，长鑫相较传统三大厂展现出更高的灵活度，这也是不少模组及整机厂商愿意尝试的原因之一。目前，部分全球DRAM巨头在合约供货中要求客户若想锁定额外产能，需几乎按全额成本提前支付，否则不仅可能拿不到追加订单，还可能在后续批次中被附加额外罚金。相比之下，长鑫在供货协议上并未设置类似的严苛罚则，这种“同样价格、但少了惩罚性条款和额外压力”的合作模式，为其吸引了一批正在评估多元化供货来源的内存品牌和PC厂商。 整体来看，市场此前对“长鑫 DDR5会以低价冲击全球、全面拉低终端内存价格”的期待，短时间内恐难成真。从当前业内反馈看，长鑫在价格上并未打“跳水牌”，而是选择与主流价位对齐，通过稳定供应、聚焦传统DRAM市场以及相对宽松的商务条件来扩大影响力。在高端技术与产品形态尚未追上的前提下，这种策略既为PC与模组厂提供了更多谈判与采购选项，也为日趋集中的全球内存产业格局增添了一名有潜力但仍在成长中的新玩家。 查看评论
IT之家 6 月 6 日消息，随着 DRAM 市场持续受到涨价因素影响，有不少用户寄希望于长鑫存储，希望看到长鑫牺牲自我利益去拉低 DDR5 内存价格、缓解消费级内存市场压力。 不过，在 Computex 2026 期间，多家内存模组厂商向 Wccftech 透露，长鑫存储 DDR5 颗粒的采购价并不像外界预期那样低，实际与三星、SK 海力士、美光同类产品不相上下，并不存在明显价格优势。 他们指出，长鑫存储目前最大的竞争力并非来自低价，而是来自供货能力。由于这家公司暂未被 AI 公司抢走大规模产能，因此能够将更多产能投入传统 DRAM 市场。 多家内存模组厂商还表示，目前正对采用长鑫 DDR5 颗粒进行验证测试。不过这些产品初期主要用于入门级市场，且将优先面向中国市场销售。随着后续颗粒体质和产品成熟度进一步提升，相关产品才有望逐步进入全球市场供应体系。 除产品本身外，业内人士还提到长鑫存储在商务策略上的差异。据介绍，目前部分国际存储厂商要求客户提前支付费用以确保额外供货额度。相比之下，长鑫存储目前并未对客户设置类似条件，在订单安排和供货方面保留了更大的灵活性。 IT之家此前报道，有博主发现海盗船最新批次 Vengeance DDR5 内存条中使用了长鑫存储的 DRAM 颗粒，其规格为 DDR5-6000，时序 36-44-44-96，电压 1.35V，这也是海外品牌首次采用长鑫颗粒。 相关阅读： 《 英特尔高管谈内存涨价：长期来看“总得有所改变”，将继续支持 DDR4 并加速中国、印尼品牌内存认证 》 《 前三星芯片负责人庆桂显预测：明年下半年内存将显著降价，中国企业正在积极扩充产能 》 《 首个海外品牌：海盗船 DDR5 内存条被发现采用长鑫 DRAM 芯片 》 《 长鑫存储 LPDDR5X LPCAMM2 内存模组实物亮相，32GB 8533MT/s 》
IT之家 6 月 5 日消息，科技媒体 Tom's Hardware 昨日（6 月 4 日）发布博文，报道称在 2026 台北国际电脑展期间， 多家主板品牌和内存模组厂商透露，受内存短缺与价格上涨影响，PC 行业正重新押注 DDR4。 该媒体在 2026 台北国际电脑展期间采访了多家主板品牌和内存模组厂商，指出内存供应紧张与价格持续上涨，显著抬高了装机门槛，在 DDR5 平台表现尤为明显，因此在 2026 年开始转向 DDR4。 IT之家援引博文介绍，超过 6 个消息源向该媒体证实，DDR4 平台需求正在上升，相关厂商已按此调整生产。 主板端至少有 2 家厂商确认，正提高支持 DDR4 的主板产量，覆盖 2026 年下半年并延续至 2027 年。 还有厂商计划在年内更新或重新推出 DDR4 产品线，其中不少型号此前已处于 EOL 状态，如今需重新分配制造资源恢复出货。 该媒体认为这主要原因是主板市场低迷，部分厂商主板销量今年最多下滑 37%，整个市场承压明显。在这种环境下，价格更低、平台更成熟的 DDR4 更容易吸引预算敏感用户。 一家主板品牌称，上季度 DDR4 平台销量出现双位数增长，其他厂商则普遍表示需求“显著增加”。 处理器厂商同样在配合这股趋势。AMD 在 Computex 推出 Ryzen 7 5800X3D 10th Anniversary Edition，并表示只要市场仍有意义就会持续销售。 英特尔则继续销售 Raptor Lake 与 Raptor Lake Refresh，并明确表态会保留对旧内存技术的产品支持。
IT之家 6 月 4 日消息，据韩媒 ZDNET Korea 消息，韩国 AI 芯片企业 DeepX 首席执行官김녹원当地时间今日在 2026 K-AI 半导体成长论坛的媒体采访环境中表示，该企业的产品将导入 LPDDR-PIM 存内计算解决方案。 PIM 将专用的数据处理器直接集成在 DRAM 中， 可将部分数据计算工作从主机处理器卸载到存储器当中 。这可以减少数据的移动，提高 AI 加速器系统的能效和数据处理效率。 在 LPDDR5X-PIM 方面，三星电子是唯一供应商，因此 DeepX 将把其 80 TOPS 算力 2nm 端侧 AI 芯片 DX-M2 与三星电子的 LPDDR5X-PIM 解决方案相匹配 。김녹원表示 DX-M2 的上市价格将低于 50 美元（IT之家注：现汇率约合 339.4 元人民币）。 而对于后续的 DX-M3，김녹원 称企业的目标是实现 1000 TOPS 算力。该芯片将搭配 JEDEC 标准化的 LPDDR6-PIM。
HBM 对于普通人没那么大影响，但是 (LP)DDR5 则影响很大，长鑫是否有能力补上这个部分的需求？目前到了几 nm 的能力圈中？
HBM 对于普通人没那么大影响，但是 (LP)DDR5 则影响很大，长鑫是否有能力补上这个部分的需求？目前到了几 nm 的能力圈中？
HBM 对于普通人没那么大影响，但是 (LP)DDR5 则影响很大，长鑫是否有能力补上这个部分的需求？目前到了几 nm 的能力圈中？
HBM 对于普通人没那么大影响，但是 (LP)DDR5 则影响很大，长鑫是否有能力补上这个部分的需求？目前到了几 nm 的能力圈中？
HBM 对于普通人没那么大影响，但是 (LP)DDR5 则影响很大，长鑫是否有能力补上这个部分的需求？目前到了几 nm 的能力圈中？
IT之家 6 月 4 日消息，威刚 (ADATA) XPG 此前在今年 5 月发布了全球首款无限镜电竞内存 NOVAKEY RGB DDR5 （IT之家注：在大陆市场也称为龙耀 D600G 无限镜像） 。 第二款采用这一美学设计的产品则是 Patriot（博帝）的 Viper Steel 5 Infinite DDR5 。不过与威刚产品不同的是，该内存条将无限镜灯区设在模组顶端，对于侧透机箱而言可以直接从左侧观察到这一光效。 Viper Steel 5 Infinite DDR5 也将推出 ROG Certified 版本，容量方面包括 48GB (2× 24GB) 或 32GB (2× 16GB)，标称速度可达 8000MT/s。 与这款内存条一道在台北国际电脑展上展出的还有 Viper PV593H 固态硬盘。其基于慧荣 SM2508 主控，属于旗舰级 PCIe Gen5 M.2 cSSD，顺序读写分别可达 14GB/s 和 13GB/s，4K 随机读取可达 2000K IOPS，整合重装挤型铝鳍散热片。 在一般存储产品方面，博帝展出了 EMI Protect DDR5 CSODIMM 。该模组具备铝 + 石墨烯复合防护罩：铝材质层能折射紧密排列的 CPU 与 GPU 所产生的电磁干扰 (EMI)，而石墨烯层则负责表面散热管理。 而 ED830 移动固态硬盘盒采用 USB-C 10Gbps 接口，支持从 2230 到 2280 的一系列 M.2 盘体，兼容 MagSafe 磁吸生态。 博帝还在 COMPUTEX 上带来了一款富有地域特色的展示整机，其 内部装饰模仿了在台湾地区流行的鸡排摊位 。
HBM 对于普通人没那么大影响，但是 (LP)DDR5 则影响很大，长鑫是否有能力补上这个部分的需求？目前到了几 nm 的能力圈中？
IT之家 6 月 3 日消息，据 TechPowerUp 今日报道，芝奇在 Computex 2026 上展示了其首款支持 AMD EXPO ULL（超低延迟）配置文件的 DDR5 6000 内存条。 芝奇在现场展示了多款产品，第一套时序为 26-36-36-32 CR1，第二套时序为 28-36-36-32 CR1，第三套为 30-38-38-32 CR1。这些时序比 JEDEC 标准内存常见的 38-44-44 明显更低。 据介绍，芝奇 DDR5-6000 CL26 套件采用了该品牌与酷冷至尊联合开发的主动散热解决方案。该散热模块足足有两个槽厚，因此主板需要在两个内存插槽之间至少留有一个插槽的间隙。 其他几款内存外观上则类似于 Trident Z5 Neo 和 Trident Z5 Royal Neo。芝奇计划于 2026 年下半年推出其首批 AMD EXPO-ULL 内存套件。IT之家后续将保持关注。 相关阅读： 《 芝奇展示 CU-DIMM 内存条低压高频实力：1.1V 实现 9200CL74 》 《 AMD EXPO ULL 超低延迟内存条定价预计持平现有产品，DDR5-6000 游戏性能最高提升 13-15% 》
IT之家 6 月 3 日消息，在 2026 台北国际电脑展期间，AMD 公布了全新的 EXPO Ultra Low Latency（简称 EXPO ULL）内存技术，并表示该技术将由多家内存合作伙伴提供支持。 AMD 副总裁兼 Ryzen 与 Radeon 事业部总经理 David McAfee 在接受 Tom's Hardware 采访时披露了更多关于 EXPO ULL 的细节。 据 McAfee 介绍，EXPO ULL 实质上是在 SPD 配置文件中加入更多子时序 / 副时序（sub timings）进行调校，从而进一步降低延迟、获得额外性能提升。该技术可兼容现有芯片组和主板。 他表示，EXPO 技术正在持续演进，AMD 一直与各家内存模组厂商合作推进相关开发。虽然他不确定是否需要更新 BIOS，但仍“建议所有读者更新你的 BIOS”。此外，支持 EXPO ULL 的内存将带有新的认证标志，因此“这些内存条会很明显有所不同”。 根据 AMD 在 R7 9700X 平台上对超过 30 款游戏进行的测试，EXPO ULL 与标准 EXPO 内存同样运行在 DDR5-6000 频率时，平均帧比标准 EXPO 高出 4%，比 JEDEC 标准 DDR5-5600 内存高出 13%。在 1% Low 帧方面，相比标准 EXPO 也有 4% 的提升，相比 JEDEC 标准内存的提升则达到 15%。 价格方面，McAfee 表示 AMD 虽不直接控制内存价格，但“公司从合作伙伴处了解到的信息显示，他们预计会以与现有套件基本相同的价格推出新品”。 他指出，EXPO ULL 的本质只是“扩展了子时序，让 DIMM 发挥出每一丝超频性能”，因此没有理由导致产品价格出现大幅上涨。 AMD 尚未公布 EXPO ULL 的具体上市时间，仅表示该功能将于“近期推出”，而芝奇、金士顿、雷克沙、威刚 XPG、十铨、全何、科赋、Origin Code 等多家内存厂商已经确认将提供支持。IT之家后续将保持关注。 相关阅读： 《 AMD 承诺支持 AM5 平台至 2029 年，推出 EXPO ULL 内存超低延迟超频 》
IT之家 6 月 3 日消息，ESSENCORE（艾思科）旗下品牌 KLEVV（科赋）在 COMPUTEX 2026 台北国际电脑展上带来了由 7 款新品组成的出展阵容，包括 4 款 DDR5 内存条新品和 3 款存储设备。 CRAS V RGB PRIME 这一新旗舰型号整体模具延续了 CRAS V 系列的设计，但采用了 钢琴黑烤漆 + 金字标签 的组合，质感显著提升。其提供 16GB / 24GB 单条选项，速度可达 8000MT/s。 CRAS Vα RGB 该型号主打超频效能，标注速率即达 8400MT/s， 现场实机超频可达 10000MT/s 。其拥有双拼色散热马甲，下部分的银灰拉丝纹理与上部的黑色对比强烈。 LITE V RGB 入门级的 LITE V RGB 采用极简设计，雾面黑色的低调外观面向预算有限的用户。 BOLT Vα BOLT Vα 则采用整合灯带的金属灰拉丝纹理散热马甲，提供至高 7200MT/s 的速率选项。 存储 内置存储方面，科赋带来了 DRAM-less PCIe Gen5 固态硬盘 GENUINE G540，拥有 10GB/s 顺序读取、9GB/s 顺序写入的主流级速率，配备石墨烯-铜复合散热片。此外还有 Gen4 的 CRAS C925G Lite：其基于 QLC，最大容量 8TB，顺序读取 7200MB/s。 对于外置存储，科赋则提供了采用 USB-C 20Gbps 接口、具备 IP55 防尘防水的 S2。
在台北国际电脑展（Computex 2026）上，AMD 在发布新一代 X3D 台式机处理器和 Radeon RX 9070 GRE 显卡的同时，正式推出了全新的内存超频技术 EXPO ULL（Ultra Low Latency，超低延迟）。这一技术是在现有 EXPO 内存预设超频功能基础上的扩展，旨在通过进一步压低 DDR5 内存时序，为 Ryzen 平台带来更高的游戏帧率与更流畅的画面表现。 EXPO 是 AMD 针对 DDR5 平台推出的扩展超频配置档（EXtended Profiles for Overclocking），功能类似于英特尔的 XMP，让玩家可以通过主板 BIOS 一键加载由内存厂商预先验证的稳定超频参数，避免复杂的手动调校。在 EXPO 推出之前，AMD 曾依赖针对 XMP 调整的 AMP 或 A‑XMP 方案，但从 2022 年开始，EXPO 成为 Ryzen 平台 DDR5 内存超频的主力标准。 此次新发布的 EXPO ULL 顾名思义，就是针对“超低延迟”进行优化，重点放在降低 DDR5 内存的 CL（CAS Latency）数值上。官方演示显示，相比于标准 JEDEC 规格的 DDR5‑5600 CL40 模组，一套运行在 6000 MT/s、CL28 的 EXPO ULL 内存组合，在平均游戏帧率方面可带来约 13% 的性能提升，而这比普通 EXPO 配置在同平台下再多出约 4 个百分点的增幅。 更重要的是，对于体验更为敏感的 1% Low 或 99 百分位帧率指标（常用于衡量画面流畅性、卡顿控制情况），EXPO ULL 带来的提升更为明显。在同样以 JEDEC 标准频率为对照的测试中，采用 ULL 配置后，1% Low 帧率提升幅度可达 15%，同样比单纯启用 EXPO 方案多出约 4 个百分点，使 Ryzen 平台在保证平均帧率的同时，进一步改善帧时间稳定性与输入响应的一致性。 上述测试以基于 Zen 5 架构的八核心处理器 Ryzen 7 9700X 为平台进行。不过 AMD 也指出，并非所有处理器都会从 EXPO ULL 中获得同等幅度的收益：例如此次一同亮相的 Ryzen 7 7700X3D 这类配备 3D V‑Cache 的型号，本身就借助大容量、低延迟的 L3 缓存，在许多游戏场景中降低了对系统内存延迟的依赖，因此从超低延迟 DDR5 上获得的额外收益会相对有限。 AMD 曾多次强调，X3D 系列处理器的两大核心卖点之一，就是通过叠层缓存，在当前内存价格偏高的环境下，为游戏玩家提供一种不完全依赖高频、高价内存也能获得出色帧率表现的路径。这一次，EXPO ULL 则更多是面向使用常规 Ryzen 处理器、且愿意在高规格 DDR5 套条上投入的玩家，为其提供一条通过优化内存延迟来进一步压榨平台潜力的新途径。EXPO ULL 的出现，标志着 AMD 在内存生态层面继续深化与硬件厂商的合作，在频率之外把“延迟”作为新的发力方向。 查看评论
IT之家 5 月 31 日消息，嘉合劲威 (POWEV) 本周五宣布，旗下品牌神可 (SINKER) 正式推出搭载国产芯片的 DDR5-5600 1R×8 16GB RDIMM 和 DDR5-5600 2R×8 32GB RDIMM 服务器内存模组。 IT之家了解到，两款产品工作电压均为 1.1V，严格遵循 JEDEC 标准时序，兼容 Intel、AMD 主流服务器平台。其 通过 45~85℃ 7×24 全天候满负载拷机测试 ， 电压 ±5% 波动仍能稳定运行 。 相关阅读： 《 嘉合劲威旗下神可成功量产交付 DDR5 服务器内存 》