IT之家 6 月 4 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（6 月 3 日）发布博文，报道称在 2026 台北国际电脑展上， 三星展示了面向 HBM5 内存的 HPB（Heat Block Path，热阻断路径）封装散热结构。 IT之家昨日报道，三星在本次展会上展示了全球首款 HBM5 内存，最新报道则聚焦全新的 HPB 散热架构，该技术面向更高密度、更高速度的 HBM 堆栈，核心目标是降低散热压力，支撑 AI 数据中心所需的高带宽内存升级。 该媒体称三星的 HPB 散热架构在封装内部加入独立热柱。热柱可从堆叠内部带走热量，并导向封装上方或侧边的散热器。 三星把重点放在 D2D PHY（裸片到裸片物理层）区域，也就是 HBM 基底芯片与 GPU 之间的高速连接层。随着堆叠变高、速度变快，这里的温度和功耗密度快速抬升。三星称，HPB 已在 HBM4E 上完成部署和验证。 HBM4E 的首批 12 层样品已于上月出货，速率为 14Gbps，后续可扩展到 16Gbps，每堆叠带宽为 3.6TB/s。 三星还确认，HBM5 基底芯片会从 HBM4 和 HBM4E 使用的 4nm 节点，转向自家 2nm 工艺。 三星 Device Solutions 总裁兼 CTO Song Jai-hyuk 表示，AI 系统更强大且集成更密，热管理、数据处理效率和封装稳定性已与内存性能同样关键。 三星同时拥有内存业务和逻辑代工业务，因此可把 HBM5 堆叠与 2nm 基底芯片纳入自家制造体系。 SK 海力士也瞄准同一热点，但采用不同路线。 其 iHBM（集成式高带宽内存）方案把电绝缘、导热硅冷却元件嵌入 D2D PHY 层，称可较现有产品降低超过 30% 热阻 。三星选择建立热量外排通道，SK 海力士则把冷却元件放在热点处。
SK海力士发布了一项名为“iHBM”的控温散热存储技术。 该技术的核心在于其新开发的冷却元件“ICE”，这是一种采用绝缘、高导热性硅基材料制成的元件。 传统的HBM产品主要依靠热量经由核心芯片向外传导的间接散热方式，而iHBM则直接将ICE嵌入发热最集中的D2D PHY区域，为该区域构建专用的热量排出通道。 相比传统方案， iHBM的热阻降低了30%以上，在高温、高负载等严苛环境中，产品运行的稳定性得到有效保障。 在量产可行性方面，iHBM采用了已在市场中广泛验证的先进MR-MUF晶圆级封装工艺，能够实现规模化稳定量产。 此外，该技术与客户现有的系统级封装环境具备较高的设计兼容性，客户无需进行大规模设计改动即可直接部署，从而有效降低了实际导入的技术门槛。 SK海力士计划将iHBM技术应用于HBM5等下一代产品中，以满足高性能计算及AI数据中心等超高集成度、高带宽应用场景下的散热管理需求。 查看评论
IT之家 5 月 26 日消息，随着人工智能算力需求的持续攀升，高带宽内存（HBM）正加速向更多堆叠层数与更高运行速度迭代，但随之而来的发热问题也成为制约产品稳定性的关键瓶颈。 SK 海力士于 5 月 26 日宣布推出名为“iHBM”的控温散热存储技术，通过在高带宽内存封装内直接集成一体化冷却元件，从结构层面解决散热难题。 IT之家从官方获悉，iHBM 技术的核心在于 SK 海力士新开发的冷却元件“ICE”—— 一种利用绝缘、高导热性硅基材料打造的元件。 传统 HBM 产品主要依赖热量经由核心芯片向外传导的间接散热方式，而 iHBM 则直接在发热最为集中的 D2D PHY 区域中嵌入 ICE，为该区域构建专用的热量排出通道。相较于传统方案，iHBM 的热阻降低了 30% 以上，在高温、高负载等严苛环境中，产品运行的稳定性得到了有效保障。 在量产可行性方面，该项技术采用了此前已在市场中广泛验证的先进 MR-MUF 晶圆级封装工艺，能够实现规模化稳定量产。 此外，iHBM 技术与客户现有的系统级封装环境也具备较高的设计兼容性，客户无需进行大规模设计改动即可直接部署，从而有效降低了实际导入的技术门槛。 SK 海力士计划将 iHBM 技术应用于 HBM5 等下一代产品中，以满足高性能计算及 AI 数据中心等超高集成度、高带宽应用场景的散热管理需求。
SK海力士26日宣布，公司发布“iHBM”技术。该技术通过在HBM封装内集成一体化冷却元件“ICE*”，显著降低产品运行时的发热量。SK海力士计划将iHBM技术应用于HBM5等下一代产品，以满足高性能计算（HPC）、AI数据中心等超高度集成、高带宽应用场景的严苛散热管控需求，进一步提升整体系统的稳定性与运行效率。（财联社）