针对外界称台积电因保守不愿投资下一代光刻设备的传言，台积电董事长魏哲家近日在股东大会上亲自辟谣，表示有买High-NA EUV光刻机，且正努力研发，但基于成本考量，现阶段暂不投入量产。 这台ASML研发的最新High-NA EUV光刻机，每台单价高达3.8亿至4亿美元，是当前主流EUV设备的两倍多。 魏哲家坦言，设备太贵是暂不量产的主因。 台积电的策略是先用好手里现有的EUV设备。魏哲家强调，现有光刻机搭配多重图案化技术，仍足以支撑先进制程的微缩需求，台积电有底气等High-NA EUV的经济账算得更划算时再出手。 台积电早在2024年9月就接收了首台High-NA EUV光刻机，并安置在研发中心用于开发下一代工艺的基础光刻技术。 魏哲家认为，提前启动研发准备，才能确保未来投产时达到可靠良率与产出效率。 不过他坦言，要把这台4亿美元的设备真正用起来，还需再等等。英特尔等竞争者早已将High-NA EUV提上量产日程，而台积电选择先研发、后投产更稳妥的路线，符合其一贯的成本纪律。 魏哲家预计，High-NA EUV将在真正需要单次曝光实现更细微线宽且晶圆成本开始具备竞争力的时间点，自然进入生产体系。 查看评论
IT之家 6 月 5 日消息，据璞璘科技 (PRINANO) 消息，该企业近日与客户力策科技合作，采用真空气压式晶圆级 NIL（纳米压印）图案化设备 PL-AS，配合定制化双层压印胶材料体系与核心工艺，完全绕开 DUV 光刻路线实现 8 英寸光芯片晶圆可规模化量产，并 将芯片制造成本压缩至传统 DUV 方案的 1/10 。 IT之家了解到， PL-AS 机台支持＜10nm 的线宽分辨率 ，晶圆整面压印压力均匀性误差低于 0.5%，支持无残余层压印工艺，对准精度可定制至百纳米级。同时其支持平面或曲面衬底，兼容硬质与柔性模板。 相较传统的辊压法晶圆级 NIL，PL-AS 通过面施力保障晶圆上每一个纳米级单元受力完全一致，将 RLT 偏差控制到＜2nm，同时其吞吐量显著高于步进式的佳能 NIL 设备。 此外，璞璘 PL-AS 作为气压式设备结构较 DUV 更为简单，无需昂贵的光学系统，还可以使用寿命更长的复合模板，这是其具备显著成本优势的原因。
IT之家 6 月 4 日消息，光刻机龙头企业阿斯麦（ASML）于周三股价上涨 2.3%，盘中市值达到 6740 亿美元（IT之家注：现汇率约合 4.58 万亿元人民币）， 成为欧洲有史以来市值最高的公司 ，超越了丹麦制药企业诺和诺德在 2024 年 6 月创下的纪录。 今年以来，阿斯麦在欧洲斯托克 50 指数中表现位居第二，今年累计涨幅已超过 60%。 这一里程碑反映了该公司强劲的基本面。阿斯麦 2026 年第一季度净销售额达 88 亿美元（现汇率约合 597.37 亿元人民币），净利润达 28 亿美元（现汇率约合 190.07 亿元人民币），毛利率为 53%。 阿斯麦 CEO 克里斯托夫 · 富凯（Christophe Fouquet）曾表示，客户一直在加快 2026 年及以后的产能扩张计划， 芯片需求超过供应 。 阿斯麦预计今年至少量产 60 台极紫外光刻机 ，较 2025 年大幅增长，下一阶段年产能将进一步提升至至少 80 台。与此同时，公司正着力提升设备产能效率，通过技术升级让部分光刻机每小时能够加工更多晶圆。
IT之家 6 月 2 日消息，韩国产业通商资源部今日宣布，该国《高压气体安全管理法施行令》的实施细则修订案在国务会议上表决通过，将在下周公布后立即实施。 此次细则调整简化了 EUV 光刻机设备的导入流程 。 EUV 机台内置高压气体管道和装置，按韩国现行规范属于“高压气体制造设备”，每次安装时必须进行技术审查和检查。而根据新修订案，EUV 光刻机被视为一种“特定设备”， 部分环节可缩短或省略 。 根据原版流程，EUV 光刻机需要首先经历 15 日的技术审查、5 天的许可、7 天的中间检查，完成后还需要 7 天的竣工核验，总计 34 天；而新流程中将技术审查和竣工核验均压缩至 2 天，还取消了中间检查步骤，用时缩短至 9 天， 可节省 25 天时间 。 此外，中间检查环节需要由海外认可的检验机构进行压力和泄漏检验，每台设备的费用约为 5 亿韩元（IT之家注：现汇率约合 224.8 万元人民币）。流程调整后 企业也能节省这一笔开支 。
IT之家 5 月 29 日消息，vivo S60 系列将于 5 月 29 日 19:30 正式发布，目前官方已经揭晓了三款全新配色：星星海、初夏绿、仲夏夜，其中主打色“星星海”凭借创新工艺，呈现出极具夏日氛围感的视觉与触觉体验。 接下来，IT之家就为大家带来 vivo S60 手机「星星海」上手图赏。 据官方介绍，星星海配色采用独创星芒光刻工艺，通过双层镀膜在纤薄膜片表面叠加精细图案，结合高精度光刻退镀与三棱锥立体蚀刻技术，形成钻石闪砂纹理。光线流转时，两层膜片的图案与光影交织，呈现出星光闪烁、星河流转的动态效果，立体景深让背板细节经得起近距离端详。 机身背部搭载全新一体浮光冷雕玻璃，经 33 道工序物理雕刻成型，实现镜组与机身的无缝衔接。相比传统热锻工艺，冷雕加工大幅提升了玻璃强度，可有效保护镜头精密元器件，同时增强了防水防尘性能。表层 14 层纳米镀膜赋予机身宝石般清透纯净的质感，还能减少指纹与污渍附着，兼顾美观与实用性。 vivo S60 镜头模组采用灵感云窗设计，十字对称排布营造出稳定有序的极简美学。机身尺寸兼顾握持与视野，6.59 英寸屏幕搭配 1.25mm 极窄黑边，7.79mm 轻薄机身与 12.5mm 超大圆润 R 角，带来舒适的单手握持体验。航空级金属铝 CNC 一体成型中框，线条利落，触感细腻，进一步提升了整机的精致质感。 IT之家将对今天晚间 19:30 的 vivo S60 系列发布会进行全程直播报道，更多产品信息敬请期待。 、
IT之家 5 月 29 日消息，据《日本亚洲》当地时间今日报道，Nikon（尼康）新任 CEO 大村泰弘表示， 该企业将以性价比与 ASML 在 ArF 光刻机领域竞争 。 大村泰弘称 尼康通过较高的自产零组件比例建立了成本上的优势 ，这是其打价格战的底气。尼康正与美洲、亚洲主要芯片制造商就 ArF 光刻机的新订单进行谈判，最终协议即将达成。 这位今年 4 月履新的日本光学大厂掌门人承认，尼康在 ArF 光刻机业务上传统依赖于 Intel（英特尔）的订单，尚未能在其它客户中取得足够的业绩记录，其支持能力还没有赢得信任。 ▲ NSR-S333F IT之家注意到，尼康规划了与 ASML 主导的生态兼容的新款浸没式 ArF 光刻机，此外其计划在 2026 财年内出货首台新一代干式 ArF 光刻机 "NSR-S333F"。 延伸阅读 在浸没式 ArF 光刻机市场，ASML 凭借其成熟的 TWINSCAN 双工件台技术占据了超过九成的市场份额，尼康是当前该市场仅有的另一位参与者。 尼康计划推出的新款浸没式 ArF 光刻机旨在与 ASML 主导的生态兼容，目标是方便原计划采用 ASML 光刻机的用户迁移至尼康平台，该产品计划于 2028 财年（2027 年 4 月至 2028 年 3 月间）推出。 ArF 光刻机根据镜头和光刻胶之间介质的不同，分为干法和浸没式两种工艺，对应的 ArF 光刻胶也分为干法和浸没式两类。
那是不是可以考虑国产光刻机成功了？？？？？？？ 信息来源： https://www.bilibili.com/video/BV187VH67EkF/ 15 个帖子 - 13 位参与者 阅读完整话题
IT之家 5 月 25 日消息，在今日的国际电路与系统研讨会（ISCAS 2026）上，华为公司董事、半导体业务部总裁何庭波正式发表“韬（τ）定律”， 将于今年秋季面世的麒麟手机芯片率先采用了逻辑折叠（LogicFolding）技术 ，性能大幅提升。 此外，何庭波的论文《A Time Scaling Theory for Multi-Layer Electronic Systems》于今日提交到中国科学院科技论文预发布平台，详细介绍了“韬定律”，并提到华为后续芯片研发的规划。 IT之家从论文获悉，何庭波认为，芯片行业单纯的“几何时代”已结束（目标是让晶体管变得更小），而当前主流的“摩尔定律”只关注到时间这一尺度（集成电路上可容纳的晶体管数目大约每经过 18 到 24 个月便会增加一倍，性能也随之提升一倍），而每层独立优化、时间成为剩余项的时代也已经结束。 “韬定律”的首次生产规模测试会是在移动设备上进行 。何庭波表示，智能手机 SoC 是一个罕见的情况，其中一块芯片构成了整个系统。多插槽并行不可用；没有千节点的架构可以掩盖慢速连接。提供给用户的所有性能都来源于单个芯片，功耗仅为几瓦，并受到手持设备形式因素设定的热限制。 2020 年之后，当访问先进节点受到限制时，实际问题变为：在节点固定的情况下，如何在单个芯片上持续实现一代又一代的性能提升？ 出现的答案就是逻辑折叠（LogicFolding） 。 逻辑折叠是一种设计方法，将数字、模拟和存储电路划分到垂直堆叠的活动层中，以按照时间缩放原理联合优化性能、功耗和面积。 在麒麟 2026 芯片上的测试结果显示 ： 晶体管密度在单一世代中分阶段从 155 MTr / mm² 提高到 238 MTr / mm² ，这一提高幅度在以前需要三年的几何缩放才能实现。 SoC 性能核心能效提高了 41%， 最大时钟频率提升了近 13% 。 构建在上下层之间的高速全局片上网络（Network-on-Chip）数据路径将数据路径占用面积减少了 55%，并提高了电源传递稳定性。 后硅时钟偏移调整方案独立贡献了超过 5% 的 SoC 性能。 在 SRAM 中 —— 访问速度、每比特能耗和面积高度依赖于位线和字线长度 —— 逻辑折叠缩短了关键路径，降低了每比特能耗，并将操作频率提高了超过 40%。 在一个典型的处理核心上，双层折叠架构将时钟缓冲器数量减少了 50% 以上，时钟偏移减少了 25%，布线长度减少了约 30%。 论文还提到，这些收益是在固定的器件节点上实现的， 并不是通过新的光刻工艺步骤获得的 ，而是通过在三维空间中对逻辑分布进行拓扑重组实现的。 值得一提的是， 麒麟 2026 中使用的逻辑折叠还是刻意设置得比较保守 ，混合键合间距达到了 1.5 μm，折叠只针对关键路径选择性应用，而不是在整个设计中全面应用。 即便如此，麒麟 2026 的 CPU 性能核心频率今年依然提升到了 3.1GHz，最大时钟频率提升了近 13%。 论文还表示，在未来十年中，逻辑折叠预计将从局部关键路径折叠发展到全规模、多层折叠 —— 每个封装三层、四层甚至更多活动层。从 2026 年到 2035 年，晶体管密度预计将达到 400 MTr / mm² 甚至更高。同时，逻辑折叠使麒麟芯片能够显著提升 CPU 核心频率， 并为达到 4GHz 及以上铺平道路 。该路线图是可行的，并且在成本方面，经济上也是可行的。 IT之家发现，表格中有两个关键信息点值得注意： 麒麟芯片的后续命名，论文中表示为 麒麟 2026、2027、2028、2029 ，目前尚不清楚是否为代号，也不排除麒麟芯片要大改命名规则的可能。 芯片状态一栏，除了今年要发布的麒麟 2026 芯片， 明年的麒麟 2027 芯片也被标记为 Silicon 状态 ，代表已经有了实质进展；而麒麟 2028、2029 芯片还处于 Pre-silicon（硅前）状态。 论文还提到了 AI 芯片的未来路线，到 2030 年左右，AI 加速器（昇腾 SuperPoD 系列 — 2025 年的昇腾 910C、2026 年的昇腾 950，以及随后推出的 990）依赖于多种成熟技术的组合：芯粒（chiplets）、2.5D 扇出封装，以及通过微凸点和标准间距混合键合的 3D 堆叠。 大约在 2030 年， 昇腾 990 将在 AI 加速器类别中引入逻辑折叠 ，硬件集成预计到 2035 年将提高超过 100 倍。 IT之家附论文链接： https://chinaxiv.org/abs/202605.00224
IT之家 5 月 24 日消息，vivo 官方今日公开了 S60 系列手机全新配色「星星海」的设计细节。新机将在 5 月 29 日 19:30 发布。 据介绍，vivo S60 系列手机全新配色「星星海」 采用星芒光刻工艺 ，让手机背板呈现出夏日星星海的效果； 辅以一体浮光冷雕玻璃 ，镜组机身衔接一体无缝； 搭配金属中框 ，整机手感、质感得到提升。 据IT之家此前报道，vivo S60 搭载 3D 超声波指纹 2.0，识别时间低至 0.1s，录入时间低至 1s；vivo S60 系列全系标配 7200mAh 超薄蓝海电池，并搭配有 90W 快充与全局直驱供电；支持 IP68&IP69、立体声双扬声器、红外遥控、X 轴线性马达等功能。新机还有初夏绿、仲夏夜两种颜色可选。 ▲ “仲夏夜”配色 ▲ “初夏绿”配色
光刻机巨头ASML首席执行官克里斯托夫·富凯5月20日接受专访时发出重磅预警：全球半导体市场将进入长期供应紧张状态，AI驱动的需求浪潮正在超越行业产能扩张速度。富凯在安特卫普科技活动上指出：“AI需求来得如此强劲，我们将在相当长一段时间内处于供应受限的市场。” 2030年芯片市场剑指1.5万亿美元 富凯预测，到2030年全球芯片市场规模可能达到1.5万亿美元，整个供应链都将面临“零星瓶颈”。支撑这一判断的是科技巨头数百亿美元的资本开支：谷歌、微软、Meta和亚马逊今年合计支出近7000亿美元建设数据中心，迫使台积电、三星、SK海力士等芯片制造商加速扩产。ASML最新财报显示，公司已将2026年营收指引上调至360至400亿欧元，一季度新增订单量远超预期。 马斯克“TeraFab”与Starlink成新需求引擎 富凯特别点名马斯克的宏大计划：“TeraFab这样的超大规模芯片工厂将严重挤压设备商的产能，而且它很可能成为现实。”他透露已与马斯克本人就此讨论。更令他着迷的是Starlink卫星互联网：“我们谈论了很多关于芯片、人形机器人、自动驾驶汽车的话题，但这些产品都必须连接到数据，而Starlink正是那个连接器。” 马斯克的TeraFab计划拟建设为特斯拉、xAI和SpaceX提供芯片的超大型晶圆厂，其设备需求将直接冲击ASML等上游供应商产能。目前ASML正全力提高产量，其下一代High NA EUV设备即将量产首批逻辑芯片，英特尔为首批采用者之一。 ASML启动产能扩张计划 面对不可阻挡的需求，ASML正多管齐下应对：一是提升现有设备生产率，二是在研更先进的Hyper-NA技术，三是开发第二款先进封装设备以满足大尺寸AI芯片制造需求。公司CFO透露，2026年计划出货60台低NA EUV设备，较2025年增长25%，2027年产能将达到80台。 然而，富凯坦言难以准确预测这轮繁荣的幅度和持续时间。“行业规划可能被超出，”他说，同时警示产能扩张的物理极限。 查看评论
IT之家 5 月 19 日消息，全球顶尖芯片设备制造商阿斯麦（ASML）首席执行官克里斯托夫 · 富凯于当地时间周二表示，公司预计数月内就能看到首批采用新款高数值孔径（High-NA）光刻机生产的产品。 富凯在比利时微电子研究中心（imec）主办的一场会议上称，这款设备能够降低顶尖芯片的电路光刻成型成本，可同时应用于逻辑芯片与存储芯片领域。 这位首席执行官说道：“未来数月内，我们就能看到首批借助高数值孔径光刻机完成光刻制程的产品问世，涵盖存储芯片与逻辑芯片品类。” 就在富凯此番表态的数周前，其核心客户 台积电曾直言 ，单台造价最高达 4 亿美元（IT之家注：现汇率约合 27.25 亿元人民币）的高数值孔径光刻机成本过高。
IT之家 5 月 19 日消息，比利时校际微电子研究中心 imec 当地时间今日宣布，在本周举行的 ITF World 国际半导体技术展览会上，其发布了 全球首个采用 High NA EUV 光刻技术制造的量子点量子比特器件 ，这也应该是首个 High NA EUV 工艺集成硬件器件。 ▲ 图源：imec imec 表示，与硅基标准计算机芯片生产工艺基本兼容的硅量子点自旋量子比特是一种有工业化量产潜力的量子比特方案。其将电子限制栅极层纳米结构中，以被捕获电子的自旋状态存储量子信息。 为了限制环境噪声对量子比特的干扰，各个栅极之间的间隙必须尽可能小，而 imec 借助 ASML 的 High NA EUV 光刻机 实现了仅 6nm 的通道门-势垒门间隙 。
近日，印度塔塔电子与荷兰光刻机巨头阿斯麦（ASML）签署谅解备忘录，将共同推进印度首座前道半导体晶圆制造厂建设。该项目位于印度古吉拉特邦多莱拉，将为印度首座商业化12英寸晶圆厂，计划总投资约110亿美元（约合人民币794.6亿元），月产能目标为5万片，预计于今年晚些时候投产。未来将面向汽车电子、移动设备、人工智能和其他关键领域生产芯片，服务全球市场。 ASML官方声明称，双方合作覆盖光刻工具与解决方案、工厂建设与产能提升、本土人才培养、光刻技能训练、供应链韧性建设以及相关研发基础设施。相关协议在印度总理莫迪与荷兰首相罗布·耶滕见证下签署。 塔塔电子首席执行官兼董事总经理兰迪尔·塔库尔表示：“与ASML的这项基础性合作体现了我们对最高质量、良率和卓越制造标准的共同承诺，并将对在印度构建强大的半导体生态系统产生深远影响。” 塔塔与ASML签署谅解备忘录塔塔集团 不过，值得注意的是，该晶圆厂的生产技术由我国台湾地区力积电提供，仅覆盖28纳米、40纳米、55纳米、90纳米和110纳米等成熟制程技术。此次合作或许不需要ASML提供最先进的EUV光刻机，相关设备更可能以DUV光刻机及配套工艺服务为主。 中国已在成熟制程市场具有明显规模优势。美中经济与安全评估委员会在2025年报告中称，2015年至2023年，中国成熟制程产能增速超过全球需求增速的四倍；Semicon China的数据显示，中国晶圆厂在22纳米至40纳米传统节点全球产能中的占比，预计将从2025年的32%升至2027年的41%。 我国成熟制程产能正在吸引更多订单。据路透社5月15日报道，中芯国际表示，随着全球AI需求挤占海外晶圆厂产能，一些海外客户正将订单转向中国制造；中芯国际在一季度新增9000片12英寸等效晶圆产能，产能利用率仍保持在93%。 塔塔集团此次的合作伙伴力积电宣称，来自中国大陆的产能扩张和降价策略的压力，正给台湾地区的成熟制程芯片制造商带来挑战。 对塔塔电子而言，此次与ASML的合作更仅仅像是印度获得了半导体制造的入场券，高德纳咨询公司（Gartner）副总裁兼分析师高拉夫·古普塔（Gaurav Gupta）表示：“印度实际上是在与自己竞争，因为它首先必须证明自己能够实现大规模半导体制造。” 他说：“印度至少还需要十年时间，才能发展到其他国家可以依赖的成熟水平。” 查看评论
IT之家 5 月 17 日消息，荷兰光刻机巨头阿斯麦（ASML）昨天宣布与塔塔电子签署谅解备忘录，推动印度半导体制造业发展。 根据合作内容， 阿斯麦将支持塔塔电子在印度多勒拉（Dholera）建设 300mm（12 英寸）半导体晶圆厂 。双方还将合作培养本土人才、半导体供应链建设、科研项目，以支持多勒拉晶圆厂长期成功。 据悉， 多勒拉晶圆厂总计投资 110 亿美元（IT之家注：现汇率约合 750.51 亿元人民币） ，未来将生产汽车、智能手机、AI 等领域的半导体产品，供应全球客户。
IT之家 5 月 12 日消息，上海人工智能实验室（上海 AI 实验室）昨日发文，联合厦门大学、苏州国家实验室等合作单位基于“书生”科学大模型与“书生”科学发现平台，构建了“AI 决策 + 自动化合成”的闭环研发体系， 实现了高纯度、高一致性、高效率的 KrF（氟化氪）光刻胶树脂创制 。 官方表示，这一突破使高端光刻胶树脂的稳定制备 不再依赖于极少数国外供应商的“黑箱能力” ，为全球芯片材料领域探索出一条可标准化、快速迭代的新路径。相关公司基于光刻胶配方开发经验，完成了树脂适配， 产业关键指标均达预期 ，后续将进入客户端验证阶段。 ▲ 光刻胶树脂自动化制备 IT之家获悉，长期以来，高端树脂材料开发受制于“经验驱动”的试错路径，科研人员需在数以千计的单体配比、聚合体系及反应条件中进行逐一筛选，这种低密度的实验范式导致研发周期动辄以月为单位，且极易受人为操作误差影响， 难以满足成熟制程对材料批次稳定性的严苛要求 。 联合团队研发了面向先进材料光刻胶树脂设计的智能化合成平台：采用高度模块化并行架构，依托多反应器、多工作站协同布局，实现了从液体精准转移、惰性气氛保护到多级自动化后处理的全流程闭环运行；搭载精密三轴伺服控制与全密封加液技术，从源头规避因人工操作暴露带来的氧气、水汽及金属杂质污染问题，可将成品树脂金属杂质含量稳定控制在 10ppb 以下，同时严格把控分子量分布，PDI 指标稳定控制在 1.3 以下。 AI 模型生成光刻胶树脂合成实验方案，经 SCP 协议转化为自动化平台指令，并在物理实验室中完成高通量的合成与表征任务；实验产出的分子量、热稳定性等关键数据自动回传 AI 模型，驱动算法优化下一轮方案， 实现研发体系自我进化 。基于此循坏，研发团队在光刻胶树脂分子量稳定性、Tg 耐热指标等关键领域取得阶段性进展，成功实现从“经验主导”向“数据驱动”的转型，为光刻胶产业突破技术瓶颈提供了全新路径。
IT之家 5 月 8 日消息，今日，荷兰光刻机巨头 ASML 阿斯麦美股股价上涨超 3%，报 1562.8 美元 / 股，创历史新高，总市值报 6023 亿美元（现汇率约合 4.11 万亿元人民币）。此外， 阿斯麦成为欧洲首家市值突破 6000 亿美元的公司 。 IT之家注意到，ASML 官方 4 月 15 日已公布了 2026 年第一季度财务业绩： 营收 87.67 亿欧元（IT之家注：现汇率约合 701.46 亿元人民币），同比增长 13.24% 净利润达 27.57 亿欧元 （现汇率约合 220.59 亿元人民币），同比增长 17.07% 毛利率为 53.0%，去年同期为 54.0% 全新光刻机销量 67 台，去年同期为 73 台
IT之家 5 月 8 日消息，据路透社今天报道，消息人士透露，全球各大科技公司争相向 SK 海力士抛出橄榄枝， 意图投资其新建产线 、 资助购买昂贵设备 ，确保存储芯片能够稳定供应。 IT之家从报道中获悉，这种提议在全球存储芯片行业前所未有，凸显 DRAM / NAND 芯片供应紧张的严重程度。随着 AI 热潮推动数据中心需求激增，芯片制造商越来越难以跟上步伐。 据六位消息人士透露，SK 海力士的客户提出了多种合作方案，包括投资存储专用生产线等。另有三位消息人士表示， 部分客户想要资助 SK 海力士采购 EUV 光刻机等设备 ， 价值数亿美元 。 然而 SK 海力士对这些财务承诺保持谨慎，因为此类交易很可能使其被特定买家牵制，并需要较低价格供应芯片以换取长期稳定的收入做保证。 一位知情人士表示：“无论哪种提议，目前可用产能基本为零，甚至没有一小部分可以专门分配给特定客户”。 不过我们目前暂不清楚哪些科技公司向 SK 海力士提出了投资建议。但谷歌母公司 Alphabet、Meta 和微软等美国大型公司已在上周宣布，计划增加 AI 基础设施投入。 另一位消息人士表示，芯片供应商会在分配稀缺产能时谨慎行事，以避免监管审查或被认为偏向特定客户。他解释道：“公司不希望在 AI 赛道上‘押错马’，最终支持了错误的公司”。
IT之家 5 月 6 日消息，每当你使用人工智能技术时，其实都在以一种细微的方式，依赖这家拥有 42 年历史、员工规模达 4.4 万人的荷兰企业。该公司每年投入 45 亿欧元（IT之家注：现汇率约合 360.47 亿元人民币）用于技术研发升级。 总部位于荷兰的阿斯麦（ASML），生产制造芯片的设备，而芯片正是人工智能得以实现的核心基础。更具体地说，其掌握着全球唯一能够在硅晶圆上蚀刻出最先进半导体微观电路图案的设备，这一工艺被称为极紫外光刻（EUV）。 这类设备体量约等同于一辆校车，组装周期长达数月，供应链涉及数百家供应商，单台售价因代际差异在 2 亿至 4 亿美元以上，即便是阿斯麦最大的客户，有时也会对高昂价格有所迟疑。 凭借这一独家垄断地位，阿斯麦已然成为欧洲市值最高的企业，总市值突破 5300 亿美元（现汇率约合 3.63 万亿元人民币）。仅今年，微软、Meta、亚马逊、谷歌这美国四大科技巨头就计划投入超 6000 亿美元布局人工智能基础设施，市场对阿斯麦光刻设备的需求随之暴涨。公司更是公开坦言，未来数年全球都将面临芯片供不应求的局面。 旺盛的市场需求，也让阿斯麦成为各方试图赶超的目标。旧金山初创企业 Substrate 由彼得・泰尔的门生创办，目前已融资超 1 亿美元，估值突破 10 亿美元，宣称能够研发出可与阿斯麦抗衡的光刻设备。另有报道称，曾任职于阿斯麦的在华工程师已对其技术完成部分逆向拆解，这一动向具备重大地缘政治影响。 2024 年正式出任阿斯麦首席执行官的克里斯托夫・富凯，已在公司任职十余年。当地时间周二上午，他出席米尔肯研究所全球峰会前夕，在比弗利山庄酒店的露台接受了 Techcrunch 专访。他身着蓝色西装、内搭白衬衫，神情从容淡定，即便谈及行业竞争对手也神色自若。 本次访谈已在不改变原意的前提下，为精简篇幅、优化表述进行小幅编辑。 记者：你预见到人工智能会迎来如今的爆发式发展吗？ 克里斯托夫・富凯：完全没有。我们一直潜心深耕技术，但从未预料到行业会发展到如今这个局面。人工智能起初只是一个概念，人们都觉得它终有落地的一天，而 ChatGPT 真正首次直观展现了人工智能的实际能力。如今我们将人工智能视作新一轮变革，这场变革不仅会重塑工业格局，更会深刻改变社会形态。 我确实没能提前预见这一切。我们身处行业浪潮中心，有时清晨醒来，仍会感慨当下发生的一切真实得不可思议。 记者：所有人都关心一个核心问题 —— 芯片供应链能否跟上市场需求？答案是什么？ 克里斯托夫・富凯：当前市场需求极其旺盛，未来很长一段时间，行业整体都将受限于产能供给。目前最大的瓶颈出现在芯片制造环节。作为设备供应商，我们一直紧跟客户需求布局产能，目前整体适配度尚可，但我们清楚，必须全面升级整条供应链、扩充产能。 和大型云计算科技企业交流后我发现，未来两三年甚至五年内，他们都难以获得充足的芯片供应。 记者：台积电近期公开表示，你们最新一代设备定价过高，你对此作何回应？ 克里斯托夫・富凯：从售价来看，高数值孔径极紫外光刻设备的确比现有低数值孔径机型更贵，但用这款新设备加工先进制程晶圆， 单片制造成本反而更低，能实现 20% 至 30% 的成本降幅。 编辑注：富凯口中两款设备均属于极紫外光刻设备，核心技术同源。NA 即数值孔径，用于衡量设备将光束聚焦至芯片的精细程度。低数值孔径极紫外光刻为当前主流量产机型；高数值孔径极紫外光刻是阿斯麦最新一代产品，可蚀刻更精密的电路图案，单台售价高达 3.5 亿美元以上。富凯的观点是：新机采购价虽高，但规模化生产芯片的综合成本更具优势。 外界总在追问新机量产落地是本月、下月还是再往后，我常说这个时间点其实无关紧要，因为高数值孔径极紫外光刻设备，本就是为未来 10 至 20 年的行业发展所研发。回看 2016、2017 年的媒体报道，当时业界也普遍吐槽低数值孔径极紫外光刻设备价格高昂，但后续市场已然接受并普及。高数值孔径机型未来也会复刻这一发展轨迹。 记者：彼得・泰尔投资扶持的初创企业 Substrate 宣称能研发出竞品光刻设备，你如何看待？ 克里斯托夫・富凯：有研发愿景和真正实现量产，中间有着天壤之别。光刻技术本身存在海量技术难题。能生成基础光刻影像只是起点，更要实现大规模量产、低成本、高速度加工，同时达到纳米级的精度标准。 我常说，阿斯麦之所以能造出极紫外光刻设备，是因为 80% 的相关技术都有过往积累，依托数十年的技术沉淀和产品研发基础。我们当年只需要攻克一个核心难题 —— 极紫外光源，而仅此一项研发就耗时整整 20 年。 如果从零起步研发，难度更是难以想象。我见过不少企业的技术宣传，也看过一些样机图纸。但阿斯麦早在 30 年前就拍出了首张极紫外光刻影像，后续又耗费 20 年艰辛研发，才最终落地为量产制造设备。 记者：还有获得美国政府部分投资的激光初创企业 xLight，希望和你们展开合作，你怎么看？ 克里斯托夫・富凯：xLight 的研发聚焦我们极紫外光刻设备的单一核心部件 —— 光刻光源。我们现有的光源技术仍有多年迭代扩容空间，规模化落地的技术路径也已成熟。而 xLight 研发的全新光源尚处在搭建和技术验证阶段，唯一的悬念是，其能否在性能或成本上超越我们现有方案。目前尚无定论。 我们愿意与其合作，为其提供技术展示的平台，这也是我们行业应承担的责任。但这项技术要走向成熟，仍有漫长的路要走。 记者：有报道称，阿斯麦前在华工程师已对你们的设备完成逆向工程拆解，是否属实？ 克里斯托夫・富凯：想要逆向拆解设备，首先必须拥有实体设备。但中国目前没有任何一台极紫外光刻设备，我们从未向中国市场发货。我们所有售出的设备都有完整溯源，要么由客户正常使用、全程在我们监控范围内，要么已拆解回收。 所谓中国拥有阿斯麦极紫外光刻设备的说法完全不实。同时，由于极紫外光刻技术从未对华出口，国内也没有接受过该技术专业培训的人员。 早在相关出口管制政策落地初期，我们就在公司内部做了严格权限划分，将可接触极紫外光刻技术、技术文档和专业培训的人员，与无权限人员完全隔离，阿斯麦中国团队均不在权限范围内。 事实表明，相关领域即便有尝试，也几乎没有取得实质性进展。尽管外界难以接受这一现状，但这项核心技术的壁垒本就难以逾越。 记者：放眼整体出口管制政策，英伟达创始人黄仁勋昨晚在此表态，企业理应开展全球贸易，海外营收增加也能为母国创造更多税收。他同时提出，要把最顶尖、最新的技术保留在本土。你是否认同这一观点？ 克里斯托夫・富凯：我完全赞同。英伟达的做法正是践行了这一理念：通过保持技术代差，维持自身科技优势。英伟达对外出售的均是落后几代的产品，在开展全球业务的同时，避免把顶尖核心竞争力拱手让人。 我们认为这一逻辑同样适用于阿斯麦。目前依据出口管制政策，我们可以向中国出货设备，但均为 2015 年就已推出的旧款机型。参照黄仁勋的思路，英伟达对外保持着约八代的技术代差，而我们目前仅两三代代差。 行业确实有理性调整的空间：既不彻底放弃中国市场、错失巨大商机，也避免过度开放技术，变相催生竞争对手。 记者：你如何评价当前美国政府在相关政策上的态度与立场？ 克里斯托夫・富凯：目前双方沟通渠道畅通，这一点至关重要。我认为美方确实能够理解企业的合理诉求，但想要平衡各方立场与利益，依旧面临不小挑战。 沟通对话一直在推进，我们对此表示认可。我多次前往华盛顿参与交流，至少各方愿意坐下来探讨问题。但不得不说，这是一个极其复杂的议题。 记者：你似乎并不担心有企业能走捷径赶超你们的核心技术？ 克里斯托夫・富凯：很多企业都渴望掌握顶尖技术，却往往忽略了背后数十年的研发积淀。这项技术不只是阿斯麦一家之功，更是整条供应链数千家合作伙伴共同攻坚的成果。 无数专业团队逐一攻克各类顶尖技术难题，再由阿斯麦依托数十年光刻领域的专业积累，整合所有技术、落地为量产制造设备。这绝非一朝一夕可以复刻，而这本身就是我们最坚实的技术壁垒。这套体系的搭建难度，就注定了难以被轻易赶超。
据日经亚洲报道，日本光刻胶大厂JSR将在台湾设立首座半导体材料生产基地，目标2028年投产，直接就近供应台积电。 JSR已于4月初与当地合作伙伴成立合资公司，投资额达数千万美元。这不仅是建厂，JSR还要与台积电共同开发先进光刻胶，包括面向EUV光刻的金属氧化物光刻胶，双方从研发阶段就深度绑定。 为何非去不可？再不搬就晚了。 此前JSR给台积电送样品要从日本海运，来回耗时数周，严重拖慢验证进度。现在厂建到家门口，响应速度从"按月算"变成"按天算"。 更现实的压力来自中国厂商。JSR电子材料事业部总经理木村彻坦言："中国企业虽具威胁性，但追上我们的技术仍需一段时间。"言下之意——趁还有领先优势，赶紧卡位。 随着JSR落地，日本光刻胶前三强（东京应化工业、JSR、信越化学）全部在台湾设立生产基地。三家企业合计掌控全球约80%光刻胶份额，其中JSR以19%市占率位居第二。 2028年投产，时间点正好卡在台积电2nm及以下制程放量期。JSR这一步棋，赌的就是先进制程对高端光刻胶的依赖只会越来越深。 查看评论
IT之家 5 月 5 日消息，据日经中文网今日报道，日本光刻胶企业 JSR 将设立其 在台湾地区的首个半导体材料生产基地 ，主要面向台积电生产用于电路形成的感光材料（光刻胶）等产品。 4 月上旬，JSR 与台湾地区本土企业合资成立新公司。双方计划投资数十亿日元新建生产基地， 力争最早 2028 年投产 。 IT之家获悉，JSR 同时还将与台积电共同开发先进光刻胶产品。此前 JSR 已在台湾地区设有研发和销售基地，但半导体材料的专用生产基地尚属首次，JSR 将构建从研发到制造的一体化本地体系。 JSR 的半导体材料生产基地分布于日本、美国、比利时， 以及目前正在建设中的韩国 。在面向台湾地区的产品开发方面，JSR 此前通过从日本寄送样品等方式应对，但运输需数周，存在响应速度方面的问题。 报道称，随着 JSR 进入，日本光刻胶前 3 大厂商（东京应化工业、JSR、信越化学工业）均已在台湾地区设立生产基地。