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IT之家 6 月 3 日消息，KIOXIA（铠侠）当地时间昨日举行了 2026 年投资者日活动。 该企业宣布将在今年夏天出样 BiCS10 1Tb TLC NAND ，这一闪存将用于下代支持 PCIe Gen6 的 CM 系列企业级固态硬盘中。 BiCS10 采用 332 层设计，堆叠层数低于部分竞争对手。铠侠在解释产品设计时表示， 当前已无法仅通过提升堆叠改善 3D NAND 的成本结构 ，更高堆叠意味着工艺复杂性和制造成本的上升，此外高堆叠还不利于能效和可靠性表现。 铠侠表示，332L BiCS10 与其推测的 400L 产品相比实现了 10% 的成本降低、10% 的能效提升、35% 的可靠性优势。 在企业层面，铠侠预测 NAND 市场的整体出货容量在 2026~2028 年实现 22% 的 CAGR，其中数据中心领域的复合年均增长率达到 46%，而 AI 推理这一细分领域的增速将达到 86%；另一方面， PC、智能手机领域的需求则将持平或小幅下降 。 此外，铠侠认为当前已是 NAND 市场供需失衡最为严重的时刻，未来将逐步改进，但 到 2027 年底前供小于求的基本面不会改变 。 在此背景下，铠侠 正专注于数据中心和企业业务 ，目标将该细分领域对整体营收的贡献比例提升到 60% 以上，通过高附加值产品推动盈利能力的提升；而 PC、智能手机端收入规模则将保持稳定。 铠侠 2026~2028 财年的 平均资本支出与研发支出都将较 2025 财年水平增长 60% 以上 。该企业将快速推进制程升级，目标实现每年约 10% 的前端单位容量成本降低。 IT之家了解到，铠侠表示 已就北上市生产基地的进一步扩建进行评估 ，目标在 2029 财年后投产。
IT之家 5 月 25 日消息，东芝电子元件及存储装置株式会社本月 21 日宣布 开始出货 1200V 沟槽栅碳化硅 (SiC) MOSFET "TW007D120E" 的测试样品 ，该产品主要面向下一代 AI 数据中心电源系统（800V HVDC 架构），同时也适用于可再生能源相关设备。 TW007D120E 采用东芝专有的沟槽栅结构， 单位面积低导通电阻较东芝现有产品降低约 58% ，达到业界领先水平；同时其 品质因数较现有产品提高了约 52% 。 这些特性将帮助数据中心电源系统实现高效运行并减少发热，从而提升整体系统效率。这有助于提高功率密度并增强功率级的散热性能，对下一代 AI 数据中心的功率转换至关重要。 东芝 计划在 2026 财年实现 "TW007D120E" 的量产 ，并将继续拓展其产品线，如开发面向汽车应用的产品。
IT之家 5 月 12 日消息，韩媒 THE ELEC 当地时间今日援引业内人士消息报道称， 三星电子计划 2026 年第 3 季度向主要服务器和数据中心客户交付基于 CXL 3.1 规范的 CMM-D 内存模块样品 ，最早今年四季度量产。 IT之家注意到，三星电子副总裁 Kevin Yoon 去年九月就曾表示， CXL 3.1 / PCIe 6.0 CMM-D 解决方案计划在 2026 年推出 。 相较于上代 CXL 2.0 规范的 CMM 内存模块， CXL 3.1 CMM-D 的每通道传输速率翻倍 ，这意味着系统可从 CXL 附加内存处获得更大的内存带宽，提升整体运行效率。 与标准内存相比，CXL 内存的一大优势是支持池化：多个处理器可共享一定数量的额外内存资源，按需分时取用， 无需为每个处理器都配备大量冗余内存 。
IT之家 4 月 30 日消息，三星电子 (Samsung Electronics) 今日公布了正式的 2026Q1 财报并对各业务的发展进行了介绍，其中在存储器业务部分提到， 计划 2026Q2 出样 HBM4E 内存 。 三星电子设备解决方案 (DS) 部存储器业务代表在电话会议上表示， 一季度 DRAM ASP （平均销售价格） 增长超过 90%、NAND ASP 增幅也接近 90% 。该企业预计今年 HBM 内存销售额将同比增长 3 倍，从 Q3 开始 HBM4 将占到 HBM 整体收入的一半以上。 在晶圆代工部分，该企业 Q1 成功赢得了大型光通信组件公司的订单，奠定了硅光子 (SiPh) 业务的基础；下半年将启动 2nm 第二代移动产品的产能爬坡，加速扩展 4nm 内存产品、4nm LPU 的产能。 对于美国泰勒项目 ， 1 号晶圆厂年内产能爬坡 、 2027 年量产 ，2 号晶圆厂计划正在审议。 此外，三星显示下半年将通过具备差异化技术的旗舰产品以及 8.6 代 IT OLED 的量产 推动营收增长。
IT之家 4 月 23 日消息，SK 海力士 (hynix) 当地时间今日举行了 2026Q1 财报电话会议，会上该企业高管表示海力士的 HBM4E 内存正以 2027 年量产的目标顺利推进开发工作，计划 2026H2 开始供应样品。 SK 海力士在 HBM4E 上将使用基于 1c nm 制程工艺的 DRAM 裸片 ，这一节点已在多款其它产品中得到验证，良率和量产能力达到了成熟阶段；而基础裸片部分正在基于满足客户性能要求的最优技术进行开发。 SK 海力士代表认为谷歌 TurboQuant 等数据压缩技术的设计意图是提升内存应用效率而不是减少内存用量。随着 AI 服务变得更加普及， 内存需求还会进一步增加 ；而 AI 服务的多样化也将推动 存储半导体的进一步分层 。 在闪存端，该企业目标在 2026 年将超过一半的韩国本土产能转换为 V9 NAND，从 176 层 V7 到 321 层 V9 的跨越式进步 将大幅提升 NAND 生产效率 。 SK 海力士未来的产能扩充重心是逐步推进的龙仁半导体集群， 目前没有其它的晶圆厂建设或收购计划 ，但其同时表示将灵活应对全球内存需求的中长期增长。