消息人士称，美国证券交易委员会（SEC）的批准可能在6月22日当周下达据两位知情人士透露，SK海力士计划最早于8月在美国上市。这家韩国内存芯片制造商希望借势人工智能相关股票的强劲需求，并扩大其投资者基础。 其中一位消息人士称，美国证券交易委员会（SEC）很可能在6月22日当周批准SK海力士的美国存托凭证（ADR）上市申请。 SK海力士在声明中表示：“公司计划于2026年内发行美国存托凭证（ADR），但包括发行规模和时间在内的具体细节尚未确定。”由于非工作时间，美国证券交易委员会（SEC）未能立即对此置评。 SK海力士3月曾表示，已秘密提交美国上市申请。当时有消息人士称，此次发行募资规模最高可达140亿美元。 作为全球第二大内存芯片制造商及英伟达的关键供应商，该公司凭借其在AI服务器所用高带宽内存芯片领域的主导地位，已成为AI热潮的最大受益者之一。 今年以来，其股价已飙升240%，自5月以来市值已突破1万亿美元，使其成为继台积电和三星电子之后，第三家达到这一里程碑的亚洲公司。 媒体上周报道称，SK海力士已就该计划收到“极其积极”的反馈，并援引了强劲的人工智能需求及其在内存芯片市场的竞争优势。 若能在8月上市，将为美国股市日益繁忙的下半年再添一匹黑马。目前，投资者正密切关注一系列AI相关企业的上市计划，包括OpenAI和Anthropic，以及SpaceX的重磅IPO。 查看评论
英伟达公司与SK海力士达成合作，共同研发面向人工智能的新一代存储芯片，这对于这家韩国高端半导体龙头企业而言是一大利好。两家企业在声明中表示，已签订多年协议，携手推进芯片设计与制造业务。英伟达将助力合作方拓展新业务领域，覆盖基础设施、实体人工智能，以及为英伟达旗舰加速芯片Vera Rubin配套的存储产品。 英伟达首席执行官黄仁勋上周首次证实，公司已批准三星电子、SK海力士和美光科技供应HBM4内存。该产品是维拉・鲁宾芯片不可或缺的核心组件。这三家企业主导全球存储市场，正激烈角逐这块高利润业务。 黄仁勋在台北电脑展上透露，Vera Rubin芯片目前已进入全面量产阶段，预计今年第三季度正式交付。全新算力系统以英伟达维拉系列中央处理器与鲁宾图形核心集群为核心，每台服务器均搭载数太字节容量的HBM4内存。 查看评论
IT之家 6 月 8 日消息，英伟达与 SK 海力士今日宣布建立多年期技术合作伙伴关系，围绕全球 AI 工厂建设所需的 下一代内存展开联合研发 ，并将 AI 技术应用于半导体芯片设计与制造。 根据协议，SK 海力士将为英伟达 Vera Rubin AI 超级计算机、Vera CPU、RTX Spark PC 及 Jetson Thor 机器人计算平台协同开发专用内存，由此进入英伟达正在开拓的 AI 基础设施、个人 AI 及物理 AI 等新市场。 IT之家从公告获悉，该多年期协议支持供应以 满足高端内存延长开发周期 的需求。随着 AI 工厂在全球规模化，这一战略合作使内存供应能够跟上英伟达的基础设施路线图和全球 AI 基础设施的持续建设步伐。 在半导体制造领域，SK 海力士将采用英伟达 CUDA-X 库及 PhysicsNeMo 框架加速芯片仿真和光刻计算工作流；同时借助英伟达 Omniverse 和 cuOpt 构建晶圆厂数字孪生，推动工厂自主化运营。
IT之家 6 月 7 日消息，据彭博社今日报道，英伟达公司首席执行官黄仁勋表示，随着两家公司准备在未来一年开展更多业务， 其全新的 Vera CPU 将使用 SK 海力士公司的内存芯片 。 黄仁勋周日在首尔一家餐厅外告诉记者，“今年我们与 SK 海力士度过了非常重大的一年，我们正在为非常、非常重大的下半年和明年做准备。” 当晚，黄仁勋在该餐厅与 SK 集团董事长崔泰源（Chey Tae-won）、SK 海力士 CEO 郭鲁正（Kwak Noh-Jung）以及 SK 电讯公司的高管们共进了晚餐。黄仁勋表示，“我们推出了 Vera CPU，这是一款革命性的 CPU， 它也将使用 SK 海力士的 DRAM 。” 据IT之家此前报道，黄仁勋在本月举行的 2026 台北国际电脑展主题演讲上， 正式宣布推出 Vera 处理器 ，这是一款专为 AI 智能体打造的 CPU，可驱动各行各业的多样化工作负载。
在今年的台北国际电脑展（Computex）上，多家内存模组厂商表示，外界热炒的“CXMT（长鑫存储）DDR5超便宜”说法并不属实，其实际采购价格与三星、SK海力士及镁光等传统三大DRAM供应商大致处于同一水平线。厂商强调，所谓“廉价”更多是市场误读，而非真实的价格优势。 长鑫被视为近一轮DRAM周期中客户端市场的潜在“救火队员”。该公司大规模投资新厂，计划将产能翻番，并积极与全球模组厂合作，向整机与内存品牌提供自家DRAM芯片。在消费端价格持续攀升的大环境下，曾有不少声音认为，来自中国的新晋供应商有望凭借低价缓解PC与DIY用户面临的成本压力。然而，多家在展会现场接受采访的内存厂商表示，长鑫 DDR5的供货价并没有想象中那么低，整体与主流国际大厂相差无几。 与传统巨头相比，长鑫的真正优势被认为在于“有货可供”，而非“明显更便宜”。目前，三星、SK海力士与镁光等厂商将大量产能投入高带宽存储（HBM）和面向人工智能市场的高附加值产品（如特定形态的模组解决方案），在一定程度上压缩了可供普通PC与工作站使用的常规DRAM资源。反观长鑫，由于暂时难以在工艺与技术路线层面追赶这些高端产品，其重心仍停留在传统DRAM上，因此能够向客户端市场释放更多标准DDR5产能。 在产品性能层面，业内人士认为长鑫 DDR5虽然进步迅速，但目前更适合入门与主流定位的内存条，而非追求极限超频或最高规格的旗舰方案。现阶段已见到的长鑫 DDR5最高数据速率大约在8000 MT/s量级，同时也已有面向服务器与工作站的RDIMM产品进入量产阶段。不过，在CUDIMM、CQDIMM、MRDIMM、CSODIMM等更高端、更复杂形态的模组上，该公司与国际龙头相比仍存在明显差距，尚难以覆盖所有高性能与企业级场景。 多家模组厂商透露，他们正在验证将长鑫 DDR5用于自家产品的可行性，但这些芯片目前只会被安排在入门级或主流级别的内存模组上。从导入节奏来看，新品会优先面向中国本土市场，待后续有更高质量分档与更成熟的良率表现后，才会逐步推向全球渠道体系。这意味着，短期内国际消费者即便买到搭载长鑫颗粒的内存，大多也将集中在价格相对亲民而规格中规中矩的产品上。 在商务条款方面，长鑫相较传统三大厂展现出更高的灵活度，这也是不少模组及整机厂商愿意尝试的原因之一。目前，部分全球DRAM巨头在合约供货中要求客户若想锁定额外产能，需几乎按全额成本提前支付，否则不仅可能拿不到追加订单，还可能在后续批次中被附加额外罚金。相比之下，长鑫在供货协议上并未设置类似的严苛罚则，这种“同样价格、但少了惩罚性条款和额外压力”的合作模式，为其吸引了一批正在评估多元化供货来源的内存品牌和PC厂商。 整体来看，市场此前对“长鑫 DDR5会以低价冲击全球、全面拉低终端内存价格”的期待，短时间内恐难成真。从当前业内反馈看，长鑫在价格上并未打“跳水牌”，而是选择与主流价位对齐，通过稳定供应、聚焦传统DRAM市场以及相对宽松的商务条件来扩大影响力。在高端技术与产品形态尚未追上的前提下，这种策略既为PC与模组厂提供了更多谈判与采购选项，也为日趋集中的全球内存产业格局增添了一名有潜力但仍在成长中的新玩家。 查看评论
英伟达首席执行官黄仁勋周五在首尔宣布，三星电子、SK海力士和美光科技均已通过认证，将为英伟达下一代人工智能平台Vera Rubin供应HBM4高带宽存储芯片。 黄仁勋在抵达韩国展开访问时向媒体表示，三家供应商均已通过资质认证，并已进入量产阶段，目前正全力保障Vera Rubin平台的供货需求。这是英伟达首次正式确认三家存储芯片厂商同时获得HBM4供应资格。这三家公司主导着全球存储芯片市场，此前一直在争夺英伟达HBM供应份额。SK海力士在HBM3E时代占据约62%的市场份额，而此次三家同时获得认证，意味着HBM4世代的供应格局或将发生变化。 黄仁勋本周在台北电脑展期间透露，Vera Rubin已进入全面量产，整机产品将于今年第三季度正式出货。这套AI系统由英伟达Vera CPU与Rubin GPU集群搭建而成，单台服务器将搭载TB级容量的HBM4高带宽内存。HBM4是第六代高带宽存储产品，相比前代HBM3E在接口宽度上实现翻倍，数据传输速度从约1 TB/s提升至2 TB/s。 从各家进展来看，三星电子已于今年2月率先启动HBM4量产出货；SK海力士HBM4年初正式进入全面量产；美光3月宣布量产HBM4，其产能爬坡速度比去年量产HBM3E时快了两倍。 Arm首席执行官雷内·哈斯本周指出，高端存储短缺是目前AI产业链最难攻克的产能瓶颈。此番三大厂商同步获得认证，对缓解供应紧张具有积极意义。 黄仁勋同时透露，英伟达正在韩国设立新的研发中心并启动人员招聘，以加强与韩国合作伙伴在供应链方面的协调。 查看评论
IT之家 6 月 5 日消息，据韩媒 The Elec 于 5 日（今天）下午援引知情人士消息称，SK 海力士已向主要供应商说明最新的扩产计划，目标是在 2030 至 2031 年把 DRAM 晶圆投片产能 提高到接近目前两倍 。 这项扩产路线图在 2026 台北国际电脑展之前就已制定完成。展会期间，英伟达 CEO 黄仁勋曾在一片 SK 海力士 DRAM 晶圆上写下“请多生产”，也从侧面凸显 AI 存储产品需求正在快速升温。 多名行业人士透露，过去两个月，SK 海力士采购团队以及负责龙仁半导体集群的人员，已陆续向主要供应商说明到 2030 年扩大晶圆投片产能的计划。 按照计划，SK 海力士希望到 2030 年把 DRAM 晶圆月投片产能 从目前约 55 万片提高到约 100 万片 。现有产能中包括无锡工厂约 20 万片月产量，新增产能预计主要来自龙仁半导体集群。 SK 海力士计划把龙仁第一座晶圆厂划分为六个洁净室，并从 2027 年 2 月起向第一个洁净室搬入设备。第一阶段设备安装完成后，龙仁工厂将新增 6 万片月产能；此后，SK 海力士计划 每隔六个月启用一个新增洁净室 ，每次再增加 6 万片月产能。若按现有时间表推进，仅龙仁第一座晶圆厂到 2030 年上半年就可新增 36 万片 DRAM 月产能。 清州 M15X 晶圆厂也在扩建。M15X 计划今年下半年投产，初期月产能为 4 万片晶圆， 明年预计提升至约 8 万片 。若龙仁新增 36 万片产能也按期释放，SK 海力士 DRAM 晶圆月投片总产能 到 2030 至 2031 年有望达到约 100 万片 。 NAND 闪存方面，SK 海力士被认为主要聚焦技术升级，包括提高堆叠层数。一名半导体设备行业人士表示：“可以理解为，SK 海力士是在要求供应商为快速、大规模扩产做好准备。” 据IT之家了解，这项计划也与 SK 集团董事长崔泰源最近的表态相呼应： 全速在五年内将整体晶圆产能提高一倍 。 不过，供应商仍在谨慎观望这份激进路线图能否如期落地。2022 年，SK 海力士曾向供应商提供下一年度资本开支指引，但同年秋季又大幅削减设备订单。部分供应商已经依据指引采购零部件，后来承受了明显现金流压力。业内人士也指出，如果任何一类设备交付延迟，每六个月填满一个洁净室的节奏都可能被打乱。 一名供应商人士表示：“短期来看，投资增加已经很明确，对设备和材料供应商是重大利好。但整份路线图最终能否完成，还是要看 市场需求能不能支撑 。”
IT之家 6 月 5 日消息，据彭博社报道，英伟达公司首席执行官黄仁勋首次确认，英伟达已对三家最大的内存芯片制造商进行了认证，允许其为英伟达的人工智能（AI）加速器供应其最先进的高带宽产品。 黄仁勋表示，已批准 三星电子、SK 海力士和美光科技 供应 HBM4（高带宽内存、High Bandwidth Memory），这是英伟达用于人工智能工作的下一代 Vera Rubin 平台不可或缺的组件。这三家公司共同主导着全球计算机存储半导体市场，目前正为了在这一利润丰厚的业务中分得一杯羹而展开激烈竞争。 黄仁勋在启程赴韩开启多日访问行程后透露：“三家供应商均已顺利通过资质认证、 全线进入量产阶段 ，目前正全速赶工，保障 Vera Rubin 平台的供货需求。” 据IT之家此前报道，黄仁勋在 2026 台北国际电脑展主题演讲中宣布， Vera Rubin 现已进入全面量产阶段 ，整机产品将于今年秋季正式出货，这套全新 AI 系统由英伟达 Vera CPU 与 Rubin GPU 集群搭建而成。
IT之家 6 月 4 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（6 月 3 日）发布博文，报道称在 2026 台北国际电脑展上， 三星展示了面向 HBM5 内存的 HPB（Heat Block Path，热阻断路径）封装散热结构。 IT之家昨日报道，三星在本次展会上展示了全球首款 HBM5 内存，最新报道则聚焦全新的 HPB 散热架构，该技术面向更高密度、更高速度的 HBM 堆栈，核心目标是降低散热压力，支撑 AI 数据中心所需的高带宽内存升级。 该媒体称三星的 HPB 散热架构在封装内部加入独立热柱。热柱可从堆叠内部带走热量，并导向封装上方或侧边的散热器。 三星把重点放在 D2D PHY（裸片到裸片物理层）区域，也就是 HBM 基底芯片与 GPU 之间的高速连接层。随着堆叠变高、速度变快，这里的温度和功耗密度快速抬升。三星称，HPB 已在 HBM4E 上完成部署和验证。 HBM4E 的首批 12 层样品已于上月出货，速率为 14Gbps，后续可扩展到 16Gbps，每堆叠带宽为 3.6TB/s。 三星还确认，HBM5 基底芯片会从 HBM4 和 HBM4E 使用的 4nm 节点，转向自家 2nm 工艺。 三星 Device Solutions 总裁兼 CTO Song Jai-hyuk 表示，AI 系统更强大且集成更密，热管理、数据处理效率和封装稳定性已与内存性能同样关键。 三星同时拥有内存业务和逻辑代工业务，因此可把 HBM5 堆叠与 2nm 基底芯片纳入自家制造体系。 SK 海力士也瞄准同一热点，但采用不同路线。 其 iHBM（集成式高带宽内存）方案把电绝缘、导热硅冷却元件嵌入 D2D PHY 层，称可较现有产品降低超过 30% 热阻 。三星选择建立热量外排通道，SK 海力士则把冷却元件放在热点处。
IT之家 6 月 4 日消息，据韩媒 the bell 当地时间 5 月 28 日报道，SK 海力士计划在大连二厂建设“200 层中段” （250 层左右） 的 FG（浮栅）结构 3D NAND 产线。 几大闪存原厂目前均在其 3D NAND 中采用 CT（电荷阱）结构，唯有 SK 海力士通过对英特尔闪存业务的收购保留了 FG NAND 生产线。SK 海力士大连一厂目前具备 192 层 FG NAND 的量产能力。 韩媒表示，SK 海力士去年完成了 200 层以上 FG NAND 的研发工作， 现在正向量产转移 。其计划 2026Q3 建设一条中试线，相关设备采购已然启动，后续目标到 2027H2 实现全面量产。 相较 CT， FG 结构更适合每单元比特数更高的 QLC NAND 闪存 。而 AI 尤其是推理工作负载对不重写入的读取密集型 SSD 有着很高的需求，这正是 QLC 的用武之地。另一方面，技术路线的延续也有利于 Solidigm 开发工作保持连贯。
SK海力士在2026年台北国际电脑展上展示了下一代HBM4E高带宽内存样品，重点面向英伟达、AMD等厂商即将推出的AI数据中心GPU平台。随着生成式和推理型AI模型规模不断膨胀，行业对更高带宽、更大容量以及更高能效的存储需求持续攀升，HBM4E被视为在HBM4基础上的再一次重大演进。 据介绍，本次展出的HBM4E单颗芯片采用32Gb芯粒，相比HBM4在裸片密度上提升约33%。在堆叠结构上，HBM4E通过12层堆叠即可实现48GB容量，而此前要达到同等容量通常需要16层堆叠，这意味着在保持容量不变的前提下，有望降低封装高度与复杂度，为系统设计留出更多余地。在性能方面，HBM4E单引脚速率最高可达16Gbps，相比HBM4提升约37%，单颗带宽可达到4TB/s，创下该类产品的带宽新高。 业内人士指出，英伟达Rubin以及AMD MI400系列等新一代AI数据中心GPU，将在今年陆续采用HBM4内存方案，而HBM4E则被视为后续产品的升级方向。SK海力士此次在展会提前展示HBM4E样品，表明其在下一阶段HBM竞争中的积极布局。该公司预计，HBM4E首先将会出现在计划于明年推出的英伟达Rubin Ultra GPU上，后续一代的产品则可能采用多GPU与HBM4E芯粒的高密度封装，以进一步拉高AI算力与内存带宽上限。 从技术演进路径看，HBM4E延续了HBM家族在带宽与能效方面的迭代思路。此前的HBM3E在36GB、12层堆叠配置下，已实现了每颗1.2TB/s级别的带宽和功耗改进，而HBM4在48GB、16层堆叠形态下进一步提高了针脚速率与总体带宽。当前公布的参数显示，HBM4E在相同48GB容量下，通过更高的单芯密度与12层堆叠设计，实现了带宽和功耗效率的同步提升，有助于在AI推理和训练等高负载场景中缓解内存瓶颈。 除了HBM产品线，SK海力士还在展会同期披露了针对AI时代的新型堆叠式NAND方案“AI-N B”。该方案借鉴HBM的通孔硅穿接（TSV）堆叠思路，将多层NAND芯片纵向堆叠，以实现“HBM级带宽、SSD级容量”的组合能力，目标是为大规模AI推理提供更高吞吐的存储系统，同时缓解当前高带宽存储供应紧张带来的产业压力。这一思路与业内其他厂商提出的HBF和Z-Angle等技术路径有一定相似之处，均试图通过三维堆叠与高速互连，弥合高带宽内存与大容量存储之间的性能与成本鸿沟。 在客户端与终端侧产品方面，SK海力士也展示了多款面向“AI PC”的新品，其中包括基于1cnm工艺的96GB LPCAMM2内存模组。该模组采用LPDDR5X标准，传输速率最高可达9.6Gbps，预计将于今年晚些时候随新一代AI PC平台一同推向市场。在固态存储领域，公司展出了V9 NAND系列，提供QLC与TLC两种颗粒形态，单颗容量最高可实现2TB，并可封装为紧凑型cSSD产品，主打小型化设计与高能效，并采用无DRAM架构以进一步优化成本与功耗表现。 总体来看，从HBM4E到堆叠式NAND，再到高密度LPCAMM2与V9 NAND SSD，SK海力士在本届台北国际电脑展上集中展示了其围绕AI数据中心与AI PC两大应用方向的完整存储布局。在AI算力与存储需求同步爆发的背景下，新一代高带宽、高密度、低功耗存储产品将成为GPU等计算芯片释放性能的关键支撑，而HBM4E样品的首次公开亮相，也被视为下一轮HBM技术竞争的重要信号。 查看评论
IT之家 6 月 3 日消息，SK 海力士今年在台北国际电脑展 COMPUTEX 上展出了 HBM4E 48GB 12Hi 样品。 这一内存应基于 12 层堆叠的 32Gb 1cnm DRAM Die， 引脚速率达到 16.0Gbps ，单堆栈带宽达到 4.0TB/s。SK 海力士宣称其 HBM4E 48GB 12Hi 实现了 38% 的带宽提升和 33% 的单 Die 容量提升。 而在客户端存储部分，SK 海力士展出了一系列 DRAM 和 NAND 产品，并确认基于 V9 TLC、主打能效的 PVF01 是其首款 DRAM-less 架构 PCIe Gen5 客户端固态硬盘 (cSSD) 。 SK 海力士的其它展品还包括用于 NVIDIA DGX Spark 的 1anm 16GB LPDDR5X-8533、支持 DLC 液冷的 PEB210 E1.S 固态硬盘、适配 NVIDIA Bluefield-4 DPU 的 PE9010 M.2 固态硬盘、面向 NVIDIA Vera Rubin 超级芯片的 1cnm 96GB LPDDR5X-9600 SOCAMM2 等。 相关阅读： 《 SK 海力士计划 2026H2 出样 HBM4E：基于 1c DRAM，2027 年量产 》
SK 集团 (SK 海力士的控股母公司) 董事长崔泰源日前也前往台北国际电脑展，在接受媒体采访时崔泰源透露，SK 海力士将在 5 年内将其内存晶圆产能翻番，不过崔泰源也重申 SK 海力士此前的预测，即人工智能驱动的内存市场短缺将会持续到 2030 年才能缓解。 短期内无法缓解内存短缺： 就 SK 海力士自身的计划时间表而言，崔泰源的承诺对缓解产能紧张的局势收效甚微，主要是晶圆厂建设周期非常长，崔泰源称新建一座晶圆厂的周期超过 5 年，从当前时间来算那确实要到 2030 年才能缓解内存短缺，因为那时候市场上的晶圆产能已经大幅度增长。 但由于土地成本、设备成本和电力价格的不断波动，晶圆厂的建设成本难以确定，所以崔泰源也无法透露建设一座新晶圆厂需要投资多少。SK 海力士现有的内存晶圆产线已经接近饱和状态，因此甚至有大型客户提出购买 SK 海力士的 EUV 光刻机并预付晶圆生产线建设费用来换取获得更多内存供应，不过崔泰源没有透露 SK 海力士最终是否与客户达成了类似的协议。 市场对 HBM 系列内存需求太高： 目前整个市场的内存供应短缺根源都是人工智能行业的快速发展导致的，人工智能行业需要海量的 HBM 系列高带宽内存用于训练和运行模型，而 HBM 系列内存所需的晶圆数量要远高于标准 DRAM，当然 HBM 内存利润率也要远高于标准 DRAM，所以整个行业的供应商都在将产品转向 HBM3 等内存。 这种情况也导致普通消费者使用的标准 DRAM 供应非常有限，直接后果就是标准 DRAM 价格以惊人的速度涨价，由此给整个产业都带来负面影响，例如智能手机和笔记本电脑开始采用更低的内存，如果不是因为内存紧缺问题，当前智能手机和笔记本电脑内存起步都应该达到 16GB。 集邦咨询发布的报告称，26Q1 内存合约价上涨 95%，26Q2 内存合约价将整体上涨 63%。DDR4 现货价格近期确实有回落，不过 DDR4 内存在 12 个月内也涨价高达 2200%，集邦咨询认为即便产能翻番，未来五年的市场前景依然不变。 查看评论
IT之家 6 月 2 日消息，据韩媒 The Elec 今晚报道，英伟达 CEO 黄仁勋对 SK 海力士的增长势头大加赞赏，并重申双方紧密合作关系。黄仁勋同时表示，英伟达希望与韩国 AI 和机器人产业展开更广泛合作。 谈到英伟达如何评估高带宽内存（HBM）供应商时，黄仁勋表示， 性能、质量、可靠性和供应能力 都是关键标准。“HBM 可能看似很简单，实际上可是极其复杂。我们与 SK 合作非常紧密，我们保持了长期关系， 我为 SK 的成功感到自豪 。SK 海力士最近成为一家市值达 1 万亿美元（IT之家注：现汇率约合 6.78 万亿元人民币）的公司。我很高兴看到 SK 海力士取得成功。” 被问及英伟达是否可能投资韩国时，黄仁勋表示，英伟达 始终在考虑投资韩国 。“韩国拥有出色的生态系统，也有许多 非常聪明、技术能力很强 的企业。韩国经济发展良好，研究团队和科学界同样如此。” 在韩国市场，机器人是黄仁勋最看重的方向之一。黄仁勋表示：“机器人对韩国非常重要。我希望英伟达能够为韩国机器人产业进步作出贡献。韩国是制造业国家。韩国人口规模或许有限，但韩国的 想象力、创造力和雄心 都非常强大。” 黄仁勋还提到，英伟达未来可能 把 GTC 开发者大会带到首尔 。“韩国是电竞、游戏和 PC 房（对应国内‘网吧’）文化的发源地之一。 如果首尔想办，我们就会在那里举办 。何乐而不为？从早期 GeForce 图形处理器时代开始，韩国对英伟达就一直具有特殊意义。” 黄仁勋也确认了访问韩国的计划。“我想感谢过去一年支持我们的所有韩国合作伙伴。我会去韩国，为下半年和明年的繁忙日程做准备。”被问到访韩期间最期待什么时，黄仁勋提到了 炸鸡、参鸡汤和烤五花肉 ，自己还计划在韩国与家人短暂度假。
IT之家 6 月 2 日消息，据韩媒 Money Today 报道，韩国 SK 集团会长崔泰源 2 日（今天）透露，旗下存储芯片企业 SK 海力士计划在 未来五年内实现晶圆产能翻倍 。 崔泰源仍认为，AI 普及引发的存储供应短缺将持续到 2030 年，同时也释放出明确信号：SK 海力士将 积极筹措资金，推进大规模设备投资 。“我们将全速推进， 在未来五年内把产能提高到两倍 。虽然会遇到很多障碍，但我们会克服。” 当被追问具体是哪一类产能时，崔泰源进一步确认：“产能扩张指的是整体晶圆产能。我们会把晶圆产能提高到两倍。” 崔泰源还预告，SK 海力士 将投入大规模资金 。“我们还没有提前算出整体设备投资额，但只要有需要，我们就会筹措一切必要资源。设备、建设、土地、水、电等所有成本都在上涨，但我们必须生产，最终也会做到。” 崔泰源认为，即便进入 AI 时代， 存储供应短缺也不会很快缓解 。“我们仍然认为，存储瓶颈会持续到 2030 年。缓存需求越大，存储需求就越大。所有人都在向 AI 数据中心投入巨额资金。黄仁勋发布的新 AI PC 同样需要大容量存储，因此不仅 AI 服务器会推高存储需求，AI PC 的普及也会进一步拉动需求。” 崔泰源也坦言，扩大供应并不容易。AI 工厂和 AI 数据中心面临许多瓶颈，只有同时确保 资金、能源、GPU、存储芯片 等全部要素，建设才可能真正落地。“存储晶圆厂也是一样。大规模投资、电力、设备和水都不可或缺，所以绝不是一件容易的事。” 崔泰源特别提到，新建生产设施需要很长时间，这是扩产面临的主要限制之一。“建设一座新晶圆厂需要 相当长的前置时间 。现在新建一座晶圆厂至少需要三年；如果从绿地项目开始，则需要五年以上。” 上周，SK 海力士市值 首次突破 1 万亿美元 （IT之家注：现汇率约合 6.78 万亿元人民币）。在 AI 热潮推动的上涨行情中，SK 海力士与三星电子、美光科技一道跨过这一门槛。
IT之家 6 月 2 日消息，长江存储（YMTC）旗下零售存储品牌“致态”今日宣布启动 亚太市场布局 ，在今年 COMPUTEX 2026 台北国际电脑展期间，首次携三款新一代 SSD 亮相，包括 TiPro9000、TiPlus9100 与 TiPlus7100s。 TiPro9000 是致态首款旗舰级 PCIe 5.0 SSD，最高读取速度可达 14,900MB/s，还配备可拆卸式散热片，采用单面颗粒设计。 TiPlus9100 则是 TiPlus 系列首款 PCIe 5.0 SSD，读取速度可达 12,000MB/s，同样采用单面 PCB 设计。 同步展出的 TiPlus7100s 则是致态 PCIe 4.0 系列的主力 SSD，最高连续读取速度可达 7,400MB/s。 IT之家注意到，致态还与华硕合作， 即将推出吹雪联名版 TiPro9000 固态硬盘 。 长江存储零售业务负责人范增绪表示，亚太市场正在成为高性能存储需求持续升级的重要区域之一。随着 AI 应用、内容创作、游戏娱乐与高性能 PC 场景快速发展，消费者对 SSD 的需求已不再局限于容量，而是更加关注速度、稳定性、可靠性与长期使用体验。 致态将以 2026 台北国际电脑展为起点， 接下来将陆续布局韩国、新加坡等亚太市场 。
IT之家 6 月 2 日消息，据台媒 Digitimes 今日报道，英伟达 CEO 黄仁勋在媒体记者招待会上发表了多个观点。 对于昨日推出的 Vera CPU ，黄仁勋表示 Vera CPU 是为智能体而非人类设计的。黄仁勋表示，它开辟了一个前所未有的市场。 英伟达还推出 RTX Spark 电脑芯片进军 PC 市场 。黄仁勋表示， 英伟达将扩大其面向 PC 产品线的 AI 芯片 。RTX Spark 不只是新一代 AIPC 硬件，更是面向智能体 AI 时代设计的全新计算平台，产品定位聚焦三点：智能体 AI 终端、Windows AI PC 全新架构、云边一体化统一 AI 算力平台。 黄仁勋还表示，公司将在可能的情况下 尽可能使用现成的 ARM 技术，而非定制 CPU 内核 。 黄仁勋认为，智能体 AI 将全面重塑各类 AI 应用，是未来十年最重要的算力变革。该技术并非单一产品迭代，而是能够打通云端、边缘计算与物理世界的一体化 AI 平台，也是英伟达着力落地的新一代 AI 发展蓝图。在他的预判中，工程师、科研人员、影像科医生、自动驾驶系统乃至人形机器人，未来都将依托同一套智能体 AI 架构获得赋能。谈及实体机器人与硬件智能化，黄仁勋提到，行业当下关键突破是实现智能体推理能力落地物理场景。 黄仁勋坦言，英伟达目前仍面临供应瓶颈，我们拥有充足的供应来满足 CPU 和 CPU+GPU 领域强劲增长的需要， 但目前的供应仍显紧张 。 对于此前三星电子和 SK 海力士因员工奖金过高而受到批评，黄仁勋认为公司“ 应该尽可能多地奖励员工 ”，称“评论其他公司的薪酬制度是不合适的”，并引用了英伟达自己的做法。 “我确实尽力给员工支付尽可能高的薪水，”他说。“但这并不一定意味着我的方法就是正确的。” 据IT之家此前报道，受人工智能带动半导体行业景气高涨、企业利润大幅飙升影响，三星和 SK 海力士均给出了员工丰厚奖金。 据《朝鲜日报》报道， 三星与 SK 海力士的员工纷纷放弃海外进修项目 ，转而选择领取奖金。与此同时，他们在婚恋交友平台上的相亲择偶评分也随之水涨船高。
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IT之家 6 月 1 日消息，SK 海力士韩国清州工厂于当地时间 6 月 1 日上午 10 时 32 分左右突发火情，火势在起火后随即被扑灭。现场出现少量有毒气体泄漏，工厂随即组织员工疏散并送至厂区医疗中心，相关举措均为依照公司安全规程采取的预防性措施，半导体核心生产线未受到任何影响。 据IT之家了解，此次火情发生地点位于 SK 海力士清州第四厂区 M15 与 M15X 晶圆厂相连的六楼气体机房。火灾发生后，厂区自动喷淋系统正常启动，明火瞬间被控制。SK 海力士迅速开展处置工作，一边开展初期灭火作业，一边第一时间通报相关主管部门。 本次事故未出现人员伤亡，半导体生产也未受到干扰，两大最受关注的风险均得以规避。SK 海力士明确表示：“设备运行一切正常，生产并未中断。” 此前报道中提及的 7 名相关人员，经检查均无大碍。SK 海力士相关负责人称：“我们按照安全预案，将事发时身处现场附近的员工送至厂区医疗中心接受检查，这属于前置防护措施。截至目前，所有员工均未出现不适症状，身体检查结果也全部正常。” 火灾过程中有少量氟气泄漏，工厂当即组织约 3600 名全体人员撤离至安全区域。 SK 海力士已启用环境净化设备开展现场防灾处置工作，于当地时间 13 时 38 分左右完成残留气体清除工作，经确认无异常情况后，重新开放全部工厂建筑，并宣布事件处置结束。 SK 海力士方面表示，目前公司正在调查事故发生的确切原因。
news.qq.com – 1 Jun 26 SK海力士韩国芯片工厂气体泄漏，3600人紧急疏散、6人受伤_腾讯新闻 SK海力士位于韩国清州的芯片工厂发生火灾并引发氢氟酸泄漏，数千名员工被紧急疏散，事故对生产运营的潜在冲击引发外界关注。据路透社援引韩联社报道，事故发生于当地时间6月1日上午10时32分，起火点位于清州第四园区M15与M15X工厂之间连接区域六楼的气体室。火势在喷淋系统启动后迅速得到控制，但过程中部分氢氟酸气体外泄... 内存这是本来想着降价的是么，这个着火看起来如此的熟悉，此时此刻，恰如彼时彼刻啊。 11 个帖子 - 10 位参与者 阅读完整话题