IT之家 6 月 1 日消息，据央视新闻今日报道，记者从中国铁路哈尔滨局了解到，我国在建纬度最高的高速铁路 哈尔滨至伊春高铁 迎来重要节点。6 月 1 日 7 时 25 分，在黑龙江省哈尔滨站内，一列 CRH5 型测试动车组驶向伊春西站，这是哈伊高铁自 5 月 30 日启动联调联试以来开行的 首趟动车组测试列车 。 报道称，哈伊高铁是我国 “八纵八横”高铁网 京哈-京港澳通道的延长线，也是黑龙江省境内连接省会哈尔滨与“林都”伊春的重要交通干线。线路起自哈尔滨市，途经绥化市，终至伊春市，由于全线地处多年冻土区，建设过程中克服了地质条件复杂、高纬度冬季低温等困难， 为未来我国在更高纬度地区建设高铁积累了宝贵经验 。 据悉，哈伊高铁通车后， 哈尔滨至伊春的旅客列车运行时间将由 7 小时压缩至 2 小时以内。 IT之家查询获悉，哈伊高铁全长 318 公里，线路起自哈尔滨市，途经绥化市，终至伊春市，设计时速 250 公里，全线设哈尔滨、哈尔滨北、呼兰北、兴隆镇西、绥化南、庆安南、铁力、 日月峡 、伊春西 9 座车站，其中铁力站为改建车站。
IT之家 5 月 10 日消息，赛力斯集团执行董事、副总裁康波今日分享了重庆广电第一眼采访赛力斯动力工厂的视频。 康波表示，赛力斯动力与合作伙伴共建智能生产线， 行业首创“同线共营”模式 。前后段分工合装， 响应时间从原来的两天缩至小时级 ，真正构建起“1+1＞2”的产业共同体。 IT之家查询获悉，赛力斯动力长寿工厂长期专注增程动力系统，一汽铸锻则是其上游毛坯供应商，双方原本是单纯的“买卖关系”。而这条“融合线”是赛力斯动力长寿工厂与中国一汽旗下一汽铸锻各出资 50%、共同投资建设并联合运营的动力总成生产线。 这也是国内汽车行业首次出现“一条生产线、两家共同运营”的深度融合制造模式。任务通过系统同步下达，两边的员工穿插作业，毛坯件经过加工后直接流向下一道装配工序， 实现了从毛坯到成品的“一站直达” 。 值得一提的是， 去年 6 月，宁德时代在赛力斯超级工厂的两条 CTP 2.0 高端电池包产线正式投产 。这是宁德时代在重庆布局的首个基地， 并首次采用“厂中厂”合作模式 ，为问界系列车型本地化生产供应动力电池系统。 相关阅读： 《 宁德时代 CTP 2.0 高端电池包产线在赛力斯超级工厂投产，采用“厂中厂”模式供应问界系列车型 》
IT之家 4 月 30 日消息，在北美技术研讨会上，台积电更新公布 SoIC 3D 堆叠技术路线图，明确了未来几年的技术演进方向。 台积电计划缩小现有的 6μm 互连间距，目标到 2029 年缩小至 4.5μm。 IT之家注：SoIC 全称 System on Integrated Chips，是台积电开发的 3D IC 封装技术，通过垂直堆叠多个芯片实现高性能、高密度的集成。 相比传统封装，SoIC 利用混合键合技术实现芯片间的直接互连，大幅缩短信号路径，降低功耗与延迟，适用于高性能计算与 AI 芯片。 在技术路径上，SoIC 主要分为 Face-to-Back（F2B，背对背）和 Face-to-Face（F2F，面对面）两种堆叠方式。F2B 堆叠受限于物理结构，信号必须穿过底部的硅通孔（TSV）和多层金属，不仅增加延迟和功耗，还限制了互连密度。 数据显示，F2B 设计的信号密度仅为 1500 个 / mm²。相比之下，F2F 堆叠通过混合铜键合技术直接连接两块芯片的金属层，无需使用 TSV，信号密度大幅提升至 14000 个 / mm²，让芯片间的通信性能接近片内互连水平。 从纯粹的互连间距来看，台积电在 2023 年实现了相当精细的 9µm 间距，足以支持 AMD Instinct MI300 系列等产品，但第一代 SoIC 仅支持 F2B 设计。台积电在 2025 年把互连间距缩短到 6μm，并预估到 2029 年间距将缩小至 4.5µm。 以上图源：台积电 富士通的 Monaka 处理器是该技术的首个重量级应用。这款面向数据中心的 CPU 拥有 144 个 Armv9 核心，其计算模块采用台积电 N2 工艺制造，并通过 F2F 方式堆叠在 N5 工艺的 SRAM 芯片之上。
IT之家 4 月 24 日消息， 博主 @i冰宇宙 在 X 平台发文，透露三星 Galaxy Z Fold8 折叠屏手机将大幅缩小外屏摄像头打孔，从 Fold7 的 3.7mm 直径缩至 2.5mm。 ▲ Fold7 ▲ Fold8 对此，外媒 sammyguru 认为三星 Galaxy Z Fold8 的外屏摄像头规格预计将保持不变，作为比较， 三星 Galaxy Z Fold7 折叠屏手机外屏采用 10MP 传感器 1/3 英寸传感器，匹配 F/2.2 光圈镜头。 另参考先前消息，三星 Galaxy Z Fold8 手机保留了硬朗的直角边框与平直侧边，将继续采用 8 英寸内屏与 6.5 英寸外屏的组合， 沿用 M13 基材 OLED 面板， 并有望迎来 全新铰链，还将升级支持 45W 有线充电。
IT之家 4 月 18 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（4 月 17 日）发布博文，报道称三星电子为应对 AI 市场需求激增，并匹配英伟达等主要客户每年推出新 AI 加速器的节奏， 将高带宽内存（HBM）开发周期从 2 年大幅缩短至 1 年。 消息称三星电子战略调整高带宽内存（HBM）业务，为确保每年都能推出新一代 HBM 标准，放弃沿用多年的 2 年产品迭代周期，转而采用 1 年开发周期。 IT之家注：HBM 是 AI 加速器的核心组件，三星作为该领域的关键供应商，目前最新产品为 HBM3E，下一代 HBM4 预计今年随英伟达 Vera Rubin 及 AMD Instinct MI400 平台一同推出。 行业分析师认为，1 年周期能帮助三星在与美光、SK 海力士的竞争中巩固技术优势，避免在快速迭代的 AI 内存市场掉队。 同时，这也将助力三星在未来的定制化 HBM5 市场获得领先地位，满足全球科技巨头缩短开发周期、优化供应链的需求。 缩短开发周期的关键，在于三星公司的全产业链掌控能力，为加速迭代提供了坚实基础，内部完成从基础裸片生产、内存堆叠到封装的全流程，并已拥有适配其 HBM 业务的理想基础裸片解决方案。
美国得克萨斯大学奥斯汀分校研究团队开发出一种桌面级极紫外（EUV）光刻装置，并结合新型三维纳米打印技术，将原本需要数天完成的加工过程压缩至数分钟，进一步降低了半导体芯片制造门槛。研究团队表示，除芯片制造外，该技术还有望应用于纳米药物、量子计算和新材料合成等领域。相关研究发表于新一期《纳米快报》。（科技日报）