据业内消息，SK hynix 已完成其 375 层 NAND 闪存产品的验证工作，预计将在 2026 年底前正式在现有工厂中投入量产，以满足不断增长的存储容量需求。 这些工厂目前主要生产的是 321 层 V9 NAND 闪存，未来将通过工艺转换来支持更高层数的堆叠解决方案。 在 NAND 闪存堆叠层数的竞赛中，SK hynix 与三星正展开激烈比拼。 三星此前已透露将通过双堆叠方案将 V-NAND 层数推升至 400 层以上，并已展示最高可达 900 层、并以 1000 层为目标的技术路线图，而 SK hynix 则选择以 375 层产品作为阶段性节点切入量产。 据了解，SK hynix 内部最初将这一代产品定位为“400 层级” NAND，但在实际工艺开发过程中，由于在同一芯片内堆叠过多层数时遇到严重的工艺与信号传输难题，最终将设计修正为 375 层。 行业人士透露，原本规划中的 400 层级产品被调整为 375 层，而后续路线图则延伸至 480 层和 604 层等更高堆叠的产品节点。 要继续向 480 层、604 层等更高堆叠迈进，单靠现有材料体系已经难以为继。 报道指出，SK hynix 需要在关键导电材料上进行重大调整，逐步放弃目前普遍采用的钨（Tungsten）薄膜，转而采用钼（Molybdenum）作为新的互连材料，以应对高层数堆叠带来的电阻与信号完整性挑战。 在高层数 3D NAND 结构中，随着垂直方向导线和通道尺寸不断缩小，钨的电阻难以控制，信号传输损耗和延迟问题愈发突出，成为继续增加堆叠层数的“材料天花板”。 与之相比，钼在高电阻环境下具有更优的性能表现，能够在更窄的布线条件下保持较好的导通特性，因此被视为突破高层堆叠限制的关键材料之一。 三星已经在其部分 NAND 工艺中率先导入钼材料，并计划在今年进一步优化其 V-NAND 生产流程，推出首批 400 层级产品，以巩固其在高端存储市场的领先地位。 SK hynix 则将在跟进更高层数产品时同步完成从钨到钼的材料切换，以缩小与竞争对手在技术路线上的差距。 随着 AI、云计算、高性能终端与企业级数据中心对存储容量和性能需求持续攀升，3D NAND 层数的不断提升被视为提升单颗芯片比特密度、降低单位存储成本的关键方向。 然而，这也意味着晶圆厂需要投入更多资金采购新材料、升级设备与转换产线，以支撑更高复杂度的堆叠与加工流程。 以钼为例，其需求量在近几年显著增长，已成为 NAND 供应链中的重要原材料之一。 报道称，三星去年采购了约 4 吨钼，今年迄今为止的采购量已增至约 10 吨，而随着 SK hynix 等厂商导入钼，预计今年其用量也将达到约 4 吨。 产业机构预测，随着 400 层级及更高层数 NAND 进入量产阶段，钼的市场需求将快速攀升：到 2027 年预计将达到 25 吨，2028 年增至 40 吨，2029 年约为 60 吨，并在 2030 年左右进一步攀升至 80 吨规模。 在这一过程中，材料供应、成本控制与技术迭代将共同决定 NAND 厂商在高层堆叠时代的竞争格局。 对于 SK hynix 而言，375 层 NAND 的量产不仅是对其工艺能力的阶段性验证，也是向 480 层、604 层乃至更高层数演进的技术跳板。 如何在保持良率与成本之间取得平衡，同时顺利完成从钨到钼等关键材料的迁移，将直接影响其在与三星等竞争对手的角逐中能否占据有利位置。 查看评论
IT之家 6 月 8 日消息，Other World Computing (OWC) 今年 5 月的时候曾宣布了一款名为 OWC Stack AI 的雷电 5“AI 加速器”与外置存储解决方案，不过当时并未对其技术原理进行深入介绍。 而在 COMPUTEX 2026 台北国际电脑展上，Stack AI 现身 OWC 展位。该产品的展牌确认其基于群联 aiDAPTIV 方案，是 一种利用雷电 5 接口的外置式 AI 内存 NAND 扩充方案 。 群联 aiDAPTIV 可将闪存纳入系统有效内存中，将部分 AI 内存需求卸载到高耐久性 SSD 上，降低 AI 对 DRAM 的依赖，让大型 AI 智能体可在本地上运行。此前的 aiDAPTIV 多为内置型，而 OWC Stack AI 则是外置版本， 部署更为灵活 。
IT之家 6 月 4 日消息，在消费端 3D NAND 闪存需求旺盛而供应不足的背景下，SSD 价格在 2026 年第一季度创下历史新高。与此同时，慧荣科技（Silicon Motion）实现了 SSD 主控业务的营收增长，尤其是高端型号销售表现强劲。 在 2026 台北电脑展上，慧荣客户端业务部门资深副总 Nelson Duann 在接受 Tom's Hardware 采访时透露，尽管公司对数据中心领域的需求抱有信心，但消费端供需失衡的状况预计将进一步恶化。 我们的高端控制器卖得非常好，包括 PCIe 4.0 和 PCIe 5.0 控制器、UFS 3.1 和 eMMC 4.1。但低端部分业务因消费需求下滑而承压。由于高端控制器的均价更高，这弥补了低端控制器销量下滑的影响。所以我们的营收势头仍在向上。 财务数据印证了这一趋势。慧荣科技第一季度销售额达 3.421 亿美元（IT之家注：现汇率约合 23.22 亿元人民币），环比增长 23%，同比增长 105%，其中 SSD 控制器销售额同比增长 40% 至 45%。公司成功实现了消费级和企业级控制器销售额的双双攀升，在企业级方面，受益于数据中心领域的强劲需求，其 PCIe 5.0 SSD 控制器出货量显著提升。 但围绕客户端应用的焦点问题在于，NAND 闪存供应紧张的局面短期内能否缓解。对此，Duann 给出了明确且悲观的判断。 对于今年下半年，我预计情况基本保持不变，供应仍将非常紧张，2027 年将成为（NAND 供应方面）最糟糕的一年。展望明年，NAND 制造商们非常悲观。他们告诉我们，由于云服务提供商和数据中心运营商持续增加需求，供应状况只会变得更加糟糕。因此，NAND 供应商别无选择，只能将供货重点放在数据中心市场。 这并不意味着主流 NAND 制造商将完全不向消费级应用供应闪存，新产品仍会发布和出货，但这一侧供需差距预计在 2027 年将进一步拉大。 Duann 补充说：“他们仍希望为消费类产品保留部分供应，例如客户端设备，以及份额较小的车载应用，但这些分配量不足以改变整体局面。” 对消费者而言这显然不是好消息，但对于慧荣科技这类公司来说情况可能并不算太坏。SSD 制造商可能会通过降低单盘容量来满足出货量需求，这意味着他们仍会采购 SSD 控制器，在某些情况下甚至会加大控制器采购量。 相关阅读： 《 TrendForce：主要 NAND 原厂 2026 年几无新增产能，供给短缺预计持续全年 》 《 闪迪韩国：向消费级应用分配的 NAND 闪存供应量将保持不变 》 《 慧荣科技总经理苟嘉章预警：NAND 闪存缺货潮或延续至 2028 年 》
在新一轮 AI 浪潮推动下，全球 NAND 闪存市场在 2026 年第一季度迎来爆炸式增长，行业收入同比飙升 3.5 倍，单季创下约 460 亿美元的历史纪录，但与此同时，传统 PC 市场则在高成本与需求转移中承受明显压力。 市场研究机构 Counterpoint Research 最新报告显示，截至 2026 年一季度，全球 NAND 市场收入已较去年同期增长 3.5 倍，单季规模达 460 亿美元，这一数字甚至超过了 2023 年全年 NAND 收入总和，凸显出当前存储市场在 AI 拉动下的景气程度。 本轮增长的核心动力来自 Agentic AI 应用热潮，大规模数据中心部署快速扩张，单个集群往往需要容纳数百 PB 级别数据，直接推高了高容量 NAND 存储的需求。 从结构上看，企业级需求已成为 NAND 市场的绝对主力。统计显示，企业级（主要为数据中心与云服务）在 2026 年第一季度约占 NAND 总需求的 43%，并被看好在今年年底前突破 60%，进一步强化该领域对供需与价格的主导权。 与此同时，AI 相关需求持续拉动 NAND 合同与现货价格上行，使得供应商季度营收持续抬升。 在厂商格局方面，三星依旧稳居 NAND 市场龙头位置，市占率约 29%，其后分别是 SK 海力士与铠侠（Kioxia），后两者合计收入份额也维持在较高水平。 美光（Micron）与 SanDisk 的收入占比则约在 13% 左右，但其优势正在受到来自中国厂商的强力冲击。 最受关注的是中国 NAND 制造商长江存储（YMTC）的快速崛起。最新数据显示，YMTC 在 2026 年一季度的全球 NAND 市场份额已攀升至约 13%，同比增幅高达 246%，显著缩小了与 SanDisk 与 Micron 等国际厂商之间的差距。 从收入划分趋势来看，长江存储的扩张一定程度上是从三星、SK 海力士与铠侠手中“抢”来了部分市场份额，反映出其在高层数堆叠 NAND 等关键技术上的量产能力正在迅速提升。 在终端存储产品领域，三星仍是全球 SSD 市场的核心力量。报道指出，三星在全球 SSD 市场维持着明显领先优势，其后是 SK 海力士，而铠侠、美光与 SanDisk 则处于第二梯队位置。 尽管终端 PC 市场承压，但由于数据中心、企业级存储以及 AI 训练与推理平台持续扩容，整体 NAND 与 SSD 需求并未受宏观下行直接拖累。 值得注意的是，长江存储正在筹备登陆中国资本市场，计划在本土证券交易所进行首次公开募股（IPO），以进一步扩充资本实力。 该公司与中国 DRAM 制造商 CXMT（长鑫存储）共同推进所谓的“史诗级扩产”计划，两者均计划新建或扩建多座晶圆厂，以实现当前产能的倍增，目标是在未来数年内显著提高国内在存储产业链中的自给率与全球话语权。 与 DRAM 和 NAND 业务迎来 AI 周期红利不同，传统 PC 市场的表现则明显低迷。调研机构 IDC 预计，2026 年全球传统 PC 出货量将下滑约 11.3%，并在 2027 年继续保持疲软态势，要到 2028–2029 年才有望出现恢复迹象，真正回到较为健康的出货水平则可能要等到 2030 年。 按出货量测算，2026 年全球 PC 出货预计将降至约 2.6 亿台，相比上一年 2.9 亿多台存在明显差距。 业内观点认为，PC 市场的压力来自多重因素。一方面，伴随 AI 相关需求推高 DRAM 与 NAND 价格，整机制造成本大幅上升，终端售价抬高后抑制了消费与传统商用采购需求。 另一方面，大量预算被转向云端与数据中心建设，企业对传统 PC 的更新周期明显拉长，使得 PC 出货难以短期内恢复到疫情期间的高基数水平。 尽管整体 PC 市场承压，业内仍在积极寻找新的增长点。苹果推出的 MacBook Neo 被视为新一代 AI PC 的代表之一，其采用自研芯片和一体化平台，在能效与性能体验上形成差异化竞争力。 为应对这一趋势，英特尔也推动了 Wildcat Lake 等新平台落地，部分机型如戴尔 XPS 13 等定位为 MacBook Neo 的直接竞品，尝试以更低价格提供相对接近的体验，以争夺中高端轻薄本市场。 在入门与中低价位段，高通正通过 Snapdragon C 系列平台切入笔电市场。相关产品主打“全天续航”“更低整机成本”的卖点，目标价位段大致在 300 美元左右，试图在当前 PC 整机价格普遍上扬的环境中，提供相对亲民的 AI PC 选择。 不过，从整个供应链角度来看，真正意义上的成本回落可能要到新建 DRAM 与 NAND 产线正式量产之后，而这一时间窗口被普遍预期在 2029–2030 年左右，因此短期内 PC 终端价格压力仍难明显缓解。 综合来看，新一轮 AI 周期正在重塑信息产业的收入结构与产业重心。一端是以 Agentic AI 为代表的高性能计算与数据中心业务，持续推高 NAND 与 DRAM 价格，带动存储厂商单季收入屡创新高；另一端则是成本上升与需求转移下的传统 PC 市场，在数年内很难重现疫情期间的出货高峰。 随着中国厂商加速扩产、国际巨头加码 AI 存储布局以及新一代 AI PC 平台不断涌现，未来数年内，全球存储与 PC 行业之间的此消彼长格局很可能还将持续上演。 查看评论
IT之家 6 月 3 日消息，KIOXIA（铠侠）当地时间昨日举行了 2026 年投资者日活动。 该企业宣布将在今年夏天出样 BiCS10 1Tb TLC NAND ，这一闪存将用于下代支持 PCIe Gen6 的 CM 系列企业级固态硬盘中。 BiCS10 采用 332 层设计，堆叠层数低于部分竞争对手。铠侠在解释产品设计时表示， 当前已无法仅通过提升堆叠改善 3D NAND 的成本结构 ，更高堆叠意味着工艺复杂性和制造成本的上升，此外高堆叠还不利于能效和可靠性表现。 铠侠表示，332L BiCS10 与其推测的 400L 产品相比实现了 10% 的成本降低、10% 的能效提升、35% 的可靠性优势。 在企业层面，铠侠预测 NAND 市场的整体出货容量在 2026~2028 年实现 22% 的 CAGR，其中数据中心领域的复合年均增长率达到 46%，而 AI 推理这一细分领域的增速将达到 86%；另一方面， PC、智能手机领域的需求则将持平或小幅下降 。 此外，铠侠认为当前已是 NAND 市场供需失衡最为严重的时刻，未来将逐步改进，但 到 2027 年底前供小于求的基本面不会改变 。 在此背景下，铠侠 正专注于数据中心和企业业务 ，目标将该细分领域对整体营收的贡献比例提升到 60% 以上，通过高附加值产品推动盈利能力的提升；而 PC、智能手机端收入规模则将保持稳定。 铠侠 2026~2028 财年的 平均资本支出与研发支出都将较 2025 财年水平增长 60% 以上 。该企业将快速推进制程升级，目标实现每年约 10% 的前端单位容量成本降低。 IT之家了解到，铠侠表示 已就北上市生产基地的进一步扩建进行评估 ，目标在 2029 财年后投产。
IT之家 6 月 3 日消息，市场调查机构 CounterPoint Research 今天（6 月 3 日）发布博文，报告称在 AI 基础设施需求增长推动下， 2026 年第 1 季度全球 NAND 闪存市场营收达到 460 亿美元，同比增至 3.5 倍，环比增长接近翻倍。 该机构指出全球 NAND 闪存涨势基本呼应 DRAM 价格，面向服务器的 eSSD（企业级固态硬盘）成为主要需求来源。 该机构指出 2026 年第 1 季度 eSSD 占 NAND 市场总额的 43%，并预计年底将超过 60%。 竞争格局方面，三星继续稳居第 1，拿下 29% 市场份额。SK 海力士位居其后，且统计口径包含 Solidigm。铠侠、美光、闪迪和长江存储之间差距较小，第 3 名竞争更趋激烈。 长江存储是本轮增长中的突出厂商。受中国本土厂商需求强劲、供应短缺带来的涨价影响，其营收同比增长接近 445%，市场份额从 1 年前的 8% 升至本季度 13%，正在缩小与闪迪、美光的差距。 IT之家附上参考地址 Global NAND Memory Market Surges to a Record $46B in Q1 2026 as AI Demand Drives Massive Growth
IT之家 5 月 29 日消息，群晖 (Synology) 本月 27 日宣布推出 FlashStation FS200T。这款桌面型全闪存储服务器 基于英特尔赛扬 J4125 处理器 ， 提供 6 个 2.5" SATA 盘位 。 FS200T 三维 121×151×175 (mm)， 拥有 1 个 2.5GbE RJ45 和 1 个 1GbE RJ45 。其内置 4GB DDR4 内存，提供 2 个 USB 5Gbps 接口，内置 80mm 风扇，工作温度范围 0~40°C。 群晖表示，小巧的设计使 FS200T 能完美融入家庭及小型办公空间，双网口则提供了故障移转能力。其搭载 DSM 操作系统，可满足多样化的数据管理需求，提供 Synology Drive 私有云、Active Backup Suite 备份等功能。
IT之家 5 月 28 日消息，NAND 闪存与企业级固态硬盘供应商 Solidigm（思得）美国当地时间 27 日宣布 任命郭炘和 Richard Chin 为新任联席 CEO 。 郭炘于今年三月履职，将主导 Solidigm 在技术和工程领域的全球业务战略制定和执行。Chin 于 5 月 1 日就任，他将围绕提升公司业绩、拓展核心能力、优化业务流程和推动业务拓展等方向展开工作。 郭炘（左）、Richard Chin（右） 郭炘曾担任 Solidigm 代理联席 CEO 兼数据中心工程部负责人，此前曾在 Intel（英特尔）、Numonyx（恒忆）、Spansion（飞索）等公司担任核心领导职务，主导推进 NAND 闪存及 SSD 系统的技术发展。 Chin 则为 Solidigm 注入了其在 SK 集团的丰富经验。在 SK 集团任职期间，他曾创建了 SK 电讯的首个风险投资部门，主导了海力士半导体并入 SK 集团后的商业整合工作，并出任 SK 海力士首席销售与营销官。 郭炘表示： AI 正在驱动全球数据的指数级增长，这也让存储产品的选择变得愈发重要。作为 AI 基础设施企业级存储领域的领导者，Solidigm 正迎来强劲的业务增长。我和 Richard 非常高兴能与 Solidigm 全体同仁携手，共同帮助公司在技术创新和业务增长上迈向更高水平。 Chin 表示： AI 的爆发将存储技术推向了战略资产的全新高度，这也为 Solidigm 的发展带来了巨大机遇。我将与郭炘及整个团队紧密协作，积极优化战略布局、深耕核心业务，以更敏捷的姿态满足客户需求，为公司的发展开拓更广阔的天地。
IT之家 5 月 25 日消息，据韩媒当地时间今日报道，三星电子近期利用单元多层键合 (CMB) 技术连接两片 450 层 3D NAND， 构建了全球首个 900 层超高堆叠 3D NAND 闪存原型 ，这一样品的存储单元工作特性已得到验证。 ▲ 三星电子 V9 QLC 将两片 450 层 NAND“摩天大楼”整合为一片 900 层 NAND，这一过程对键合的可靠性提出了非常高要求。 三星电子在原型制造中以“上部卡盘”(Upper Chuck) 解决了晶圆翘曲问题，并以新型套刻校正技术克服了微细对准误差，此外位线 (BL) 与字线 (WL) 的改进也同时改进了功耗和尺寸。
IT之家 5 月 23 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日报道称， 业内消息人士指出 KIOXIA（铠侠）计划在 2027 年量产第十代 BiCS FLASH 产品 ，相关投资细节待到 2026H2 会更为明朗。这一时点晚于 此前曝光的 2026 年量产计划 。 铠侠在 BiCS8 世代引入了 CBA（IT之家注：CMOS 直接键合到存储阵列）架构，解耦了 NAND 中存储单元和外围电路的制造。该企业基于现有存储单元技术和最新 CMOS 技术的 BiCS9 产品已于去年出样。 而 BiCS10 则将存储单元的堆叠层数提升到 332 层 ，以满足未来市场对更大容量、更高性能解决方案的需求。该闪存支持 4.8Gbps 的 I/O 接口速率，位密度相较现有的 BiCS8 提升 59%。
IT之家 5 月 22 日消息，Other World Computing (OWC) 美国当地时间昨日宣布了一款名为 OWC Stack AI 的雷电 5 AI 加速器和存储中心，这一产品将于 COMPUTEX 2026 台北国际电脑展上首次实物亮相并于 2026Q4 发售。 OWC 称 Stack AI 可通过扩展现有 PC 的有效可用 AI 工作内存，为本地设备解锁运行更大参数规模模型的可能性。具体来说，其 通过高速闪存扩展 GPU 的工作内存 ，让内存需求超越板载显存容量的 AI 负载也能完整本地运行。 从描述上来看，Stack AI 采用了类似群联 aiDAPTIV+ 的解决方案，具体实施方式尚待官方后续的进一步介绍。 除 1 个支持 60W 输出的雷电 5 上行接口外，OWC Stack AI 还提供了 3 个雷电 5 下行接口和 3 个 USB-A 10Gbps。
IT之家 5 月 22 日消息，随着太空任务日益频繁，所需要的航天器也必须越来越多地依赖自身完成数据处理和存储。为了支撑太空 AI 系统，对应的存储器也需要在极端恶劣的环境中保持稳定。 传统的 NAND 闪存 —— 与智能手机、笔记本电脑和数据中心所用技术相同 —— 是目前太空中大容量数据存储的最先进方案，存储容量可达太比特级别。然而，太空中的辐射会严重降低其性能，甚至导致数据丢失。 为此，乔治亚理工学院的科研人员开发出了一种基于铁电材料打造的 NAND 闪存，其耐辐射能力是传统 NAND 的 30 倍。相关研究成果已于发表在《Nano Letters》上。 铁电性是指某些材料保持永久自发极化电荷的能力。这种极化方式与传统 NAND 存储数据的机制不同，而这一差异在辐射环境下至关重要。 乔治亚理工学院电气与计算机工程学院副教授 Asif Khan 表示：“如果把传统闪存送入太空，辐射与闪存中俘获电荷的相互作用很容易损坏数据。相比之下，铁电 NAND 闪存并不以俘获电荷的形式存储数据，而是以材料中的极化状态来存储，而极化对辐射效应具有很强的抵抗力。” 实现这一突破的关键材料是氧化铪。这种可与硅兼容的化合物在 15 年前首次被发现具有铁电性。Khan 的实验室在过去十年中一直在探索其性能。即便如此，新型架构展现出的辐射耐受程度仍令团队感到惊讶。 该论文第一作者、电气与计算机工程博士生 Lance Fernandes 在洁净室中制造出了铁电 NAND 芯片，随后送往宾夕法尼亚州立大学的合作者处进行辐射测试。 测试表明，这些芯片可承受高达 100 万拉德（辐射吸收剂量）—— 相当于 1 亿次 X 光胸透的辐射量。这一数值覆盖了航天器可能遇到的全部辐射范围：近地轨道卫星需要耐受 5000 至 30000 拉德；地球静止轨道需要 10 万至 30 万拉德；而深空任务的辐射上限则达到 100 万拉德。 Fernandes 对此表示：“对于太空中的数据存储而言，存储器仅仅能工作是不够的。它必须在极端辐射下保持可靠。”Khan 补充道：“铁电 NAND 闪存不仅耐辐射，而且在极其恶劣的辐射环境中依然能够保持可靠。这正是我们太空任务所需要的。” IT之家附论文地址： https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.5c05947 ?
IT之家 5 月 19 日消息，闪迪 (Sandisk) 韩国今日在首尔举行了 SANDISK Optimus 系列固态硬盘和 2026 世界杯联名产品发布会。 根据韩媒 ETNEWS 报道，闪迪韩国负责人 심영철 在活动上表示： 虽然 闪迪每年都以相同的规模向消费者供应产品 ，但我们认为，由于其他厂商的产品逐渐退出市场，导致供应短缺，从而推高了 NAND 闪存的价格。 为此，消费者的购买模式也在发生变化，他们正通过降低平时购买的内存容量来应对这一情况。 同一份报道中还提到“闪迪虽然也会优先将产能分配给企业客户， 但通常会预留 10% 至 20% 的晶圆用于消费级产品 。” 目前来看，尽管消费级固态硬盘的价格仍将持续在高位运行，但在闪迪等企业的供应支持下 不会发生因完全无法买到固态硬盘而不能进行刚需型 PC 装机的极端危机 。
IT之家 5 月 14 日消息，集邦咨询（TrendForce）昨日（5 月 13 日）发布最新现货价报告，指出五一假期后，DRAM 与 NAND Flash 市场继续分化。 假期结束后，部分地区的 DRAM 交易回温，买家态度开始转向积极，实际下单意愿上升。与此同时，NAND Flash 现货市场仍偏冷清，买卖双方对价格的判断差距拉大。 在 DRAM 市场方面，TrendForce 表示，本周整体交易条件改善，需求主要集中在 DDR4 512×16 与 1G×16 这两类芯片。 TrendForce DRAM 现货价格图 对买家来说，这意味着采购焦点并没有全面扩散，而是集中流向主流规格。受此影响， 卖方惜售情绪升温，并同步上调报价 ，现货价格因此小幅走高。具体到价格上，主流芯片 DDR4 1G×8 3200 MT/s 本周上涨 0.94%，从 32.0 美元升至 32.3 美元（IT之家注：现汇率约合 219.9 元人民币）。 NAND Flash 市场延续上周的疲弱情绪。报告指出，买卖双方的预期分歧还在扩大。部分卖家愿意用更低价格出货，但买家普遍保持观望，因此市场目前主要靠零星急单支撑，还看不到大规模补货迹象。 TrendForce NAND Flash 现货价格图 本周 512Gb TLC 现货价上涨 0.34%，来到 20.541 美元。这个涨幅明显小于 DRAM，说明 NAND Flash 现货市场更接近窄幅整理，而不是明确反弹。对产业链企业来说，如果终端需求没有继续放大，现货价格短期内大概率仍会维持轻微盘整状态。 参考 [Insights] Memory Spot Price Update: DRAM Spot Market Strengthens Post-Holiday as DDR4 Leads Demand
IT之家 5 月 13 日消息，中科曙光 (Sugon) 今日正式发布高端全闪存存储解决方案 FlashNexus 9000。其整体性能提升至 2 亿 IOPS (200M IOPS)， 较上一代产品增长近 7 倍 ；随机访问时延低至 0.09ms。 FlashNexus 9000 系统可靠性达 99.99999% ，在 4 块控制器同时故障 3 块的极端情况下仍能稳定运行，还支持存储池同时故障 4 块硬盘而数据不丢失。 其核心部件 100% 国产化，处理器芯片、交换芯片、前端芯片等关键组件整体达到国际先进水平；核心软件 100% 全栈自研，可兼容主流多路径架构；原生兼容 20 余种主流操作系统。 在具体案例中，中科曙光表示 FlashNexus 9000 可将大规模金融交易峰值速度提升 200%，每秒可处理 30 万笔交易；医疗 HIS 系统响应速度提升 90%，高频业务实现毫秒级响应；运营商计费系统整体出账时间减少 66%，结算时间缩短至 3 小时。
IT之家 5 月 13 日消息，韩媒 chosun 今天（5 月 13 日）报道称， 全球存储厂正把产能转向 HBM 和高层数 3D NAND，传统 2D NAND 与 MLC NAND 供应迅速收紧。 IT之家注：上文文末翻译有误，原文为去年（2025 年） 报道指出成熟制程存储芯片也开始出现明显缺货，64Gb MLC NAND 现货价据称较 2025 年底暴涨超过 300%，近期成交区间已到 20 至 28 美元。 图源：集邦咨询 该媒体认为导致 MLC NAND 现货价暴涨的一个重要原因，是三星自 3 月起逐步调整华城 Line 12 的 2D NAND 生产，并改造该厂作为 1c DRAM 的后段工厂。 该产线原本每月晶圆产能约 8 万至 10 万片，且被视为三星最后一处 2D NAND 主要据点。按照报道说法，三星将在下个月完成最后一批出货，随后结束相关供应，这会进一步压缩市场上的旧规格 NAND 货源。 与此同时，铠侠（Kioxia）、SK hynix 和美光（Micron）也没有扩大 MLC 产能的意愿。TrendForce 指出，这几家厂商目前基本只按既有客户需求维持生产，因此全球 MLC NAND Flash 产能预计将在 2026 年同比下滑 41.7%。 这类产品单颗单元存 2 bit，容量不如 TLC 和 QLC，但数据保存能力和耐用性通常更强，因此在部分工业、网络设备和嵌入式场景里，短期内仍难完全替代。 相比之下，头部厂商更愿意把资源投向 AI 带动的高利润产品。报道提到，三星正把 NAND 作为下一阶段重点，推进 400 层级 V10 产品。 相关阅读： 《 韩国海关：过去 1 个月 DRAM 内存单价同比涨 497.4%；NAND 同比涨 351.6% 》 《 消息称三星电子讨论重启半导体新业务，V10 NAND 是一大重点 》 《 IDC 预测：全球 DRAM、NAND 收入 2026 年分别增长 177% 和 138.5% 》 《 旺宏抓住三星退场窗口：补位入门级存储芯片，MLC NAND 收入 2026Q1 同比增长 382% 》
IT之家 5 月 11 日消息，据中国台湾地区媒体《经济日报》昨天报道，慧荣科技（IT之家注：Silicon Motion）总经理苟嘉章表示，AI 投资重心正在从训练快速转移至推理，进一步带动内存、存储需求增长。目前情况下， NAND 闪存可能一路缺货至 2028 年 ， 下半年内存价格可能持续上涨 。 苟嘉章表示，目前北美云端服务供应商持续大举建设 AI 基础设施，业内人士都担心未来内存、AI 基建资源不足，因此积极通过长期合约、预付款等方式锁定供给。 对于内存行业来说，即使现在启动扩产，也无法立即建立稳定供给。从获取土地、建设无尘车间，到装机、良率调校完成， 至少需要 2-3 年才能真正形成有效产能 ，且设备交付周期往往长达 1 年-1 年半， 供需缺口难以短期快速改善 。 苟嘉章预测，今年下半年内存价格应该会上涨，但涨幅小于上半年。 部分手机、电脑厂商已经难以承受高昂成本 ，苹果等具备采购优势的大型品牌有机会获得跳跃式成长。
IT之家 5 月 6 日消息，群晖科技 (Synology) 今日宣布推出两款新一代全闪存阵列企业级存储机架式服务器 FS6420 和 FS3420。这两个型号均采用 2U 高度外形规格，提供 24 个盘位。 FS6420 读写 IOPS 分别可达 929K 和 257K，较上代提升 40% 和 26%；FS3420 读写 IOPS 则分别可达 478K 和 169K，较上代提升 21% 和 32%。 FS6420 和 FS3420 标配双 10GbE 接口，SMB 读取吞吐量提升超过 60%，支持选配 25GbE 或 Fibre Channel 扩充卡。同时其配备冗余电源，支持带外管理，拥有一系列企业级场景适用特性。
IT之家 5 月 4 日消息，据 TrendForce 今天报道，铠侠、闪迪将在 6 月 14-18 日参加 VLSI Symposium 研讨会，届时将同步展出多层堆叠单元架构 QLC NAND 闪存，向突破 1000 层 3D NAND 迈进。 据报道，闪迪和铠侠已经提前展示了 MSA-CBA（IT之家注：多层堆叠单元阵列-CMOS 键合）器件架构图，还带有两块 218 字线阵列晶圆形成的堆叠单元阵列的 FIB-SEM 图像。 值得注意的是，铠侠早在 2024 年就提出了 1000 层 3D NAND 路线图。根据日媒 PC Watch 的说法，铠侠预计到 2027 年， NAND 闪存密度有望达到 100 Gbit / mm² ， 同时实现 1000 字线 3D NAND 。 而三星电子虽然也规划过 1000 层 NAND 路线，但最终选择更稳健的策略。该公司曾在旧金山国际固态电路大会（ISSCC）展示 multi-BV NAND 概念，通过将两块晶圆堆叠在两块外围晶圆上，实现 1000 层扩展，整体思路与铠侠的方案高度相似。
IT之家 5 月 3 日消息，存储巨头美光科技（Micron）第二财季创下了营收、毛利率、每股收益和自由现金流的多项纪录。 美光 CEO 桑杰・梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）在接受 CNBC 采访时指出，当前的 AI 浪潮仅处于“早期阶段”，随着 AI 智能体的崛起，更高速、更大容量的存储已成为支撑 AI 发挥全部能力的战略资产。 他表示，随着推理端迎来拐点，Token 生成需求的扩大对内存速度和容量提出了极高要求。然而目前存储行业正面临供应极其紧张的局面，且产能提升并非易事。 AI 确实处在非常早期的阶段，你们刚刚在 GTC 大会上已经看到了 AI 领域有多么大的进步。内存是一项战略资产，为了让 AI 能够发挥其全部能力，你需要更多的内存、需要性能更快的内存。这是一个推理的拐点。随着推理应用的扩大，对 Token 的需求会随之提升，而这些 Token 需要高速处理，这就需要更多的内存、需要更快的内存，才能释放内存的全部潜力。 他还指出，问题不在于需求或定价，而在于供应商根本无法解决的产能问题，且展望未来，情况也不会有所好转。“目前内存供应非常紧张，而且供应无法轻易跟上，这些都能在我们的业绩中看到。” 美光预测，AI 对 DRAM 和 NAND 的需求预计将在今年超过行业总市场规模（TAM）的 50%。 在技术进展方面，美光正积极应对 GPU 领域对 HBM 标准的迭代需求。公司正为英伟达的 Vera Rubin 平台供应 HBM4 36GB（12 层堆叠）DRAM 样品，并预计其现有 HBM3 工艺的良率将趋于成熟，下一代 HBM4E 内存则计划于明年量产。 在移动与服务器端，LPDDR 因其能效优势成为大规模部署的首选。IT之家注意到，美光近期展示了容量高达 256GB 的 LPCAMM2 模块，并正为英伟达的 Groq 3 LPX 提供 DDR5 内存供应。 尽管企业端需求火爆，但消费电子市场前景不容乐观。美光预计，受供应受限和价格上涨影响，个人电脑（PC）和移动设备的销量将出现低双位数的下滑。不过，美光也强调，对于在本地运行 AI 智能体工作流的 PC 而言，32GB 已成为主流配置选择。 梅赫罗特拉总结道，在 AI 时代，内存已成为客户的战略资产，美光正通过投资全球制造足迹来满足日益增长的需求，并预计第三财季将再次刷新多项业绩纪录。