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LinuxDo 最新话题 · 2026-05-31 01:24:31+08:00 · tech

今天找三大家剖析了一下我目前的感情状况的主要矛盾,总结下来大概就是:我日益增长的亲密陪伴需要,同其日益萎缩的愿意为之支付过程成本的意愿之间的矛盾。 即,随着接触事物信息的视野愈发宽广,对关系质量的要求在上升;同时,随着年龄,试错耐心和磨合精力储备却愈发下降。 表现就是,愈发谨慎、更快退缩、对一段关系本身充满怀疑。 佬友们有什么妙招破此局嘛ovo 18 个帖子 - 14 位参与者 阅读完整话题

LinuxDo 最新话题 · 2026-05-30 09:37:55+08:00 · tech

前言,平时在实验室待久了,再加上外面天气炎热,所以说很少出去运动,都是待在实验室的空调房里面。然后,其实也不怎么出汗。嗯,最开始也是一直待在实验室空调房里,渐渐的身体的汗腺就没那么发达,运动量也减少。身体为了适应,也开始出现一些夏天的反应。这个时候,如果你突然去运动的话,就会容易中暑。 事情是这样的,昨天下午上完课回到实验室,最后一行代码都还没写完,突然有学妹喊我去打羽毛球,那我肯定就Emmm…换做各位佬也会好不犹豫地就答应了是吧 去到羽毛球场(恒温带中央空调)的时候也没好好热身,打的时候都没出汗,打了一个多小时。然后回到实验室之后发现还是很累,气虚虚的,身体有点燥热。那是18:35,想着去食堂吃点东西,是不是饿了?结果去食堂也没有胃口,于是就打包回宿舍吃。好不容易歇了会,吃了一碗面,到了八九点这样子,就洗了个澡。正常的水温洗的澡,刚洗完,宿舍里不是开着空调嘛,结果发现身体还是一股燥热,于是就开着风扇继续吹。到了差不多十一点这个时候吧,就感觉有点不对劲,后来想了想有点慌,心想不会是中暑了吧。正好有一盒藿香正气水,然后我就问了一下豆包说是不是中暑了,他给我说是中暑了,可能是中暑的前兆,所以说我就喝下去了,一喝完,不一会儿,后背一股汗冒了出来,过了没一会儿就没什么事了,身体恢复常温,呼吸也顺了,然后结束了疲惫的一天。 所以说,这个经历要告诉各位警惕空调病,特别是我们经常待在室内,待在电脑前一坐就是大半天,然后开着空调也不运动,身体血液不流通,这种情况特别要注意。在这种夏天,其次呢,也要等太阳下山之后,天气不那么热了之后,也要适当地运动,保持一定运动量,保持身体汗腺发达,还有肌肉的耐受度。要做一些阻抗运动、有氧运动,这样才能保持身体的状态,不然久而久之,身体状况变差,体能下降。还有就是不知道最近是不是坐太久了啊,驼背、头前倾各种坏习惯感觉越来越明显了。以后真要注意,等出毛病了就晚了呀,各位哥。 1 个帖子 - 1 位参与者 阅读完整话题

LinuxDo 最新话题 · 2026-05-28 15:50:39+08:00 · tech

无所不能的大佬们,最近家里之前的智能门锁(品牌VOC,6-7年)指纹识别出状况了,想着换一个新的智能门锁,要求人脸识别、远程对讲、哨兵监控等模式,外形好看点的,对老人孩子友好点的。目前看到有德施曼、凯迪仕、萤石等品牌,618也是价格各异,本来还想VOC牌子,奈何这家新品太少。万能的佬们,求帮忙推荐,价位1000-2000。 10 个帖子 - 6 位参与者 阅读完整话题

cnBeta全文版 · 2026-05-25 20:35:08+08:00 · tech

美国存储芯片巨头美光(Micron)预计,高带宽存储(HBM)、DRAM 和 NAND 闪存等关键产品的供需紧张局面,将持续到 2026 年之后。该观点由投行摩根大通在一份研报中披露,内容源自美光管理层在美国波士顿举行的第 54 届摩根大通全球科技、媒体与通信大会(TMC)上的发言。 摩根大通在研报中写道,美光在大会上表示,由于高性能存储芯片可以显著提升人工智能模型的算力表现,市场对相关产品的需求持续高涨,预计整个存储市场的“紧俏”状况会一直延续到 2026 年之后。与此同时,HBM、DRAM 与 NAND 等产品的产能扩张存在客观难度,这也将放大并拉长供需失衡的周期。 多重因素正在共同推高这一轮存储紧缺。首先,新一代存储芯片在性能上的“代际提升幅度”正在放缓,意味着客户需要堆叠更多芯片或采用更高规格产品,才能获得同等水平的性能增量。其次,新一代 HBM 芯片采用更大的晶圆面积(die size),在固定晶圆产能下,可切割出的芯片数量相对减少,进一步压缩了有效供应。此外,极紫外光刻(EUV)正加速进入最新一代 DRAM 制造工艺,在提升制程能力的同时,也对产线建设与良率爬坡提出更高要求。 在本次会议上,美光还披露了关于 HBM4 生产节奏的关键信息。公司管理层称,受 AI 应用爆发式增长推动,其 1-gamma 工艺节点有望成为公司历史上出货晶圆量最大的 DRAM 节点。HBM 存储通常以多层堆叠的 DRAM 模组为基础,并与 AI GPU 等高性能芯片封装在一起,这使得先进 DRAM 工艺在 AI 时代的重要性进一步凸显。美光同时表示,正在持续将 EUV 光刻深度导入 1-gamma 节点的量产之中。 在产能爬坡方面,美光指出,受强劲 AI 需求驱动,HBM4 的产能提升速度正以约两倍于上一代 HBM3 的节奏推进。公司预计,下一代 HBM4E 将在 2027 年开启量产爬坡,首批样品将基于 1-gamma 工艺节点所生产的 DRAM 芯片。这一时间表显示,美光正试图在后续几代 AI 加速芯片平台中,提前锁定高带宽存储的技术与产能优势。 除高带宽存储外,美光还提到,随着 AI 模型“上下文窗口”持续扩展,以及推理工作负载不断增长,公司在固态硬盘(SSD)市场的份额也有所提升。美光强调,正与主要客户紧密协同研发,为其特定应用场景定制产品,而非简单提供标准化的“现货型”存储解决方案。这种更深度的合作模式,有望在未来几年内进一步稳固其在 AI 存储生态中的地位。 摩根大通在报告中表示,在听取美光管理层的最新表态后,该行更加确信 AI 存储赛道存在“多年度牛市”的投资逻辑。在高性能计算、数据中心与 AI 加速芯片的集中拉动下,HBM、DRAM 与 NAND 的结构性供需紧张,可能会成为 2026 年之后存储行业定价与盈利能力的核心支撑因素。 查看评论